一种多晶硅还原炉制造技术

本申请公开了一种多晶硅还原炉，属于多晶硅生产技术领域，其包括炉体和喷嘴。喷嘴安装在炉体的底部，气体可以沿该喷嘴进入到炉体内。喷嘴上开口的朝向可以根据炉体内硅棒的形状和大小进行调整，从而保证硅棒的垂直度和均匀性。本发明专利技术公开的多晶硅还原炉可以根据需要实时对喷嘴进行调整，从而改变开口的方向和直径，获得区熔料、切割料等不同用途的产品。前期可以调整喷嘴加快细硅芯底部生长速度，避免硅芯因受气流的影响产生晃动和靠壁；中后期可以调整喷嘴使炉内流场、温场、辐射场分布均匀，避免产生大头料，保证硅棒的垂直度和均匀性，提升硅棒品质。此外，控制系统感应到炉内产生雾化等异常情况时可以及时调整，从而保证硅棒的品质。品质。品质。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉


[0001]本专利技术涉及多晶硅生产
，具体而言，涉及一种多晶硅还原炉。

技术介绍

[0002]目前还原炉电极一般呈蜂窝状或同心圆排布于底盘上，多个独立的物料进气口临近电极均匀垂直分布在底盘上，含硅物料及还原气体以较高流速进入还原炉，冲至还原炉顶部沿炉壁、底盘返流，经尾气出口排出。相对固定的流道(进气沿中部向上，沿封头、炉壁、底盘向下排出)及高流动速率使得炉内流场、温场、辐射场分布不均匀，影响硅棒的垂直度，甚至导致硅棒出现倒棒、大头料现象。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开了一种多晶硅还原炉，以改善上述的问题。
[0004]本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案是：
[0005]基于上述的目的，本专利技术公开了一种多晶硅还原炉，包括：
[0006]炉体，所述炉体上设置有进气口和出气口；以及
[0007]喷嘴，所述喷嘴包括安装管、传动管和喷射管，所述安装管安装于所述进气口处，所述传动管上设置有第一安装面和第二安装面，所述第一安装面和所述第二安装面均与所述传动管的轴线倾斜设置，所述传动管通过所述第一安装面与所述安装座转动连接，所述传动管通过所述第二安装面与所述喷射管转动连接。
[0008]可选地：底座，所述进气口和所述出气口均设置于所述底座，且所述安装管与所述底座连接，以及
[0009]罩体，所述罩体罩设于所述底座上，所述罩体与所述底座形成反应腔，所述喷嘴位于所述反应腔内，所述出气口与所述反应腔连通。
[0010]可选地：所述安装管上设置有用于与所述第一安装面配合的第一连接面，所述第一连接面相对于所述安装管轴线的倾斜角度与所述第一安装面相对于所述传动管轴线的倾斜角度相等。
[0011]可选地：所述喷射管上设置有用于与所述第二安装面配合的第二连接面，所述第二连接面相对于所述喷射管轴线的倾斜角度与所述第二安装面相对于所述传动管轴线的倾斜角度相等。
[0012]可选地：所述第一安装面相对于所述传动管轴线倾斜的方向与所述第二安装面相对于所述传动管轴线倾斜的方向位于同一平面内。
[0013]可选地：所述第一安装面和所述第二安装面相向倾斜。
[0014]可选地：所述喷射管包括：
[0015]连接部，连接部与所述传动管转动连接；以及
[0016]滑动部，所述滑动部与所述连接部滑动连接，所述滑动部背离所述传动管的一端设置有开口，当所述滑动部朝向所述传动部移动时，所述开口变大。
[0017]可选地：所述连接部上设置有凸出部，所述凸出部沿所述连接部的周向呈环形，且所述凸出部沿所述连接部的径向向内凸出；
[0018]所述滑动部包括多个滑动片，多个所述滑动片沿所述连接部的周向间隔设置，多个所述滑动片第一端均与所述连接部滑动连接，多个所述滑动片的第二端均与所述凸出部滑动连接。
[0019]可选地：所述滑动部还包括多个柔性连接材料，相邻的两个所述滑动片之间设置有所述柔性连接材料，所述柔性连接材料的两侧分别与相邻的两个所述滑动片连接。
[0020]可选地：还包括控制系统，所述控制系统包括监测模块、显示模块、分析模块以及控制模块，所述分析模块设置于所述控制模块内，所述监测模块与所述控制模块电连接，所述传动管和所述喷射管均与所述控制模块电连接，当所述监测模块监测到的硅棒形貌与预设形貌不一致时，改变炉内温场和流场，使硅棒形貌贴近预设形貌，所述控制模块控制所述传动管和所述喷射管转动，所述显示模块用于显示炉体内的温度以及炉体内的实时画面。
[0021]与现有技术相比，本专利技术实现的有益效果是：
[0022]本专利技术公开的多晶硅还原炉可以根据需要实时对喷嘴进行调整，从而改变开口的朝向和直径，获得区熔料、切割料等不同用途的产品。前期可以调整喷嘴加快细硅芯底部生长速度，避免硅芯因受气流的影响产生晃动和靠壁；中后期可以调整喷嘴使炉内流场、温场、辐射场分布均匀，避免产生大头料，保证硅棒的垂直度和均匀性，提升硅棒品质。此外，控制系统感应到炉内产生雾化等异常情况时可以及时调整，从而保证硅棒的品质。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0024]图1示出了本专利技术实施例公开的多晶硅还原炉的示意图；
