发光器件及其制备方法技术

技术编号:32504542 阅读:19 留言:0更新日期:2022-03-02 10:14
一种发光器件及其制备方法,该发光器件包括引线框架和发光芯片,引线框架包括依序层叠设置的上层导电基材、导热隔离层和下层导电基材,上层导电基材包括导电外框,位于导电外框内的第一导电块,以及连接在导电外框的内侧的多个第二导电块,发光芯片固定在第一导电块上,导电外框、第一导电块和第二导电块与导热隔离层之间围合形成容置槽,容置槽填充有反射胶层,下层导电基材包括电极属性相反的第一电极和第二电极,其中一个第二导电块通过第一引线电性连接第一电极,其他的第二导电块键合连接发光芯片,第一导电块通过第二引线连接第二电极。该发光器件满足发光器件小型化的设计要求,且通过容置槽的设置可以得到高出光率的发光器件。光器件。光器件。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及LED
,特别是涉及一种发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]LED器件因其小巧实用,不仅环保节能,而且还能大大满足照明效果和需求的优势,得到迅猛的发展,LED器件被广泛应用于信号指示运用、显示运用、植物照明运用等领域。
[0003]但伴随着市场需求的增多,越来越多的产品急需更高的亮度及更高的耐热性能。同时随着市场竞争加剧、LED器件成本降低等因素影响,市场对高光效LED器件的需求越来越明显。
[0004]现有的LED器件通常是将发光芯片设置在反射杯的底部,通过反射杯侧壁的反光作用来提高发光效率。这种方式虽然一定程度上提高了LED器件的光效,但是要求LED器件就有较大的尺寸,导致占据较大的空间,不利于LED器件的小型化发展。

