本发明专利技术提供的trim区域的读取装置及方法，包括数据读取模块、数据比较模块和循环执行模块；数据读取模块用于trim区域的先导字和trim数据，trim数据包括校验位；数据比较模块，用于匹配读出的先导字和校验位是否与预设的期望数值相符，并根据比较结果向循环执行模块发送信号；循环执行模块，用于根据数据比较模块发送的匹配失败信息，触发数据读取模块循环读取trim数据，直到数据比较模块匹配成功后，将trim数据发送给相应的模拟模块完成修调。本发明专利技术通过先导字和校验位实现双重保护与确认，提高了读trim数据的准确性，且只将正确的数据发送给相应的模拟模块，能进一步防止读错的trim数据对芯片造成难以估测的影响，实现了读trim数据的三重保护，提高了安全性。提高了安全性。提高了安全性。
【技术实现步骤摘要】
trim区域的读取装置及读取方法
[0001]本专利技术涉及芯片设计
，尤其涉及一种trim区域的读取装置及读取方法。
技术介绍
[0002]读取eFlash中的trim值作为mcu上电后最先执行的操作，是mcu芯片的重要组成部分，对mcu是否能达到预期的功能与性能上起着决定性的作用，读取trim区域的过程一意在对整块芯片进行初始化，对模拟模块进行修调。由于受到工艺、电压或温度的影响，在读trim区域的过程中可能出现读取的trim值出错的情况，导致芯片初始化失败，最终影响芯片的性能。一般在实现小规模的mcu芯片时，在读trim区域的过程中会先读取trim区域中的先导字，如果读取出的先导字与预期不符，芯片会反复读取先导字直到读出的先导字正确为止，但这种方法只能初步保证芯片读取trim值正确，安全性较低，且小规模的mcu芯片设计中又不宜使设计过于复杂的读取方式，以免扩大芯片的功耗和面积。
技术实现思路
[0003]本专利技术的技术问题是提供一种trim区域的读取装置及读取方法，能够实现读trim数据的多重保护与确认，提高读trim数据的安全性与准确性。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0005]trim区域的读取装置，包括数据读取模块、数据比较模块和循环执行模块；数据读取模块用于trim区域的先导字和trim数据，trim数据包括校验位；数据比较模块，用于匹配读出的先导字和校验位是否与预设的期望数值相符，并根据比较结果向循环执行模块发送信号；循环执行模块，用于根据数据比较模块发送的匹配失败信息，触发数据读取模块循环读取trim数据，直到数据比较模块匹配成功后，将trim数据发送给相应的模拟模块完成修调。
[0006]trim区域的读取装置还包括影子寄存器，影子寄存器用于存储数据读取模块读取到的先导字和trim数据，并在数据比较模块匹配成功后将正确的trim数据发送给对应的模拟模块。
[0007]trim区域的读取方法，包括以下步骤：S1读取trim区域的先导字和trim数据；S2若trim区域的先导字或trim数据中的校验位的值与预设的期望值不匹配，则循环读取先导字和trim数据，直至先导字、校验位的值均和预设的期望值匹配；S3将正确的trim数据发送给对应的模拟模块完成修调。
[0008]S1包括：S11数据读取模块读取trim区域的先导字并存储至影子寄存器，如果数据比较模块得出先导字与预设的期望值不匹配，向循环执行模块发送fail信号；S12读取完先导字后，数据读取模块读取trim数据并存储至影子寄存器，如果数据比较模块得出trim数据中校验位的值与预设的期望值不匹配，向循环执行模块发送fail信号；
[0009]S2包括：S21循环执行模块检测到fail信号后，触发数据读取模块循环读取先导字和trim数据；若在预设的循环次数内，先导字和trim数据中的校验位都与预设的期望值匹
配，循环结束；否则执行S22；S22向mcu发送trim_fail信号。
[0010]S3包括：S31如果mcu接收到trim_fail信号，使用模拟模块内预存的复位值进行后续操作，完成调修；否则执行S32；S32影子寄存器将正确的trim数据发送给对应的模拟模块，完成调修。
附图说明
[0011]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。
[0012]图1是本专利技术提供的trim区域的读取方法的流程图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明，但是不作为本专利技术的限定。
