存储装置及其操作方法制造方法及图纸

本申请涉及存储装置及其操作方法。根据实施方式的存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储块，所述存储块包括分别连接到垂直层叠的多条字线的多个存储器单元；以及存储控制器，其被配置为控制存储器装置响应于从主机提供的写请求而确定与写请求对应的多个写数据的属性，基于查找表来设定用于将所述多个写数据当中的具有写数据的相同属性的写数据存储在相同存储块中的编程操作的编程电压，并且根据所设定的编程电压来执行编程操作，其中，所述查找表包括写数据的属性和关于根据所述多条字线的位置的编程电压的编程信息。条字线的位置的编程电压的编程信息。条字线的位置的编程电压的编程信息。

【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法


[0001]本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储装置和包括该存储装置的存储系统以及操作该存储装置和包括该存储装置的存储系统的方法。

技术介绍

[0002]存储装置是在主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储控制器。存储器装置可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
[0003]易失性存储器装置仅在从电源接收电力时才可存储数据。当电源被切断时，存储在易失性存储器装置中的数据可能丢失。易失性存储器装置可包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0004]非易失性存储器装置可以是即使电源的电力被切断也不丢失数据的装置。非易失性存储器装置可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。

技术实现思路

[0005]根据本公开的实施方式的存储装置可包括：存储器装置，其包括多个存储块，所述存储块包括分别连接到垂直层叠的多条字线的多个存储器单元；以及存储控制器，其被配置为控制存储器装置响应于从主机提供的写请求而确定与写请求对应的多个写数据的属性，基于查找表来设定用于将所述多个写数据当中的具有写数据的相同属性的写数据存储在相同存储块中的编程操作的编程电压，并且根据所设定的编程电压来执行编程操作，其中，所述查找表包括写数据的属性和关于根据所述多条字线的位置的编程电压的编程信息。
[0006]根据本公开的另一实施方式的操作存储装置的方法可包括以下步骤：响应于从主机提供的写请求，确定与写请求对应的写数据的属性；基于多个查找表来确定与写数据的属性对应的编程电压，所述查找表包括写数据的属性以及关于根据垂直层叠的多条字线的位置的编程电压的编程信息；以及根据编程电压来执行将写数据存储在包括分别连接到所述多条字线的多个存储器单元的存储块中的编程操作。
附图说明
[0007]图1是示出根据本公开的实施方式的存储系统的图。
[0008]图2是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的图。
[0009]图3是示出图2所示的多个存储块中的任一个的结构的图。
[0010]图4是示出三维结构的存储块的实施方式的图。
[0011]图5是示出三维结构的存储块的另一实施方式的图。
[0012]图6是概念上示出根据本公开的实施方式的编程操作的图。
[0013]图7是示出根据本公开的实施方式的写数据的结构的图。
[0014]图8是示出根据字线的位置的编程电压的改变的图。
[0015]图9是示出根据本公开的实施方式的编程信息发生器的图。
[0016]图10是示出图9所示的CSC(电流感测电路)比较器的实施方式的图。
[0017]图11是示出为多个字线组中的每一个生成的多个查找表的图。
[0018]图12是示出根据写数据的属性对包括在存储块中的多个字线组执行编程操作的顺序的图。
[0019]图13是示出根据写数据的属性存储的多个存储块的图。
[0020]图14是示出根据本公开的实施方式的存储装置的操作方法的流程图。
[0021]图15是示出根据本公开的实施方式的存储控制器的图。
[0022]图16是示出应用了根据本公开的实施方式的存储装置的存储卡系统的图。
[0023]图17是示出应用了根据本公开的实施方式的存储装置的固态驱动器(SSD)系统的图。
[0024]图18是示出应用了根据本公开的实施方式的存储装置的用户系统的图。
具体实施方式
[0025]仅示出根据本说明书或申请中所公开的构思的实施方式的具体结构或功能描述，以描述根据本公开的构思的实施方式。根据本公开的构思的实施方式可按照各种形式实现，这些描述不限于本说明书或申请中所描述的实施方式。
[0026]本公开的实施方式提供了一种通过执行较少的合并操作或垃圾收集而具有改进的性能的存储装置以及操作该存储装置的方法。
[0027]根据本技术，提供了一种通过执行较少的合并操作或垃圾收集而具有改进的性能的存储装置以及操作该存储装置的方法。
[0028]图1是示出根据本公开的实施方式的存储系统的图。
[0029]参照图1，存储系统可被实现为个人计算机(PC)、数据中心、企业数据存储系统、包括直接附接存储(DAS)的数据处理系统、包括存储区域网络(SAN)的数据处理系统以及包括网络附接存储(NAS)的数据处理系统等。
[0030]存储系统可包括存储装置1000和主机400。
[0031]存储装置1000可以是根据主机400(例如，蜂窝电话、智能电话、MP3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、TV、平板PC或车载信息娱乐系统)的请求存储数据的装置。
[0032]根据作为与主机400的通信方法的主机接口，存储装置1000可被制造成各种类型的存储装置中的一种。例如，存储装置1000可被配置成各种类型的存储装置中的任一种，例如SSD、MMC、eMMC、RS
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MMC和micro