技术实现思路

[0005]鉴于上述状况,有必要提供一种发光器件及其制备方法,以满足发光器件小型化,以及高光效的要求。
[0006]一种发光器件,包括引线框架和发光芯片,所述引线框架包括依序层叠设置的上层导电基材、导热隔离层和下层导电基材,所述上层导电基材包括导电外框,位于所述导电外框内的第一导电块,以及连接在所述导电外框的内侧的多个第二导电块,所述发光芯片固定连接于所述第一导电块上,所述导电外框、所述第一导电块和所述第二导电块与所述导热隔离层结合后形成容置槽,所述容置槽将所述上层导电基材分割为两个间隔的导电区,其中所述第一导电块作为第一导电区,所述导电外框和各个所述第二导电块作为第二导电区,所述第一导电区和所述第二导电区的电极属性相反,所述下层导电基材划分为三个非相连的区域,其中两侧的区域为电极属性相反的第一电极和第二电极,中间区域为辅助区域,所述辅助区域用于标识两侧区域的正负极,其中一个所述第二导电块通过穿设于所述导热隔离层的第一引线电性连接所述第一电极,其他的所述第二导电块作为连接所述发光芯片的键合区域,所述发光芯片通过键合线连接所述键合区域后,通过在所述容置槽中填充反射胶,形成反射胶层,所述反射胶层环绕所述发光芯片的边缘设置,且所述反射胶层朝向远离所述发光芯片的方向的厚度逐渐减小,以在远离所述发光芯片的一侧形成斜坡状的反射面,使得所述发光芯片平面反射率加大,增大所述发光芯片的出光,所述第一导电块通过穿设于所述导热隔离层的第二引线连接所述第二电极,所述第一电极与所述第二导电区的电极属性一致,所述第二电极与所述第一导电区的电极属性一致,所述第一电极与所述第二电极的电极属性相反,以形成电路导通。
[0007]进一步的,上述发光器件,其中,所述反射胶至少包括钛粉、二氧化钛粉末、树脂组成的混合物。
[0008]进一步的,上述发光器件,其中,所述反射胶层高出于所述发光芯片的底面,且所述反射胶层超过所述发光芯片底面的高度小于或等于所述发光芯片的厚度的1/4。
[0009]进一步的,上述发光器件,其中,所述导热隔离层上分别开设有与所述第一引线和所述第二引线对应的两个通孔,所述第一引线的成型方式为,在其中一个所述第二导电块上电镀金属引线并穿过对应的所述通孔后与所述第一电极连接,所述第二引线的成型方式为,在所述第一导电块上电镀金属引线并穿过对应的所述通孔后与所述第二电极连接。
[0010]进一步的,上述发光器件,其中,所述导热隔离层的成型方式为,在所述第一引线与所述第二导电块和所述第一电极连接,以及所述第二引线与所述第一导电块和所述第二电极连接后,在所述上层导电基材和所述下层导电基材之间浇筑非固体绝缘导热材料,以待所述非固体绝缘导热材料固化后形成所述导热隔离层,并通过所述导热隔离层将所述上层导电基材、所述下层导电基材、所述第一引线、所述第二引线与所述导热隔离层固定一体。
[0011]进一步的,上述发光器件,其中,所述导电外框为方形,所述第二导电块设置有四个,四个所述第二导电块分别固定于所述导电外框的四周。
[0012]进一步的,上述发光器件,其中,所述容置槽的深度为0.02~0.08mm。
[0013]本专利技术另一方面还提供了一种上述任意一项所述的发光器件的制备方法,包括:制备所述引线框架,并将发光芯片通过固晶胶固定在所述引线框架的第一导电块上;待所述固晶胶烘干后,使用键合线将所述发光芯片与所述引线框架的键合区域键合形成通路;在所述引线框架的容置槽中喷涂反射胶,其中,所述反射胶沿着所述发光芯片的周边进行喷涂,同时使得反射胶呈水滴状喷涂在所述发光芯片的周围,以使所述反射胶烘干后在远离所述发光芯片的一侧形成斜坡状的反射面;待烘烤干反射胶后将所述引线框架放置到模顶机台中进行塑胶模型。
[0014]进一步的,上述发光器件的制备方法,其中,所述制备所述引线框架的方法采用如下方式中的任意一种:方式一,在框架模具中形成所述引线框架的上层导电基材和下层导电基材;将第一引线的一端焊接在所述上层导电基材的其中一个第二导电块上,另一端焊接在所述下层导电基材的第一电极上,将第二引线的一端焊接在所述上层导电基材的第一导电块上,另一端焊接在所述下层导电基材的第二电极上;之后,在所述上层导电基材和所述下层导电基材之间浇筑非固体绝缘导热材料,待该非固体绝缘导热材料固化后形成导热隔离层,其中,所述第一引线和所述第二引线连接在所述上层导电基材和所述下层导电基材之间,并且所述第一引线和所述第二引线埋设于成型的所述导热隔离层中;方式二,将固体绝缘材料加工成设计要求的导热隔离层;在所述导热隔离层上开设两个通孔,并分别在两个所述通孔中通过电镀金属引线的方式形成第一引线和第二引线,其中,所述金属引线裸露于导热隔离层的两端面;在所述导热隔离层的上端面通过电镀金属的方式形成上层导电基材,并电镀蚀刻出导电外框、第一导电块和多个第二导电块;在所述导热隔离层的下端面通过电镀金属的方式形成下层导电基材,并电镀蚀刻出间隔设置的第一电极和第二电极。
[0015]通过第一引线和第二引线保证引线框架上层导电基材的两个导电区分别连通下层导电基材的两个电极,从而实现形成电路导通。该第一引线和第二引线可以预先通过模具成型或焊接的形式连通上层导电基材和下层导电基材,导热隔离层的材质通过流体形式进入引线框架再进行浇筑。该第一引线和第二引线连接引线框架与导热隔离层的通路连接方式通过框架模具直接形成或者直接通过焊接方式固定后再使用非固体绝缘导热材料对引线框架进行固化。
[0016]当然第一引线和第二引线也可以通过在固体类导热隔离层上钻孔后通过电镀金属方式使得金属引线能连接引线框架上层导电基材和下层导电基材。在导热隔离层上层的外圈电镀有一定宽度及厚度的导电外框、导电外框内侧的多个第二导电块,以及该导电外框包围的区域内有电镀有独立凸字形金属区域的第一导电块。在导热隔离层底层电镀出三个非相连区域,底层三个金属区域平整度一致,所述的三个金属区域,靠近边缘两侧的金属区域为引线框架底部导电的正负电极,中间金属区域为辅助区域,可在底部中间金属区域做标识用于区别两侧金属区域正负极的判定。
[0017]具体来说,形成上层导电基材的方式为,在引线框架上层形成本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件,包括引线框架和发光芯片,其特征在于,所述引线框架包括依序层叠设置的上层导电基材、导热隔离层和下层导电基材,所述上层导电基材包括导电外框,位于所述导电外框内的第一导电块,以及连接在所述导电外框的内侧的多个第二导电块,所述发光芯片固定连接于所述第一导电块上,所述导电外框、所述第一导电块和所述第二导电块与所述导热隔离层结合后形成容置槽,所述容置槽将所述上层导电基材分割为两个间隔的导电区,其中所述第一导电块作为第一导电区,所述导电外框和各个所述第二导电块作为第二导电区,所述第一导电区和所述第二导电区的电极属性相反,所述下层导电基材划分为三个非相连的区域,其中两侧的区域为电极属性相反的第一电极和第二电极,中间区域为辅助区域,所述辅助区域用于标识两侧区域的正负极,其中一个所述第二导电块通过穿设于所述导热隔离层的第一引线电性连接所述第一电极,其他的所述第二导电块作为连接所述发光芯片的键合区域,所述发光芯片通过键合线连接所述键合区域后,通过在所述容置槽中填充反射胶,形成反射胶层,所述反射胶层环绕所述发光芯片的边缘设置,且所述反射胶层朝向远离所述发光芯片的方向的厚度逐渐减小,以在远离所述发光芯片的一侧形成斜坡状的反射面,使得所述发光芯片平面反射率加大,增大所述发光芯片的出光,所述第一导电块通过穿设于所述导热隔离层的第二引线连接所述第二电极,所述第一电极与所述第二导电区的电极属性一致,所述第二电极与所述第一导电区的电极属性一致,所述第一电极与所述第二电极的电极属性相反,以形成电路导通。2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述反射胶至少包括钛粉、二氧化钛粉末、树脂组成的混合物。3.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述反射胶层高出于所述发光芯片的底面,且所述反射胶层超过所述发光芯片底面的高度小于或等于所述发光芯片的厚度的1/4。4.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述导热隔离层上分别开设有与所述第一引线和所述第二引线对应的两个通孔,所述第一引线的成型方式为,在其中一个所述第二导电块上电镀金属引线并穿过对应的所述通孔后与所述第一电极连接,所述第二引线的成型方式为,在所述第一导电块上电镀金属引线并穿过对应的所述通孔后与所述第二电极连接。5.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述导热隔离层的成型方式为,在所述第一引线与所述第二导电块和所述第一电极连接,以及所述第二引线与所述第一导电块和所述第二电极连接后,在所述上层导电基材和所述下层导电基材之间浇筑非固体绝缘导热材料,以...

【专利技术属性】
技术研发人员:饶德望
申请(专利权)人:江西鸿利光电有限公司
类型:发明
国别省市:

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