【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳电池。技术背景现有的太阳电池，世界太阳能光伏发电产业和市场在严峻的能源替 代形势和人类生态环境压力下，在持续的技术进步和逐步完善的法规政策的强力推动下快速发展。太阳电池的年产量最近io年的年平均增长 速度为37%，最近5年的年平均增长速度为45%。成为世界上发展最快 的行业之一根据欧洲联合中心预测，到2030年，太阳能光伏发电在世界总电 力的供应中达到10%以上；2040年太阳能光伏发电将占总电力的20%以 上；到本世纪未太阳能发电占到60%以上。在我国，随着《可再生能源 法》的颁布实施，利用法律和市场机制来推动新能源的利用，必将大大 加快我国太阳能产业的发展。目前，硅太阳电池是量产最为成熟的太阳 能电池，占世界太阳能电池产量的90%，因此硅太阳电池降低生产成本、 提高转换效率意义重大。大面积化以及薄片化生产将成为电池片生产的 主要发展趋势。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种结构合理，转换效率高的大面积超 薄型高效率单晶硅双面照光太阳电池。 本技术的技术解决方案是-一种大面积超薄型高效率单晶硅双面照光太阳电池，其特征是包 括P+层，P+层正面设置N型发射结层，N型发射结层正面为绒面结构 形式，绒面结构表面设置氧化硅/氮化硅叠层，在P+层背面设置硼背场 层，硼背场背面设置氧化硅/氮化硅叠层，在电池的正面、背面分别设 置金属电极。上、下表面的面积为156mmX156mm。本技术结构合理，硅片两面都形成光照转化结构，与普通太阳 电池相比，除了从正面接受直射的太阳光，还可从反面接受各种散射光， 可多增加实际的功率输出，更有效的利用太阳能。...
【技术保护点】
一种大面积超薄型高效率单晶硅双面照光太阳电池，其特征是：包括Ｐ↑［＋］层，Ｐ↑［＋］层正面设置Ｎ型发射结层，Ｎ型发射结层正面为绒面结构形式，绒面结构表面设置氧化硅／氮化硅叠层，在Ｐ↑［＋］层背面设置硼背场层，硼背场背面设置氧化硅／氮化硅叠层，在电池的正面、背面分别设置金属电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王栩生，
申请(专利权)人：江苏林洋新能源有限公司，江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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