对准图形制造技术

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种对准图形，包括：透光区域；第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域。相对于传统的对准图形，本申请通过设置第一不透光区域的面积大于透光区域的面积，以增加对准图形中不透光区域的面积，减少芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。图像质量的情况。图像质量的情况。

【技术实现步骤摘要】
对准图形


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种对准图形。

技术介绍

[0002]由于半导体器件已进入纳米技术工艺节点，以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本，这对多层图案化工艺提出了更高的要求。例如，在不同层上分别设置图案化的小器件要求各层之间的对准(overlay)精准，要求相邻层之间的对准误差(overlay error)达到预设的范围，且对准误差直接影响制成的晶圆的产品质量，甚至影响制成半导体器件的良品率。
[0003]然而，传统的各种对准图形在实际应用的过程中总是难以达到预期的要求。一方面，为了减小晶圆表面的切割道(Scribe line)的宽度，对准图形需要交错地分布于晶圆的表面，在相邻的曝光场同时曝光的情况下会使得对准图形承受的曝光的强度较高，影响对准图形的图像质量，从而影响对准图形的对准效果。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的技术问题提供一种对准图形，能够减少芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
[0005]为了实现上述目的及其他目的，本申请提供了一种对准图形，包括：
[0006]透光区域；
[0007]第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；
[0008]其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域。
[0009]于上述实施例中的对准图形中，通过设置对准图形中的第一不透光区域与透光区域位于同一平面上，且所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域，并设置所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积。相对于传统的对准图形，本申请通过设置第一不透光区域的面积大于透光区域的面积，以增加对准图形中不透光区域的面积，减少芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
[0010]在其中一个实施例中，所述第一不透光区域包括：
[0011]第一子矩形区域，位于所述第一矩形区域的中部，任一所述第一子矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行；
[0012]多个间隔排布的第二子矩形区域，沿第一方向分布于所述第一子矩形区域的相对
的两侧；
[0013]多个间隔排布的第三子矩形区域，沿第二方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直；
[0014]其中，所述第二子矩形区域的延伸方向与所述第三子矩形区域的延伸方向平行。
[0015]于上述实施例中的对准图形中，通过设置所述第一不透光区域包括位于所述第一矩形区域的中部的第一子矩形区域，并设置任一所述第一子矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行，以便于通过所述第一子矩形区域实现对准；通过设置多个间隔排布的第二子矩形区域沿第一方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧，并设置多个间隔排布的第三子矩形区域沿第二方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第二子矩形区域的延伸方向与所述第三子矩形区域的延伸方向平行，在相对增加所述第一不透光区域的面积的情况下，便于通过所述第一子矩形区域、所述第二子矩形区域及所述第三子矩形区域实现精准对准。
[0016]在其中一个实施例中，各所述第二子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧；及/或
[0017]各所述第三子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧。
[0018]于上述实施例中的对准图形中，通过设置各所述第二子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧，及/或各所述第三子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧，在降低了对准图形设计的复杂度的同时，便于提高所述对准图形的对准精度。
[0019]在其中一个实施例中，位于所述第一子矩形区域同侧的各所述第二子矩形区域的宽度为0.05μm-0.25μm，且位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第二子矩形区域之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm；及/或
[0020]位于所述第一子矩形区域同侧的各所述第三子矩形区域的宽度为0.05μm-0.25μm；且位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第三子矩形区域之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm。
[0021]在其中一个实施例中，还包括：
[0022]第二不透光区域，环绕所述第一矩形区域设置，所述第二不透光区域在所述平面的正投影，与所述第一矩形区域在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形区域；
[0023]其中，任一所述第二矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行。
[0024]于上述实施例中的对准图形中，在所述第一矩形区域的外侧环绕设置第二不透光区域；设置所述第二不透光区域在所述平面的正投影，与所述第一矩形区域在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形区域，并设置任一所述第二矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行，在相对增加第二矩形区域中不透光区域的面积的情况下，便于通过所述对准图形实现精准地对准。
[0025]在其中一个实施例中，任一所述第二矩形区域的边与相邻的所述第一矩形区域的边之间的距离为0.15μm-0.25μm。
[0026]在其中一个实施例中，所述透光区域包括：
[0027]第一矩形透光区域，所述第一矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形区域的延伸方向平行；
[0028]第二矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域一侧，且与所述第一矩形透光区域具有间距，所述第二矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向相同；
[0029]第三矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间，所述第三矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向垂直，且所述第三矩形透光区域的长度小于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间的最小间距；
[0030]第四矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间，所述第四矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向垂直，且所述第四矩形透光区域与所述第三矩形透光区域之间的最小间距大于所述第一矩形透光区域的长度及所述第二矩形透光区域的长度。
[0031]于上述实施例中的对准图形中，通过设置所述透光区域包括第一矩形透光区域、第二矩形透光区域、第三矩形透光区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对准图形，其特征在于，包括：透光区域；第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域。2.根据权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一不透光区域包括：第一子矩形区域，位于所述第一矩形区域的中部，任一所述第一子矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行；多个间隔排布的第二子矩形区域，沿第一方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧；多个间隔排布的第三子矩形区域，沿第二方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直；其中，所述第二子矩形区域的延伸方向与所述第三子矩形区域的延伸方向平行。3.根据权利要求2所述的对准图形，其特征在于，各所述第二子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧；及/或各所述第三子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧。4.根据权利要求2或3所述的对准图形，其特征在于：位于所述第一子矩形区域同侧的各所述第二子矩形区域的宽度为0.05μm-0.25μm，且位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第二子矩形区域之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm；及/或位于所述第一子矩形区域同侧的各所述第三子矩形区域的宽度为0.05μm-0.25μm；且位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第三子矩形区域之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm。5.根据权利要求1-3任一项所述的对准图形，其特征在于，还包括：第二不透光区域，环绕所述第一矩形区域设置，所述第二不透光区域在所述平面的正投影，与所述第一矩形区域在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形区域；其中，任一所述第二矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行。6.根据权利要求5所述的对准...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪美里，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：