电子装置及其固态硬盘的温度控制方法制造方法及图纸

一种电子装置及其固态硬盘的温度控制方法。固态硬盘的温度控制方法包括以下步骤：通过电子装置的一中央处理器以一第一频率发出多个第一指令。通过固态硬盘的一控制器接收此些第一指令，并依据此些第一指令回传固态硬盘的多个当前温度至中央处理器。通过中央处理器依据此些当前温度决定以一第一阶段、一第二阶段或一第三阶段对该固态硬盘降温，并依据该第一阶段、该第二阶段或该第三阶段发出一第二指令设定该固态硬盘的一电源状态。令设定该固态硬盘的一电源状态。令设定该固态硬盘的一电源状态。

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其固态硬盘的温度控制方法


[0001]本专利技术是有关于一种电子装置及其温度控制方法，且特别是有关于一种电子装置及其固态硬盘的温度控制方法。

技术介绍

[0002]NVMe固态硬盘已成为市场主流，固态硬盘具有高效能但同时也产生一些过热的问题。目前在固态硬盘中已有温控调频(Thermal Throttling)机制，通过主机控制热管理(HCTM)的两个温度参数来使固态硬盘降温。但是主机控制热管理的两个温度参数为厂商预设值(Default)，而各家厂商的厂商预设值(例如82℃及84℃)通常比固态硬盘的安全温度(通常约为70℃)还高。也就是说当固态硬盘的温度超过安全温度时，才会根据主机控制热管理的两个温度参数使固态硬盘进行降温。换句话说，各家厂商的厂商预设值仅适用于某些使用情境，例如短时间内的固态硬盘存取。若固态硬盘长时间处在运作状态，还是会造成固态硬盘的温度一直处在安全温度的上。
[0003]另外，虽然目前在NVMe规范中，系统可通过设定功能(Set Feature)指令将主机控制热管理的两个温度参数设定成低于厂商预设值。但仅通过系统设定主机控制热管理的两个温度参数对固态硬盘降温进行降温的方式无法适用于某些使用情境，例如长时间内的固态硬盘存取或固态硬盘在高于室温(例如40℃)的环境中使用
…
等，此些使用情境仍会造成固态硬盘的温度一直处在安全温度的上。如此，对于固态硬盘的寿命与其储存的资料将会造成严重的威胁。
[0004]因此，如何改善上述缺点，提供一个更有效率的温度控制方法，已成为业界努力的方向。