[0025]图2示出了本专利技术实施例公开的炉体的示意图；
[0026]图3示出了本专利技术实施例公开的喷嘴在第一状态时的示意图；
[0027]图4示出了本专利技术实施例公开的喷嘴在第二状态时的示意图；
[0028]图5示出了本专利技术实施例公开的喷嘴在第三状态时的示意图；
[0029]图6示出了本专利技术实施例公开的安装管的示意图；
[0030]图7示出了本专利技术实施例公开的传动管的示意图；
[0031]图8示出了本专利技术实施例公开的连接部的示意图；
[0032]图9示出了本专利技术实施例公开的滑动部在第一视角的示意图；
[0033]图10示出了本专利技术实施例公开的滑动部在另一视角的示意图；
[0034]图11示出了本专利技术实施例公开的控制系统的示意图。
[0035]图中：110
‑
炉体；111
‑
底座；112
‑
罩体；113
‑
进气口；114
‑
出气口；120
‑
喷嘴；121
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安装管；1211
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第一连接面；122
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传动管；1221
‑
第一安装面；1222
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第二安装面；123
‑
喷射管；1231
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连接部；1232
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凸出部；1233
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滑动部；1234
‑
第二连接面；1235
‑
开口；1236
‑
滑动片；1237
‑
柔性连接材料；130
‑
温度监测器；140
‑
监测模块；150
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显示模块；160
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分析模块；170
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控制模块；180
‑
控制系统。
具体实施方式
[0036]下面通过具体的实施例子并结合附图对本专利技术做进一步的详细描述。
[0037]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0038]因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：炉体，所述炉体上设置有进气口和出气口；以及喷嘴，所述喷嘴包括安装管、传动管和喷射管，所述安装管安装于所述进气口处，所述传动管上设置有第一安装面和第二安装面，所述第一安装面和所述第二安装面均与所述传动管的轴线倾斜设置，所述传动管通过所述第一安装面与所述安装座转动连接，所述传动管通过所述第二安装面与所述喷射管转动连接。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体包括：底座，所述进气口和所述出气口均设置于所述底座，且所述安装管与所述底座连接，以及罩体，所述罩体罩设于所述底座上，所述罩体与所述底座形成反应腔，所述喷嘴位于所述反应腔内，所述出气口与所述反应腔连通。3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述安装管上设置有用于与所述第一安装面配合的第一连接面，所述第一连接面相对于所述安装管轴线的倾斜角度与所述第一安装面相对于所述传动管轴线的倾斜角度相等。4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述喷射管上设置有用于与所述第二安装面配合的第二连接面，所述第二连接面相对于所述喷射管轴线的倾斜角度与所述第二安装面相对于所述传动管轴线的倾斜角度相等。5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述第一安装面相对于所述传动管轴线倾斜的方向与所述第二安装面相对于所述传动管轴线倾斜的方向位于同一平面内。6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述第一安装面和...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍守珍，杨明财，史正斌，任长春，梁哲，曹玲玲，宗冰，
申请(专利权)人：青海亚洲硅业半导体有限公司青海省亚硅硅材料工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：