本实用新型专利技术提供了一种单相无刷电机驱动电路,包括:智能微处理器MCU电路,所述智能微处理器MCU电路通过四根导线分别连接MOS管Q1、Q2、Q4和Q5的栅极G;电机M1的一端绕组MA连接MOS管Q1和Q4连接点,所述电机M1的另一端绕组MB连接MOS管Q2和Q5的连接点;电源的正极BAT连接MOS管Q2的源极S,所述电源的负极接地GND;MOS管Q1的漏极D与所述MOS管Q4的漏极D串联在一起,所述MOS管Q1和Q2的源极S分别连接MOS管Q2和Q5的源极S;MOS管Q5的源极S连接电阻R;电阻R1的一端接地GND。阻R1的一端接地GND。阻R1的一端接地GND。
【技术实现步骤摘要】
一种单相无刷电机驱动电路
[0001]本技术涉及无刷电机驱动相关
,具体涉及一种单相无刷电机驱动电路。
技术介绍
[0002]目前电子产品通常会在内部设置风扇进行散热,散热风扇分为有刷电机风扇和无刷电机风扇,随着电子技术的不断发展,电子产品内部的元器件不断增多,产品的体积不断缩小,然而有刷电机的功率受体积影响,体积越小则功率越小,且有刷电机在使用过程中会产生磨损,一般2
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3个月需更换一个,否则会影响散热效率,因此无刷电机风扇开始兴起。
[0003]在现有技术中,直流无刷电机的驱动电路主要由电机动力驱动系统和人机交互的操作控制等电子电路单元构成,但是现有技术中的直流电机调速方式通常是调压调速,需要根据不同的转速要求,为各个开关管提供不同电压,不仅响应慢、精度差,而且调速结构复杂。
技术实现思路
[0004]为克服现有技术所存在的缺陷,现提供一种单相无刷电机驱动电路,以解决现有技术中的直流电机调速方式通常是调压调速,需要根据不同的转速要求,为各个开关管提供不同电压,不仅响应慢、精度差,而且调速结构复杂的问题。
[0005]为实现上述目的,提供一种单相无刷电机驱动电路,包括:
[0006]智能微处理器MCU电路,所述智能微处理器MCU电路通过四根导线分别连接MOS管Q1、Q2、Q4和Q5的栅极G;
[0007]电机M1,所述电机M1的一端绕组MA连接MOS管Q1和Q4连接点,所述电机M1的另一端绕组MB连接MOS管Q2和Q5的连接点;
[0008]电源,所述电源的正极BAT连接MOS管Q2的源极S,所述电源的负极接地GND;
[0009]MOS管Q1,所述MOS管Q1的漏极D与所述MOS管Q4的漏极D串联在一起,所述MOS管Q1和Q2的源极S分别连接MOS管Q2和Q5的源极S;
[0010]MOS管Q5,所述MOS管Q5的源极S连接电阻R1,所述MOS管Q5的漏极 D与所述MOS管Q2的漏极D串联在一起;
[0011]电阻R1,所述电阻R1的一端接地GND。
[0012]进一步的,所述MOS管Q1、Q2、Q4和Q5共同构成H桥电路,串联的MOS 管Q1和MOS管Q4与串联的MOS管Q2和MOS管Q5相互并联。
[0013]进一步的,所述智能微处理器MCU电路包括驱动控制芯片IC3及其外围电路。
[0014]进一步的,所述驱动控制芯片IC3的1脚连接转压电路的输出端正极5V,驱动控制芯片IC3的8脚接地GND,且驱动控制芯片IC3的1脚和8脚之间连接有电容C2。
[0015]进一步的,所述驱动控制芯片IC3的2脚和3脚分别连接MOS管IC1和 MOS管IC2,驱动控制芯片IC3的6脚和5脚分别连接电阻R4和电阻R9。
[0016]进一步的,所述驱动控制芯片IC3的7脚外接PWM信号,驱动控制芯片 IC3的4脚连接电机M1的霍尔。
[0017]进一步的,所述转压电路的输入端连接直流电源DC,直流电源DC的正极为24V,直流电源DC的正极连接二极管VD1,二极管VD1的另一端连接功率电源正极VCC,功率电源正极VCC与地GND之间连接有电解电容E1。
[0018]本技术的有益效果在于,本技术的单相无刷电机驱动电路利用智能微处理器MCU电路控制H桥电路中的两路MOS管,实现驱动电机M1运行,智能微处理器MCU电路外接PWM信号,通过改变PWM信号频率来调节直流无刷电机的转速,提升了电机驱动系统的精度,利用电阻R1做采样电阻,采集电机M1的工作电流,便于检测电路正常工作情况,利用二极管VD1防止电源接反,避免突然断电产生的反向电压倒灌,从而实现保护电路的功能。
附图说明
[0019]图1为本技术实施例的电路示意图;
[0020]图2为本技术实施例的电路原理图。
具体实施方式
