分离装置和分离方法制造方法及图纸

一种分离装置，将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体，所述分离装置具有：第一保持部，其保持所述第一分离体；第二保持部，其保持所述第二分离体；移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及分离面清洗部，其至少对所述第一分离体的分离面或所述第二分离体的分离面进行清洗。第二分离体的分离面进行清洗。第二分离体的分离面进行清洗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】分离装置和分离方法


[0001]本公开涉及一种分离装置和分离方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种在第二晶圆上层叠有第一晶圆的层叠晶圆的加工方法。在该加工方法中，一边将激光束的聚光点定位在第一晶圆的内部并向该聚光点照射该激光束，一边使该第一晶圆相对于该聚光点沿水平方向相对地移动，来在该第一晶圆的内部形成改性面，之后以该改性面为边界来将该第一晶圆的一部分从该层叠晶圆分离。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
‑
32690号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开所涉及的技术将处理对象体适当地分离为第一分离体和第二分离体。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式是将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体的分离装置，所述分离装置具有：第一保持部，其保持所述第一分离体；第二保持部，其保持所述第二分离体；移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及分离面清洗部，其至少对所述第一分离体的分离面或所述第二分离体的分离面进行清洗。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够将处理对象体适当地分离为第一分离体和第二分离体。
附图说明
[0012]图1是示意性地表示本实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构的概要的俯视图。
[0013]图2是示意性地表示本实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构的概要的侧视图。
[0014]图3是表示重合晶圆的结构的概要的侧视图。
[0015]图4是表示重合晶圆的一部分的结构的概要的侧视图。
[0016]图5是表示分离装置的结构的概要的俯视图。
[0017]图6是表示分离处理部的结构的概要的俯视图。
[0018]图7是表示分离处理部的结构的概要的侧视图。
[0019]图8是表示分离处理部和搬送部的结构的概要的侧视图。
[0020]图9是表示晶圆处理的主要工序的流程图。
[0021]图10是晶圆处理的主要工序的说明图。
[0022]图11是表示将处理晶圆的器件层的外周部进行改性的情形的说明图。
[0023]图12是表示在处理晶圆形成周缘改性层的情形的说明图。
[0024]图13是表示在处理晶圆形成了周缘改性层的情形的说明图。
[0025]图14是表示在处理晶圆形成内部面改性层的情形的说明图。
[0026]图15是表示在处理晶圆形成内部面改性层的情形的说明图。
[0027]图16是分离处理的主要工序的说明图。
[0028]图17是表示第二保持部保持处理晶圆的情形的说明图。
[0029]图18是第二分离晶圆的搬出处理的主要工序的说明图。
[0030]图19是表示搬送部的搬送垫与晶圆搬送装置的搬送臂的位置关系的说明图。
[0031]图20是第一分离晶圆的搬出处理的主要工序的说明图。
[0032]图21是表示其它实施方式所涉及的分离面清洗部的结构的概要的侧视图。
[0033]图22是表示其它实施方式所涉及的分离面清洗部的结构的概要的侧视图。
[0034]图23是其它实施方式所涉及的第二分离晶圆的清洗处理的主要工序的说明图。
[0035]图24是其它实施方式所涉及的第一分离晶圆的清洗处理的主要工序的说明图。
[0036]图25是表示其它实施方式所涉及的分离装置的结构的概要的俯视图。
[0037]图26是表示其它实施方式所涉及的分离装置的结构的概要的俯视图。
具体实施方式
[0038]在半导体器件的制造工序中，针对在表面形成有多个器件的半导体晶圆(以下称作晶圆)进行使该晶圆薄化的处理。存在各种晶圆的薄化方法，例如有对晶圆的背面进行磨削加工的方法、如专利文献1所公开的那样向晶圆的内部照射激光束(激光)来形成改性面(改性层)并以该改性层为基点来分离晶圆的方法等。
[0039]在此，在如上述那样以改性层为基点来将晶圆分离的情况下，有时粉尘、碎片等附着于该晶圆的分离面。当在像这样附着了粉尘、碎片的状态下将晶圆搬送至下一工序的处理装置时，可能会发生搬送路径中的装置内的污染、搬送晶圆的搬送机构的污染、下一工序的处理装置内的污染等。然而，在专利文献1中，没有公开如何处理分离后的晶圆，也没有给出任何启示。因而，以往的晶圆的分离处理存在改进的余地。
