一种晶圆清洗抛光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶圆清洗抛光装置，包括：清洗抛光机构，所述清洗抛光机构外壁上设置有与其外径相匹配的挡水圈，且清洗抛光机构顶端固定连接有同轴线的隔圈件，并且隔圈件的内壁上水平固定连接有滤网，所述隔圈件的外壁上固定连接有同轴线的承载盘，所述挡水圈外壁的一侧连通有出气管，且出气管的出气端连通有风机。该晶圆清洗抛光装置通过风机可通过出气管将隔圈件内的水分进行抽取，然后水分在重力的作用下可进入到清洗抛光机构下端的收集器内进行收集，这样撑架就可快速风干，接着通过水泵可将废水集中输送到承载盘内，然后可通过废水初步对承载盘进行清理，这样可使废水得到再次利用。到再次利用。到再次利用。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗抛光装置


[0001]本技术涉及砂石分离机
，具体为一种晶圆清洗抛光装置。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主，晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点，而晶圆清洗抛光装置则是对上述晶圆进行加工的设备。
[0003]（1）目前晶圆清洗抛光装置在对晶圆进行抛光清洗时，会存在积水能及时排出，从而导致晶圆长生二次污染的情况；
[0004]（2）目前晶圆清洗抛光装置在进行晶圆加工时会产生大量的废水，而废造成大量水资源浪费的情况。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种晶圆清洗抛光装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种晶圆清洗抛光装置，包括：清洗抛光机构，所述清洗抛光机构外壁上设置有与其外径相匹配的挡水圈，且清洗抛光机构顶端固定连接有同轴线的隔圈件，并且隔圈件的内壁上水平固定连接有滤网，所述隔圈件的外壁上固定连接有同轴线的承载盘，所述挡水圈外壁的一侧连通有出气管，且出气管的出气端连通有风机。
[0007]优选的，所述风机的下端通过螺栓连接有第一托架，且第一托架的下端固定连接有底座，且底座的中心线与第一托架的中心线相垂直。
[0008]优选的，所述承载盘的内腔底面上过盈配合有水簺。
[0009]优选的，所述承载盘的直径比挡水圈的直径小。
[0010]优选的，所述挡水圈下口径外边缘处螺纹有进水管，且进水管的出水口端螺纹连接有同口径的水泵，所述水泵的出水口处螺纹连接有同口径导管，且导管的排出口端贯通连接有承载盘的外壁，所述水泵的下表面通过螺栓连接有第二托架。
[0011]优选的，所述进水管的进水口端位置比导管排水口的位置低。
[0012]优选的，所述清洗抛光机构的两侧对称固定连接有支架，且支架呈L型结构。
[0013]优选的，所述清洗抛光机构下端设置有收集器，且收集器的外壁与清洗抛光机构的内壁呈螺纹连接。
[0014]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0015]（1）该晶圆清洗抛光装置通过隔圈件、清洗抛光机构和出气管呈贯通连接，然后风机可通过出气管将隔圈件内的水分进行抽取，然后水分在重力的作用下可进入到清洗抛光机构下端的收集器内进行收集，这样废水就可快速的得到清理；
[0016]（2）本技术中可将水簺从承载盘上取出，然后承载盘内的废水可进入到挡水圈内进行聚集，接着通过水泵可将废水集中输送到承载盘内，然后可通过废水初步对承载盘进行清理，这样可使废水得到再次利用。
附图说明
[0017]图1为本技术一种晶圆清洗抛光装置的立体图；
[0018]图2为本技术一种晶圆清洗抛光装置的分解构结构图；
[0019]图3为本技术一种晶圆清洗抛光装置的俯视图；
[0020]图4为本技术一种晶圆清洗抛光装置的承载盘、出气管和清洗抛光机构结构图；
[0021]图5为本技术一种晶圆清洗抛光装置水簺、承载盘和滤网俯视图；
[0022]图6为本技术一种晶圆清洗抛光装置挡水圈结构图。
