可关断型可控硅制造技术

可关断型可控硅。本实用新型专利技术属于一种半导体元件，特别是可关断的可控硅。该可控硅是在常规单向可控硅基础上，从无控制极的那个基区引出一只关断控制极，使用时只需将关断控制极与正极接通，就可将导通的可控硅关断。本实用新型专利技术结构简单、成本低、关断控制容易，尤其适宜在直流高电压大电流的情况下使用，同时还具备单向可控硅的应用领域。（*该技术在2004年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体元件，特别是可关断的可控硅。现有的可控硅导通以后，只要其正负极存在正向电压差，要使其关断是不可能的。然而在可控硅的应用中，常有使其在工作中关断的要求，为达到这一目的产生了逆导型可关断可控硅。这种可控硅在制作时对控制极的扩散要求相当严格，导致产品成品率很低；在实际应用中欲使其关断，必须在控制极加高尖峰负脉冲，这需要复杂的一套控制线路；它只宜在20A以下的电流场合使用，若电流过大，则会造成关断失败，限制了逆导型可控硅在许多领域的应用。本技术的目的是提供一种可关断型的可控硅，其结构简单、制造容易、成本低、控制容易、可适宜在大电流下工作。本技术的实现方案是采用成熟的可控硅制造工艺，在常规的单向可控硅的无控制极的基区内又引出一只关断控制极，从而使产品成品率提高，结构简化、成本降低。下面，依照说明书附图所示的本技术的一个实施例，对其结构作进一步描述。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的电路示意图；图3为本技术的电路符号图。参见各图，常规的单向可控硅只有控制极G1，但其A端加上正电压，K端加负电压，在G1加上一正信号时，可控硅则导通，即使G1处的正信号电压不再存在仍可保持导通，只有A、K端的电压小于维持可控硅工作的电压时才能关断。本技术是在现有单向可控硅的结构基础上，从第一基区(N区)引出了一条关断控制极G2，对于正导通着的可控硅只需将关断控制极G2与可控硅的阳极A接通，就可使PNP三极管的导通条件破坏，可控硅也就截止。可控硅的控制极G2与可控硅的阳极A的接通或断开是采用开关来实现。在本实施方案中，可以用一只三极管BG作为电子开关。当需要可控硅导通时，三极管BG的基极无正电压信号，处于截止状态，使可控硅的阳极与关断控制极断开；当需要可控硅截止时，在BG的基极加上一正电压信号使其导通，使可控硅的阳极与关断控制极接通。按本技术的上述方案，有以下的效果1、制造容易、成品率高、成本低。只需应用成熟的可控硅制造工艺，再从第一基区引出一只关断控制极，在制造中也无特别的要求；2、工作电流及电压范围大。由于未对现有单向可控硅的结构作大的改进，所以它仍具备了单向可控硅的适宜在较大电流及高电压下工作的性能，其工作电流可达1200A以上；3、控制简单。无需很复杂的控制线路，只要把关断控制极与阳极接通或断开即可。权利要求1.一种可关断可控硅，其特征是在常规的单向可控硅的无控制极的基区内又引出一只关断控制极。2.按权利要求1所述的可关断可控硅，其特征是在可控硅的阳极与关断极间接有开关。专利摘要可关断型可控硅。本技术属于一种半导体元件，特别是可关断的可控硅。该可控硅是在常规单向可控硅基础上，从无控制极的那个基区引出一只关断控制极，使用时只需将关断控制极与正极接通，就可将导通的可控硅关断。本技术结构简单、成本低、关断控制容易，尤其适宜在直流高电压大电流的情况下使用，同时还具备单向可控硅的应用领域。文档编号H01L29/74GK2196820SQ9420429公开日1995年5月10日 申请日期1994年3月7日 优先权日1994年3月7日专利技术者许正山 申请人:许正山本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可关断可控硅，其特征是在常规的单向可控硅的无控制极的基区内又引出一只关断控制极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许正山，
申请(专利权)人：许正山，
类型：实用新型
国别省市：53[中国|云南]