[0040]本公开所涉及的技术适当地分离处理对象体。下面，参照附图来说明具备本实施方式所涉及的分离装置的晶圆处理系统和晶圆处理方法。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。
[0041]首先，说明本实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构。图1是示意性地表示晶圆处理系统1的结构的概要的俯视图。图2是示意性地表示晶圆处理系统1的结构的概要的侧视图。
[0042]在晶圆处理系统1中，对如图3和图4所示那样将作为处理对象体的处理晶圆W与支承晶圆S接合而成的重合晶圆T进行处理。而且，在晶圆处理系统1中，去除处理晶圆W的周缘部We，并使该处理晶圆W薄化。下面，将处理晶圆W中的与支承晶圆S接合的面称作表面Wa，将与表面Wa相反一侧的面称作背面Wb。同样地，将支承晶圆S中的与处理晶圆W接合的面称作表面Sa，将与表面Sa相反一侧的面称作背面Sb。
[0043]处理晶圆W例如为硅基板等半导体晶圆，在表面Wa形成有包括多个器件的器件层D。另外，在器件层D还形成有氧化Fw、例如SiO2膜(TEOS膜)。此外，处理晶圆W的周缘部We被进行了倒角加工，周缘部We的截面的厚度随着去向周缘部We的前端而变小。另外，周缘部We
为在边缘修剪中被去除的部分，例如为自处理晶圆W的外端部起的径向上的1mm～5mm的范围。边缘修剪为用于防止在如后述那样将处理晶圆W分离之后处理晶圆W的周缘部We成为尖锐的形状(所谓的刀刃形状)的处理。
[0044]此外，在本实施方式的晶圆处理系统1中，将重合晶圆T中的处理晶圆W分离。在以下的说明中，将分离后的表面Wa侧的处理晶圆W称作作为第一分离体的第一分离晶圆W1，将分离后的背面Wb侧的处理晶圆W称作作为第二分离体的第二分离晶圆W2。第一分离晶圆W1具有器件层D并被产品化。第二分离晶圆W2被再利用。在以下的说明中，有时第一分离晶圆W1表示被支承于支承晶圆S的状态的处理晶圆W，并且包括支承晶圆S在内地称作第一分离晶圆W1。另外，将第一分离晶圆W1中的被分离的表面称作分离面W1a，将第二分离晶圆W2中的被分离的表面称作分离面W2a。
[0045]支承晶圆S为支承处理晶圆W的晶圆，例如为硅晶圆。在支承晶圆S的表面Sa形成有氧化膜Fs、例如SiO2膜(TEOS膜)。此外，在支承晶圆S的表面Sa形成有多个器件的情况下，与处理晶圆W同样地在表面Sa形成器件层(未图示)。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种分离装置，将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体，所述分离装置具有：第一保持部，其保持所述第一分离体；第二保持部，其保持所述第二分离体；移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及分离面清洗部，其至少对所述第一分离体的分离面或所述第二分离体的分离面进行清洗。2.根据权利要求1所述的分离装置，其特征在于，还具有搬送部，所述搬送部保持并搬送所述第一分离体或所述第二分离体，所述分离面清洗部具有清洗机构，所述清洗机构对被保持于所述搬送部的所述第一分离体的分离面或所述第二分离体的分离面进行清洗。3.根据权利要求1所述的分离装置，其特征在于，还具有搬送部，所述搬送部保持并搬送所述第一分离体或所述第二分离体，所述分离面清洗部具有局部清洗构件，所述局部清洗构件对所述搬送部所保持的所述第一分离体的保持部分或所述第二分离体的保持部分进行清洗。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的分离装置，其特征在于，还具有：搬送部，其具备对所述第一分离体或所述第二分离体进行吸附保持的搬送垫，所述搬送部用于搬送所述第一分离体或所述第二分离体；以及垫清洗部，其对所述搬送垫进行清洗。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的分离装置，其特征在于，所述分离面清洗部具有清洗喷嘴，所述清洗喷嘴向被保持于所述第一保持部的所述第一分离体与被保持于所述第二保持部的所述第二分离体之间供给清洗流体。6.根据权利要求5所述的分离装置，其特征在于，所述分离面清洗部具有吸引喷嘴，所述吸引喷嘴吸引从所述清洗喷嘴供给的所述清洗流体。7.根据权利要求5或6所述的分离装置，其特征在于，所述分离面清洗部具有杯，所述杯以包围所述第一保持部和所述第二保持部的外侧的方式设置，所述杯用于回收从所述清洗喷嘴供给的所述清洗流体。8.根据权利要求1至4中的任一项所述的分离装置，其特征在于，所述分离面清洗部具有其它吸引喷嘴，所述其它吸引喷嘴对被保持于所述第一保持部的所述第一分离体与被保持于所述第二保持部的所述第二分离体之间进行吸引。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的分离装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：山胁阳平，中野征二，川口义广，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：