[0014]本专利技术提供的trim区域的读取装置包括数据读取模块、数据比较模块和循环执行模块；数据读取模块包括读取先导字过程以及读取trim数据中的校验位的过程，读取先导字的过程作为第一级的保护，能够显示芯片上电后的电压状况，如果先导字读取出错，可能是芯片上电后电压不稳定造成的；读取校验位的过程作为第二级的保护，能够确定读出的trim数据是否准确。数据比较模块，用于匹配读出的先导字、trim数据中校验位与预设的期望数值是否相符，并根据比较结果向循环执行模块发送信号；循环执行模块，用于根据数据比较模块发送的匹配失败信息，触发数据读取模块循环读取先导字和trim数据，直到数据比较模块匹配成功后，将trim数据发送给相应的模拟模块完成修调。
[0015]为了防止将错误的trim数据发送给相应的模拟模块，对芯片造成未知的影响，trim区域的读取装置设置影子寄存器作为第三级保护，读出trim数据的过程中先将trim数据存放在相应的影子寄存器中，当读出的先导字和校验位，与期望数值一致时，即读先导字和全部trim数据的过程中没有fail信号产生，mcu会将影子寄存器中的trim数据读出并送给相应的模拟模块完成相应的修调工作。
[0016]trim区域的读取装置在实施时，如图1所示，首先数据读取模块读取trim区域的先导字并存储至影子寄存器，如果数据比较模块得出先导字与预设的期望值不匹配，向循环执行模块发送fail信号；读取完先导字后，数据读取模块读取trim数据并存储至影子寄存器，如果数据比较模块得出trim数据中校验位的值与预设的期望值不匹配，向循环执行模块发送fail信号；循环执行模块检测到fail信号后，触发数据读取模块循环读取先导字和trim数据；若在预设的循环次数内，获取的先导字和trim数据的校验位均和预设的期望值匹配，循环结束；否则向mcu发送trim_fail信号。如果mcu接收到trim_fail信号，使用模拟模块内预存的复位值进行后续操作，完成调修；否则影子寄存器将正确的trim数据发送给对应的模拟模块，完成调修。
[0017]本专利技术在保留先导字的基础上，每个trim值的高位增加一位校验位，如果在读取先导字或读取校验位的任意过程中出现错误则上报给循环执行模块，进行相应的循环读取处理，在循环读取一定次数后继续执行后面的操作确保芯片不会进入死循环以便使用者查
找错误原因。对于小规模的mcu芯片，该方法实现简单且能进一步提高读取trim数据的准确度。
[0018]以上对本专利技术的较佳实施例进行了描述；需要理解的是，本专利技术并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本专利技术的实质内容；因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.trim区域的读取装置，其特征在于，包括数据读取模块、数据比较模块和循环执行模块；所述数据读取模块用于trim区域的先导字和trim数据，所述trim数据包括校验位；所述数据比较模块，用于匹配读出的先导字和校验位是否与预设的期望数值相符，并根据比较结果向所述循环执行模块发送信号；所述循环执行模块，用于根据所述数据比较模块发送的匹配失败信息，触发所述数据读取模块循环读取trim数据，直到所述数据比较模块匹配成功后，将trim数据发送给相应的模拟模块完成修调。2.如权利要求1所述的trim区域的读取装置，其特征在于，还包括影子寄存器，所述影子寄存器用于存储所述数据读取模块读取到的先导字和trim数据，并在所述数据比较模块匹配成功后将正确的trim数据发送给对应的模拟模块。3.trim区域的读取方法，基于权利要求1至2任一所述的trim区域的读取装置，其特征在于，包括以下步骤：S1读取trim区域的先导字和trim数据；S2若trim区域的先导字或trim数据中的校验位的值与预设的期望值不匹配，则循环读取先导字和trim数据，直至先导字、校验位的值均和预设的期望值匹配；S3将正确...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜瑞昭，赵海，吕超英，梁毅，樊晓华，
申请(专利权)人：江苏集萃智能集成电路设计技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：
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