技术实现思路

[0005]本专利技术是有关于一种电子装置及其固态硬盘的温度控制方法，其设置三个阶段的降温，可依据不同的阶段有源设定固态硬盘的电源状态(power state)来有效的对固态硬盘进行降温。
[0006]根据本专利技术的第一方面，提出一种固态硬盘的温度控制方法。固态硬盘的温度控制方法包括以下步骤：通过电子装置的一中央处理器以一第一频率发出多个第一指令。通过固态硬盘的一控制器接收此些第一指令，并依据此些第一指令回传固态硬盘的多个当前温度至中央处理器。通过中央处理器依据此些当前温度决定以一第一阶段、一第二阶段或一第三阶段对该固态硬盘降温，并依据该第一阶段、该第二阶段或该第三阶段发出一第二指令设定该固态硬盘的一电源状态。
[0007]根据本专利技术的第二方面，提出一种电子装置。电子装置包括一中央处理器及一固态硬盘。固态硬盘包括一控制器。中央处理器用以以一第一频率发出多个第一指令。控制器用以接收该多个第一指令，并依据该多个第一指令回传该固态硬盘的多个当前温度至该中央处理器。该中央处理器依据该多个当前温度决定以一第一阶段、一第二阶段或一第三阶
段对该固态硬盘降温，并依据该第一阶段、该第二阶段或该第三阶段发出一第二指令设定该固态硬盘的一电源状态。
[0008]为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：
【附图说明】
[0009]图1绘示根据本专利技术一实施例的电子装置的示意图。图2绘示根据本专利技术一实施例的具有固态硬盘的电子装置的示意图。图3绘示根据本专利技术一实施例的固态硬盘的温度控制方法的流程图。图4绘示根据本专利技术一实施例的步骤S130的子步骤的流程图。
【具体实施方式】
[0010]请参照图1，其绘示电子装置100的示意图。电子装置100包括一中央处理器110及一固态硬盘200。中央处理器110耦接固态硬盘200，可对固态硬盘200进行资料存取。电子装置100例如是一笔记型电脑、一桌上型电脑、一平板电脑、一智慧型手机或多媒体装置。中央处理器110例如是一单核心或多核心的处理器、特殊用途的微处理器或特殊应用集成电路。
[0011]固态硬盘200包括一控制器210。固态硬盘200支援NVMe。控制器210例如是控制芯片、嵌入式控制器或特殊应用集成电路。控制器210可对中央处理器110发送的指令进行回应，以及设定固态硬盘200的电源状态(power state)。
[0012]表一为固态硬盘200的电源状态及效能的对应关系。电源状态包括五种电源状态PS0至PS4。每个电源状态PS0至PS4对应不同的效能。电源状态PS0至PS2为工作状态，PS3至PS4为睡眠状态。表一中所显示的电源状态及效能的对应关系为一范例，可依照不同的固态硬盘厂商而具有不同的设置。但一般来说，可以确定的是电源状态PS0至PS4的效能依序越来越低。电源状态效能PS0100％PS150％PS210％PS3极小PS4极小表一
[0013]在NVMe规范中，正常使用状况下，固态硬盘200的电源状态为PS0。当固态硬盘200的当前温度超过主机控制热管理(HCTM)的第一温度参数(TMT1)时，会进行第一次降温，此时控制器210将固态硬盘200的电源状态设定为PS1，以减少固态硬盘200的效能，以进行降温。当固态硬盘200的当前温度超过主机控制热管理的第二温度参数(TMT2)时，会进行第二次降温，此时控制器210将固态硬盘200的电源状态设定为PS2，以再次减少固态硬盘200的效能，以进行降温。而当固态硬盘200的当前温度回到第一温度参数的下时，此时控制器210将固态硬盘200的电源状态设定回PS0。换句话说，对于固态硬盘200的电源状态设定是被动的。然而，这并无法应付固态硬盘200的各种使用情境。
[0014]有鉴于此，本专利技术提供一种固态硬盘的温度控制方法，可改善前述缺点。
[0015]请参照图2及图3。图2绘示根据一实施例的具有固态硬盘400的电子装置300的示意图。图3绘示根据本专利技术一实施例的固态硬盘400的温度控制方法的流程图。图2的元件与图1的元件类似，在此不多赘述。图2与图1的不同的处在于，中央处理器310可发送第一指令CMD1及第二指令CMD2至固态硬盘400，以周期性地监控固态硬盘400的当前温度并使控制器410设定固态硬盘400的电源状态。
[0016]在步骤S110中，中央处理器310以一第一频率发出多个第一指令CMD1至固态硬盘400，用以询问固态硬盘400的当前温度。在一实施例中，第一频率例如为每5分钟发出一次第一指令CMD1，以询问固态硬盘400的当前温度。值得注意的是，发出第一指令CMD1的频率不以此为限，可依照不同使用情境而有不同设计，例如中央处理器310可每3分钟发出一次第一指令CMD1或每6分钟发出一次第一指令CMD1。
[0017]在步骤S120中，固态硬盘400的控制器410接收第一指令CMD1，并依据第一指令CMD1回传固态硬盘400的多个当前温度至中央处理器310。更进一步来说，由于中央处理器310以第一频率依序发出多个第一指令CMD1，因此控制器410实质上也以第一频率依据第一指令CMD1依序回传固态硬盘400的多个当前温度至中央处理器310。
[0018]在步骤S130中，中央处理器310依据此些当前温度决定以一第一阶段、一第二阶段或一第三阶段本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种固态硬盘的温度控制方法，适用于具有固态硬盘的一电子装置，其特征在于，该温度控制方法包括：通过该电子装置的一中央处理器以一第一频率发出多个第一指令；通过该固态硬盘的一控制器接收该多个第一指令，并依据该多个第一指令回传该固态硬盘的多个当前温度至该中央处理器；以及通过该中央处理器依据该多个当前温度决定以一第一阶段、一第二阶段或一第三阶段对该固态硬盘降温，并依据该第一阶段、该第二阶段或该第三阶段发出一第二指令设定该固态硬盘的一电源状态(power state)。2.如权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，通过该中央处理器依据该多个当前温度决定以该第一阶段、该第二阶段或该第三阶段对该固态硬盘降温的步骤中包括：计算该多个当前温度中连续超过一安全温度的该多个当前温度的一数量；将该数量与一门槛值比较；当该数量未达到该门槛值时，则决定以该第一阶段对该固态硬盘降温；当该数量等于该门槛值时，则决定以该第二阶段对该固态硬盘降温；以及当该数量超过该门槛值时，则决定以该第三阶段对该固态硬盘降温。3.如权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，依据该第一阶段、该第二阶段或该第三阶段发出该第二指令设定该固态硬盘的该电源状态的步骤中包括：当决定以该第一阶段对该固态硬盘降温时，判断该固态硬盘是否闲置超过一时间；以及当该固态硬盘闲置超过该时间时，通过该中央处理器发出该第二指令设定该固态硬盘的该电源状态为一电源状态PS1。4.如权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，依据该第一阶段、该第二阶段或该第三阶段发出该第二指令设定该固态硬盘的该电源状态的步骤中包括：当决定以该第二阶段对该固态硬盘降温时，该中央处理器发出该第二指令设定该固态硬盘的该电源状态为一电源状态PS1，并设定一主机控制热管理的一第一温度参数及一第二温度参数。5.如权利要求4所述的温度控制方法，其特征在于，该第一温度参数及该第二温度参数低于一厂商预设值。6.如权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯冠宇，傅子瑜，
申请(专利权)人：宏碁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：