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MMC形式的多媒体卡、SD、mini
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SD和micro
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SD形式的安全数字卡、通用串行总线(USB)存储装置、通用闪存(UFS)装置、个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡型存储装置、外围组件互连(PCI)卡型存储装置、高速PCI(PCI
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E)卡型存储装置、紧凑闪存(CF)卡、智能媒体卡和记忆棒。
[0033]存储装置1000可被制造成各种类型的封装中的任一种。例如，存储装置1000可被制造成例如堆叠式封装(POP)、系统封装(SIP)、系统芯片(SOC)、多芯片封装(MCP)、板上芯片(COB)、晶圆级制造封装(WFP)和晶圆级层叠封装(WSP)的各种类型的封装类型中的任一
种。
[0034]存储装置1000可包括存储器装置100和存储控制器200。
[0035]存储器装置100可响应于存储控制器200的控制而操作。例如，存储器装置100可从存储控制器200接收命令和地址并且访问存储器单元(未示出)当中的通过地址选择的存储器单元。存储器装置100可对通过地址选择的存储器单元执行命令所指示的操作。
[0036]命令可以是例如编程命令、读命令或擦除命令，并且命令所指示的操作可以是例如编程操作(或写操作)、读操作或擦除操作。
[0037]例如，存储器装置100可接收编程命令、地址和数据并且将数据编程在通过地址选择的存储器单元中。这里，要编程在所选存储器单元中的数据可被定义为写数据。
[0038]写数据的属性可以是热数据、暖数据和冷数据中的任一个。
[0039]热数据可以是主机400访问写操作和读操作的次数相对频繁的数据。另选地，热数据可以是写数据的大小或作为多个写数据的集合的数据区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储装置，该存储装置包括：存储器装置，该存储器装置包括多个存储块，所述存储块包括分别与垂直层叠的多条字线连接的多个存储器单元；以及存储控制器，该存储控制器被配置为控制所述存储器装置响应于从主机提供的写请求而确定与所述写请求对应的多个写数据的属性，基于查找表来设定用于将所述多个写数据当中的具有所述写数据的相同属性的写数据存储在相同存储块中的编程操作的编程电压，并且根据所设定的编程电压来执行所述编程操作，其中，所述查找表包括所述写数据的所述属性和关于根据所述多条字线的位置的所述编程电压的编程信息。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储控制器包括：编程信息存储部，该编程信息存储部被配置为存储所述查找表；以及编程操作控制器，该编程操作控制器被配置为控制所述存储器装置使用所述查找表从与所述写数据的所述属性对应的所述编程信息设定所述编程电压并将所述编程电压施加到所述多条字线当中的所选字线。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述存储器装置包括编程电压寄存器，该编程电压寄存器存储分别与基于所述多条字线的位置划分的多个字线组对应的多个查找表。4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，所述多个查找表包括：与第一字线组对应的第一查找表，该第一字线组包括所述多条字线当中的设置在最下位置的底部字线；与第二字线组对应的第二查找表，该第二字线组包括存在于所述底部字线与所述多条字线当中的设置在最上位置的顶部字线之间的中间字线；以及与第三字线组对应的第三查找表，该第三字线组包括所述多条字线当中的所述顶部字线，并且所述写数据的所述属性是热数据、暖数据和冷数据中的任一个。5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，在所述第一查找表至所述第三查找表当中，与包括在所述第一查找表中的所述热数据对应的所述编程电压最小，并且与包括在所述第三查找表中的所述热数据对应的所述编程电压最大。6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，所述写数据的所述属性是所述热数据，并且所述编程操作控制器控制所述存储器装置按照所述第一字线组、所述第二字线组和所述第三字线组的顺序将所述写数据存储在分别与所述第一字线组至所述第三字线组连接的存储器单元中。7.根据权利要求4所述的存储装置，其中，在所述第一查找表至所述第三查找表当中，与包括在所述第一查找表中的所述冷数据对应的所述编程电压最大，并且与包括在所述第三查找表中的所述冷数据对应的所述编程电压最小。8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述写数据的所述属性是所述冷数据，并且所述编程操作控制器控制所述存储器装置按照所述第三字线组、所述第二字线组和所述第一字线组的顺序将所述写数据存储在分别与所述第一字线组至所述第三字线组连接的存储器单元中。9.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述写数据的所述属性是所述暖数据，并且所述编程操作控制器控制所述存储器装置首先将所述写数据存储在与所述第二字线
组连接的存储器单元中。10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个存储块包括第一存储块、第二存储块和第三存储块，所述写数据的所述属性是热数据、暖数据和冷数据中的任一个，所述多个写数据当中的所述写数据的所述属性是所述热数据的写数据被存储在所述第一存...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘炳晟，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：