exposedlead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法，其中，封装结构包括内核、散热片和铜柱，所述铜柱与内核电连接，所述散热片位于QFN/LGA的封装后的底部且与内核贴合，所述铜柱由与内核电连接处延伸至QFN/LGA的封装后的顶部。制造方法包括：在QFN/LGA的散热片周边间隔布置铜柱，且铜柱向散热片外侧暴露面的相反方向延伸第一距离；将内核贴合在散热片的内侧；将内核与铜柱进行电连接；将散热片、内核和铜柱封装成一体；进行抛光处理，使得散热片与铜柱分别暴露在QFN/LGA封装后的底部和顶部。本发明专利技术的散热片与exposed lead不在同一面，可以原将PCB板的散热片区域节省下来，使PCB板小型化和集成化程度更高，让PCB板在大小不变的情况下实现更多的功能。的功能。的功能。

【技术实现步骤摘要】
exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及QFN封装或者LGA封装
，特别涉及一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]QFN(Quad Flat No
‑
leads Package)即方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一，属于无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。LGA(Land Grid Array)即栅格阵列封装，用金属触点式封装取代了以往的针状插脚。
[0003]在现有技术中，QFN/LGA的exposed lead(暴露铅)与散热片都是设计在同一面，即exposed lead与散热片都设计在封装品的底部。此设计要求客户端的PCB板必须同时留出散热片和exposed lead的位置，才能进行上板的焊接，PCB板上散热片区域不能布线，因而占据PCB板面积较大，不利于PCB板小型化和集成化。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构，包括由塑封料封装为一体的内核、散热片和铜柱，所述铜柱与内核电连接，所述散热片位于QFN/LGA的封装后的底部且与内核贴合，所述铜柱由与内核电连接处延伸至QFN/LGA的封装后的顶部。
[0005]可选的，所述散热片采用环氧树脂与内核贴合。<br/>[0006]可选的，所述铜柱采用金线键合方式与内核电连接。
[0007]可选的，所述铜柱位于QFN/LGA的封装后顶部的暴露部分设有电镀层。
[0008]可选的，所述铜柱设有轴向通孔。
[0009]本专利技术还提供了一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构的制造方法，包括以下步骤：
[0010]S10在QFN/LGA的散热片周边间隔布置铜柱，且铜柱向散热片外侧暴露面的相反方向延伸第一距离；
[0011]S20将内核贴合在散热片的内侧；
[0012]S30将内核与铜柱进行电连接；
[0013]S40将散热片、内核和铜柱封装成一体；
[0014]S50进行抛光处理，使得散热片与铜柱分别暴露在QFN/LGA封装后的底部和顶部。
[0015]可选的，在S20步骤中，所述内核采用环氧树脂与散热片贴合。
[0016]可选的，在S30步骤中，所述内核采用金线键合方式与铜柱电连接。
[0017]可选的，在S50步骤中，抛光后，对铜柱位于QFN/LGA的封装后顶部的暴露进行电镀，形成电镀层。
[0018]可选的，在S10步骤中，所述铜柱设有轴向通孔；在布置铜柱时，以定位模具的定位针插入铜柱的轴向通孔中进行定位；在S40步骤中，封装后，将定位模具的定位针抽离。
[0019]本专利技术exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法，为了实现将散热片区域节省下来，使PCB板小型化和集成化程度更高，让PCB板的位置可以得到充分利用，设计采用了一种新的QFN/LGA的封装结构，通过铜柱将exposed lead从QFN/LGA封装顶部引出，然后将产品倒装贴在PCB板上，使得散热片位于封装品的顶部，即散热片与exposed lead不在同一面，这样既满足了产品的散热要求，又节省了PCB板上布线的位置，使PCB有空间设计更多的信号，在PCB板在大小不变的情况下可以实现更多的功能。制造时，先在QFN/LGA的散热片周边间隔布置铜柱，且铜柱向散热片外侧暴露面的相反方向延伸第一距离，该第一距离可以保障其从QFN/LGA封装后的顶部暴露出来，从而实现散热片与exposed lead不在同一面。
[0020]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0021]下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
[0022]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：
[0023]图1为本专利技术实施例中一种exposed lead从顶部引出的QFN的封装结构截面示意图；
[0024]图2为本专利技术实施例中一种exposed lead从顶部引出的LGA的封装结构截面示意图；
[0025]图3为本专利技术实施例中一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构的制造方法流程图；
[0026]图4为采用exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构的制造方法实施例流程中各步骤效果截面图；
[0027]图5为采用本专利技术的PCB板与QFN/LGA的封装结构配合部位布局设计平面示意图。
[0028]图中：1
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内核，2
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散热片，3
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铜柱，4
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铅表层，5
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环氧树脂，6
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金线，7
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塑封料，8
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电镀层，9
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铜柱焊点。
具体实施方式
[0029]以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0030]如图1和2所示，本专利技术实施例提供了一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构，包括由塑封料7封装为一体的内核1、散热片2和铜柱3，所述铜柱3与内核1电连接，所述散热片2位于QFN/LGA的封装后的底部且与内核1贴合，所述铜柱3由与内核电连接处延伸至QFN/LGA的封装后的顶部。
[0031]上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案采用了一种新的QFN/LGA的封装
结构，通过铜柱将exposed lead从QFN/LGA封装顶部引出，然后将产品倒装贴在PCB板上，使得散热片位于封装品的顶部，即散热片与exposed lead不在同一面，实现将散热片区域节省下来，让PCB板的位置可以得到充分利用；这样既满足了产品的散热要求，又节省了PCB板上布线的位置，使PCB有空间设计更多的信号，在PCB板在大小不变的情况下可以实现更多的功能；其中，铜柱上由内核电连接处即为铅表层4。
[0032]在一个实施例中，所述散热片2采用环氧树脂5与内核1贴合；所述铜柱3采用金线6键合方式与内核1电连接；所述铜柱3位于QFN/LGA的封装后顶部的暴露部分设有电镀层8。
[0033]上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案中以环氧树脂将内核贴合在散热片内侧，使得内核与散热片两者贴合更紧密、更稳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构，其特征在于，包括由塑封料封装为一体的内核、散热片和铜柱，所述铜柱与内核电连接，所述散热片位于QFN/LGA的封装后的底部且与内核贴合，所述铜柱由与内核电连接处延伸至QFN/LGA的封装后的顶部。2.根据权利要求1所述的exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构，其特征在于，所述散热片采用环氧树脂与内核贴合。3.根据权利要求1所述的exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构，其特征在于，所述铜柱采用金线键合方式与内核电连接。4.根据权利要求1所述的exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构，其特征在于，所述铜柱位于QFN/LGA的封装后顶部的暴露部分设有电镀层。5.根据权利要求1所述的exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构，其特征在于，所述铜柱设有轴向通孔。6.一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S10在QFN/LGA的散热片周边间隔布置铜柱，且铜柱向散热片外侧暴露面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，汪婷，张怡，梁大钟，王晓斌，熊丽萍，高爽，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：发明
国别省市：