基片处理装置和基片运送方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够抑制设置于开口部的构造物的劣化的基片处理装置和基片运送方法。基片处理装置包括：具有供基片通过的内部空间的基片送入送出模块，在将基片送出到被控制成与大气压相比为正压的外部空间时，该内部空间被控制为大气压环境；开口部，其设置在该基片送入送出模块，将内部空间与外部空间连通；闸门，其设置在开口部，具有运送空间；从外部空间侧向开口部的缘部喷出吹扫气体的喷出部；和经由与开口部不同的路径对运送空间进行排气的排气口。口。口。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片运送方法


[0001]本专利技术涉及基片处理装置和基片运送方法。

技术介绍

[0002]在基片处理装置中，在基片送出时等供基片通过的开口部，设置有闸门等的构造物(例如参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
‑
220588号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供抑制设置于开口部的构造物的劣化的技术。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的基片处理装置包括：具有供基片通过的内部空间的基片送入送出模块，在将基片送出到被控制成与大气压相比为正压的外部空间时，该内部空间被控制为大气压环境；设置在该基片送入送出模块，将内部空间与外部空间连通的开口部；设置在开口部，具有运送空间的闸门；从外部空间侧向开口部的缘部喷出吹扫气体的喷出部；和经由与开口部不同的路径对运送空间进行排气的排气口。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，能够抑制设置于开口部的构造物的劣化。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的基片处理装置1的概要结构的例子的图。
[0013]图2是表示负载锁定室4的概要结构的例子的图。
[0014]图3是表示负载锁定室4和闸门5的概要结构的例子的图。
[0015]图4是表示负载锁定室4和闸门5的概要结构的例子的图。
[0016]图5是示意地表示基片G、闸门5和负载锁定室4的概要结构的图。
[0017]图6是表示负载锁定面板6的概要结构的例子的图。
[0018]图7是表示负载锁定面板6的概要结构的例子的图。
[0019]图8是示意地表示被喷出的吹扫气体的流动的图。
[0020]图9是示意地表示被喷出的吹扫气体的流动的图。
[0021]图10是表示喷嘴61的概要结构的例子的图。
[0022]图11是从负载锁定室4侧观察负载锁定面板6的图。
[0023]图12是示意地表示被排气的气体的流动的图。
[0024]图13是示意地表示被排气的气体的流动的图。
[0025]图14是示意地表示被排气的气体的流动的图。
[0026]图15是示意地表示被排气的气体的流动的图。
[0027]图16是示意地表示被排气的气体的流动的图。
[0028]图17是示意地表示被排气的气体的流动的图。
[0029]图18是表示在基片处理装置1中执行的处理(基片运送方法)的例子的流程图。
[0030]图19是表示负载锁定室4、闸门5、喷嘴61和排气管64A的概要结构的例子的图。
[0031]附图标记说明
[0032]1基片处理装置
[0033]2处理腔室
[0034]3运送室
[0035]4负载锁定室
[0036]5闸门
[0037]6负载锁定面板
[0038]7控制部
[0039]8装载机
[0040]42开口部
[0041]51U门盖
[0042]51L门盖
[0043]55导轨
[0044]61喷嘴(喷出部)
[0045]421U缘部
[0046]421L缘部
[0047]422U缘部
[0048]422L缘部
[0049]641U排气口
[0050]642U排气口
[0051]643U排气口
[0052]644U排气口
[0053]645U排气口
[0054]646U排气口
[0055]641L排气口
[0056]642L排气口
[0057]643L排气口
[0058]644L排气口
[0059]645L排气口
[0060]646L排气口。
具体实施方式
[0061]以下，参照附图，对本专利技术公开的基片处理装置和基片运送方法的实施方式进行
说明。此外，公开的基片处理装置和基片运送方法并不由本实施方式限定。
[0062]在基片处理装置中，在将已处理的基片送出到外部时，存在附着于基片的处理气体附着在设置于送出基片的开口部的构造物而发生腐蚀等构造物劣化的可能性。因此，人们期望抑制设置于送出基片的开口部的构造物的劣化的技术。
[0063]图1是表示实施方式的基片处理装置1的概要结构的例子的图。在图中，示出XYZ坐标系。X轴方向和Y轴方向各自对应将处于送出基片的开口部的一侧作为正面时的基片处理装置的左右方向和前后方向。Z轴方向对应水平配置的基片处理装置的上下方向(高度方向)，即铅垂方向。
[0064]基片处理装置1包括处理腔室2、运送室3、负载锁定室4、闸门5、负载锁定面板6和控制部7。此外，在图1中，负载锁定面板6以从闸门5被取下的状态进行图示。控制部7由功能模块图示。基片处理装置1的负载锁定室4能够在与运送室3相反一侧与装载机8连结。装载机8可以不为基片处理装置1的构成要素，也可以为基片处理装置1的构成要素。
[0065]在基片处理装置1中，处理腔室2、运送室3和负载锁定室4分别具有收纳基片等的内部空间。相邻内部空间彼此经由开口部连通。在开口部设置有开闭用的构造物。开闭用构造物的例子为闸门，其中之一图示为闸门5。通过关闭开口部使内部空间为气密状态，能够将各内部空间控制为彼此不同的气压环境。可控制的气压环境的例子为大气压环境和减压环境。减压环境为压力比大气压环境低的环境(例如，真空压环境)。
[0066]以下，依次说明基片处理装置1的构成要素。此外，作为基片处理装置1的处理对象的基片，在后述的图5中图示为基片G，下文中称为基片G。
[0067]处理腔室2是进行基片G的处理的部分(模块)。处理腔室2以能够对基片G实施处理的多个处理腔室21～处理腔室23例示。在处理腔室21～处理腔室23中对基片G实施的处理可以为相同的处理，也可以为不同的处理。基片G的例子为FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用的玻璃基片。FPD的例子为液晶显示器、有机EL显示器等。基片G的其他例子为由聚酰亚胺等合成树脂形成的可弯曲的材料构成的片或膜。基片处理的例子为等离子体处理。等离子体处理的例子为蚀刻处理、灰化处理、成膜处理等等离子体处理。在基片处理中，能够使用各种处理气体。处理气体的例子为含有氯原子的氯系气体和含有氟原子的氟系气体。这样的处理气体例如对基片处理装置1的一部分构成要素可能为腐蚀性气体。尤其是，与含有水分的大气混合时，其腐蚀性变得更显著。
[0068]运送室3是在处理腔室2与负载锁定室4之间运送基片G的部分(模块)。基片G例如能够由真空机器人运送。虽然未图示，但是，运送室3具有2层结构的运送机器人，能够进行基片运送，即将已处理的基片G从处理腔室2送出并保持，并且将未处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：具有供基片通过的内部空间的基片送入送出模块，在将所述基片送出到被控制成与大气压相比为正压的外部空间时，所述内部空间被控制为大气压环境；开口部，其设置在该基片送入送出模块，将所述内部空间与所述外部空间连通；对所述开口部设置的闸门，其具有运送空间；从所述外部空间侧向所述开口部的缘部喷出吹扫气体的喷出部；和经由与所述开口部不同的路径对所述运送空间进行排气的排气口。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述排气口沿着所述开口部的缘部设置多个。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述排气口具有与开口部的开口中心轴方向交叉的中心轴方向。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述排气口包含设置于所述运送空间的下方的排气口。5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述内部空间包含上侧内部空间和下侧内部空间，所述运送空间包含与所述上侧内部空间连通的上侧运送空间和与所述下侧内部空间连通的下侧运送空间，所述排气口设置在所述上侧运送空间和所述下侧运送空间中的每一者。6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：三枝直也，田边广太，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：