[0021]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0022]参照图1至图2所示,本技术提供了一种单相无刷电机驱动电路,包括:智能微处理器MCU电路、电机M1、电源、MOS管Q1、MOS管Q5和电阻 R1。
[0023]具体的,智能微处理器MCU电路,智能微处理器MCU电路通过四根导线分别连接MOS管Q1、Q2、Q4和Q5的栅极G;
[0024]电机M1,电机M1的一端绕组MA连接MOS管Q1和Q4连接点,电机M1的另一端绕组MB连接MOS管Q2和Q5的连接点;
[0025]电源,电源的正极BAT连接MOS管Q2的源极S,电源的负极接地GND;
[0026]MOS管Q1,MOS管Q1的漏极D与MOS管Q4的漏极D串联在一起,MOS 管Q1和Q2的源极S分别连接MOS管Q2和Q5的源极S;
[0027]MOS管Q5,MOS管Q5的源极S连接电阻R1,MOS管Q5的漏极D与MOS管 Q2的漏极D串联在一起;
[0028]电阻R1,电阻R1的一端接地GND。
[0029]在使用该单相无刷电机驱动电路时,智能微处理器MCU电路控制MOS管 Q1和Q5导通,MOS管Q2和Q4关闭,使电流由电机M1的绕组MA流向绕组MB,电机M1顺时针转动,智能微处理器MCU电路控制MOS管Q1和Q5关闭,MOS 管Q2和Q4导通,使电流由电机M1的绕组MB流向绕组MA,电机M1逆时针转动,驱动控制芯片IC3的7脚外接PWM信号,当PWM信号为低电平时,电机 M1停止工作,当PWM信号为高电平时,电机全速工作,PWM信号为100Hz
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10KHz 频率信号时,电机M1的转速随PWM信号占空比线性增大,当电机M1发生堵转时,驱动控制芯片IC3停止输出3秒后重新启动,若多次启动电机M1都处于堵转状态,则关闭输出,进入锁定状态,直到
重新下电再上电解除此状态。
[0030]在本实施例中,如图1所示,MOS管Q1、Q2、Q4和Q5共同构成H桥电路,串联的MOS管Q1和MOS管Q4与串联的MOS管Q2和MOS管Q5相互并联,电机M1设置在H桥电路的横向连接线上,当MOS管Q1和Q5导通,MOS管Q2和 Q4关闭,电机M1左端电压高于电机M1右端电压,电机M1顺时针转动;当 MOS管Q2和Q4导通,MOS管Q1和Q5关闭,电机M1右端电压高于电机M1左端电压,电机M1逆时针转动;当MOS管Q1和Q2导通,MOS管Q4和Q5关闭,电机M1左右两端均为高电压,电机M1不转动;当MOS管Q1和Q2关闭,MOS 管Q4和Q5导通,电机M1左右两端均为低电压,电机M1不转动,避免出现共态导通现象,防止电机M1受损。
[0031]在本实施例中,如图1和图2所示,智能微处理器MCU本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单相无刷电机驱动电路,其特征在于,包括:智能微处理器MCU电路,所述智能微处理器MCU电路通过四根导线分别连接MOS管Q1、Q2、Q4和Q5的栅极G;电机M1,所述电机M1的一端绕组MA连接MOS管Q1和Q4连接点,所述电机M1的另一端绕组MB连接MOS管Q2和Q5的连接点;电源,所述电源的正极BAT连接MOS管Q2的源极S,所述电源的负极接地GND;MOS管Q1,所述MOS管Q1的漏极D与所述MOS管Q4的漏极D串联在一起,所述MOS管Q1和Q2的源极S分别连接MOS管Q2和Q5的源极S;MOS管Q5,所述MOS管Q5的源极S连接电阻R1,所述MOS管Q5的漏极D与所述MOS管Q2的漏极D串联在一起;电阻R1,所述电阻R1的一端接地GND。2.根据权利要求1所述的一种单相无刷电机驱动电路,其特征在于,所述MOS管Q1、Q2、Q4和Q5共同构成H桥电路,串联的MOS管Q1和MOS管Q4与串联的MOS管Q2和MOS管Q5相互并联。3.根据权利要求1所述的一种单相无刷电机驱动电路,...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘国永,区锋铭,
申请(专利权)人:深圳市创科维信电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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