半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，其能够抑制短路。该半导体装置包括：引线框，其包括第一主面以及与上述第一主面相反一侧的第二主面，并且在上述第一主面包括凹部；中继基板，其包括第三主面以及与上述第三主面相反一侧的第四主面，该中继基板以使上述第四主面与上述凹部的底面相对的方式配置于上述凹部内；第一半导体芯片，其设于上述第三主面之上；第一导电材料，其将上述引线框和上述中继基板连接；以及第二导电材料，其将上述中继基板和上述第一半导体芯片连接，上述第二主面和上述第三主面之间的第二距离为上述第二主面和上述第一主面之间的第一距离以下。述第一主面之间的第一距离以下。述第一主面之间的第一距离以下。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]提出有在芯片焊盘(die pad)之上设置半导体元件搭载基板，并且在半导体元件搭载基板之上搭载半导体元件的引线框(专利文献1)。
[0003]<现有技术文献>
[0004]<专利文献>
[0005]专利文献1：(日本)特开平5
‑
21480号公报

技术实现思路

[0006]<本专利技术要解决的问题>
[0007]在使用以往的引线框制造的半导体装置中，有时在内部产生短路。
[0008]本专利技术的目的在于，提供一种能够抑制短路的半导体装置及其制造方法。
[0009]<用于解决问题的手段>
[0010]根据本专利技术的一个方式，提供一种半导体装置，包括：引线框，其包括第一主面以及与上述第一主面相反一侧的第二主面，并且在上述第一主面包括凹部；中继基板，其包括第三主面以及与上述第三主面相反一侧的第四主面，该中继基板以使上述第四主面与上述凹部的底面相对的方式配置于上述凹部内；第一半导体芯片，其设于上述第三主面之上；第一导电材料，其将上述引线框和上述中继基板连接；以及第二导电材料，其将上述中继基板和上述第一半导体芯片连接，上述第二主面和上述第三主面之间的第二距离为上述第二主面和上述第一主面之间的第一距离以下。
[0011]<专利技术的效果>
[0012]根据公开的技术，能够抑制短路。
附图说明
[0013]图1是示出第一实施方式的半导体装置的示意图。
[0014]图2是示出第一实施方式的半导体装置的剖视图。
[0015]图3是示出中继基板的例子的剖视图。
[0016]图4是示出引线框集合体的布局的图。
[0017]图5是示出第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其一)。
[0018]图6是示出第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其二)。
[0019]图7是示出第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其三)。
[0020]图8是示出第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其四)。
[0021]图9是示出第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其五)。
[0022]图10是示出第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其六)。
[0023]图11是示出第二例的中继基板的形成方法的剖视图。
[0024]图12是示出第二实施方式的半导体装置的示意图。
[0025]图13是示出第二实施方式的半导体装置的剖视图。
[0026]图14是示出第三实施方式的半导体装置的剖视图。
[0027]附图标记的说明：
[0028]1、2、3半导体装置
[0029]10引线框
[0030]10A上表面(第一主面)
[0031]10B下表面(第二主面)
[0032]11凹部
[0033]11A底面
[0034]16芯片焊盘
[0035]17引线
[0036]20、201、202中继基板
[0037]20A上表面(第三主面)
[0038]20B下表面(第四主面)
[0039]30、40半导体芯片
[0040]51、52、53、54接合线
具体实施方式
[0041]本申请专利技术人为了探明在以往的半导体装置中在内部产生短路的原因而进行了仔细研究。其结果，发现将引线框和半导体元件连接的一部分的接合线在树脂密封时因密封树脂的压力而移动，从而与另一接合线接触。另外，还发现通过将接合线设定为较短，难以产生这样的接合线的移动。
[0042]以下，参照附上的附图对实施方式进行具体说明。另外，在本说明书以及附图中，对于实质上具有相同的功能构成的构成要素，有时通过付与相同的附图标记而省略重复的说明。另外，在本专利技术中，将X1
‑
X2方向、Y1
‑
Y2方向、Z1
‑
Z2方向设定为彼此正交的方向。将包括X1
‑
X2方向以及Y1
‑
Y2方向的面记载为XY面，将包括Y1
‑
Y2方向以及Z1
‑
Z2方向的面记载为YZ面，将包括Z1
‑
Z2方向以及X1
‑
X2方向的面记载为ZX面。另外，为了方便，将Z1
‑
Z2方向设定为上下方向。另外，俯视是指，自Z1侧观察对象物。但是，半导体装置以及引线框可以在上下颠倒的状态下使用，或者以任意的角度进行配置。
[0043](第一实施方式)
[0044]首先，对第一实施方式进行说明。第一实施方式涉及半导体装置。
[0045][半导体装置的构造][0046]首先，对半导体装置的构造进行说明。图1是示出第一实施方式的半导体装置的示意图。图2是示出第一实施方式的半导体装置的剖视图。图2是图1中的沿II
‑
II线的剖视图。
[0047]如图1以及图2所示，第一实施方式的半导体装置1具有引线框10、中继基板20、第一半导体芯片30、以及第二半导体芯片40。另外，在图1中，透过树脂部70图示出了引线框10、中继基板20、第一半导体芯片30以及第二半导体芯片40等。
[0048]引线框10包括上表面10A、以及与上表面10A相反一侧的下表面10B。在俯视中，引线框10具有俯视形状为矩形的芯片焊盘16、以及配置于芯片焊盘16的周围的多个引线17。例如，引线17的俯视形状为矩形，引线17为立方体状。芯片焊盘16的下表面和引线17的下表面平齐。芯片焊盘16的下表面以及引线17的下表面构成引线框10的下表面10B。另外，在芯片焊盘16的上表面形成有凹部11。芯片焊盘16的上表面中未形成凹部的部分的上表面和引线17的上表面平齐，芯片焊盘16的上表面中未形成凹部的部分的上表面以及引线17的上表面构成引线框10的上表面10A。在引线17的上表面形成金属膜13，在芯片焊盘16的上表面且在凹部11的周围形成有金属膜14。在芯片焊盘16以及引线17的下表面形成有金属膜15。在图1中，省略了金属膜13以及14的图示。
[0049]作为引线框10的材料，可以使用例如铜(Cu)、以Cu为基础的合金、铁
‑
镍(Fe
‑
Ni)、以Fe
‑
Ni为基础的合金、或者不锈钢等。作为金属膜13、14以及15，可以使用例如Ag膜、Au膜、Ni/Au膜(自引线框10侧依次层叠Ni膜和Au膜的金属膜)、Ni/Pd/Au膜(自引线框10侧依次层叠Ni膜、Pd膜以及Au膜的金属膜)等。例如，引线框10的未形成有凹部11的部分的厚度为150μm～300μm，凹部11的深本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具有：引线框，其包括第一主面以及与上述第一主面相反一侧的第二主面，并且在上述第一主面包括凹部；中继基板，其包括第三主面以及与上述第三主面相反一侧的第四主面，该中继基板以使上述第四主面与上述凹部的底面相对的方式配置于上述凹部内；第一半导体芯片，其设于上述第三主面之上；第一导电材料，其将上述引线框和上述中继基板连接；以及第二导电材料，其将上述中继基板和上述第一半导体芯片连接，上述第二主面和上述第三主面之间的第二距离为上述第二主面和上述第一主面之间的第一距离以下。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述第一导电材料为接合线，上述第二导电材料为接合线或导电凸块。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，还具有：第二半导体芯片，其设于上述第三主面的上方；以及第三导电材料，其将上述中继基板和上述第二半导体芯片连接。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，上述第三导电材料为接合线。5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中，还具有：第四导电材料，其将上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部敏幸，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：