[0023]图中：1、第一托架，2、风机，3、水簺，4、承载盘，5、隔圈件，6、挡水圈，7、导管，8、进水管，9、水泵，10、第二托架，11、出气管，12、底座，13、支架，14、清洗抛光机构，15、收集器，16、滤网。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]请参阅图1
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6，本技术提供一种技术方案：一种晶圆清洗抛光装置，包括：清洗抛光机构14，所述清洗抛光机构14外壁上设置有与其外径相匹配的挡水圈6，且清洗抛光机构14顶端固定连接有同轴线的隔圈件5，并且隔圈件5的内壁上水平固定连接有滤网16，所述隔圈件5的外壁上固定连接有同轴线的承载盘4，所述挡水圈6外壁的一侧连通有出气管11，且出气管11的出气端连通有风机2，此结构使得，此结构使得可将风机2进行启动，然后风机2可通过出气管11对清洗抛光机构14内进行抽气，然后清洗抛光机构14上隔圈件5内的水可被风机吸干，这样隔圈件5内加工抛光清洗的晶圆产生的废水就可通过风机往下带动，接着废水在重力的作用下掉入到收集器15内进行集中收集，这样就不会有滞留的废水对晶圆产生二次污染。
[0026]所述风机2的下端通过螺栓连接有第一托架1，且第一托架1的下端固定连接有底座12，且底座12的中心线与第一托架1的中心线相垂直，此结构使得通过风机2可将隔圈件5内的废水进行风干和快速脱离，从而可使加工的晶圆避免污染。
[0027]所述承载盘4的内腔底面上过盈配合有水簺3，此结构使得在需要将清洗抛光机构14进行初步清理时，可将水簺3从承载盘4上拔离，接着承载盘4内的水可通过水簺3排入到
挡水圈6内，而在挡水圈6内聚集一定量后，可将水泵9打开，然后水泵9可将废水冲入承载盘4内进行清洗，而不需要将水进行清洗时，只需将导管7从承载盘4的外壁上拔离，然后将废水排出即可。
[0028]所述承载盘4的直径比挡水圈6的直径小，此结构使得通过挡水圈6比承载盘4大，这样承载盘4产生的废水就会溅入到挡水圈6内进行辅助收集。
[0029]所述挡水圈6下口径外边缘处螺纹有进水管8，且进水管8的出水口端螺纹连接有同口径的水泵9，所述水泵9的出水口处螺纹连接有同口径导管7，且导管7的排出口端贯通连接有承载盘4的外壁，所述水泵9的下表面通过螺栓连接有第二托架10，此结构使得通过水泵9可将挡水圈6内集中收集的废水对承载盘4进行初步清理。
[0030]所述进水管8的进水口端位置比导管7排水口的位置低，此结构使得通过导管7和进水管8形成高低差，从而水泵9可便捷的将水进行抽取，同时抽出的水可通过导管7对承载盘4进行初步清理。
[0031]所述清洗抛光机构14的两侧对称固定连接有支架13，且支架13呈L型结构，此结构使得通过支架13可将清洗抛光机构14得到对称支撑。
[0032]所述清洗抛光机构14下端设置有收集器15，且收集器15的外壁与清洗抛光机构14的内壁呈螺纹连接，此结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗抛光装置，其特征在于，包括：清洗抛光机构（14），所述清洗抛光机构（14）外壁上设置有与其外径相匹配的挡水圈（6），且清洗抛光机构（14）顶端固定连接有同轴线的隔圈件（5），并且隔圈件（5）的内壁上水平固定连接有滤网（16），所述隔圈件（5）的外壁上固定连接有同轴线的承载盘（4），所述挡水圈（6）外壁的一侧连通有出气管（11），且出气管（11）的出气端连通有风机（2）。2.如权利要求1所述的一种晶圆清洗抛光装置，其特征在于：所述风机（2）的下端通过螺栓连接有第一托架（1），且第一托架（1）的下端固定连接有底座（12），且底座（12）的中心线与第一托架（1）的中心线相垂直。3.如权利要求1所述的一种晶圆清洗抛光装置，其特征在于：所述承载盘（4）的内腔底面上过盈配合有水簺（3）。4.如权利要求1所述的一种晶圆清洗抛光装置，其特征在于：所述承载盘（4）的直径...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺贤汉，杉原一男，佐藤泰幸，原英樹，
申请(专利权)人：上海申和投资有限公司，
类型：新型
国别省市：