一种温度传感元件及相关设备制造技术

本申请公开一种温度传感元件及相关设备，涉及传感器技术领域，能够改善现有基于晶体管的温度传感器感测的温度范围较小，温度感测的精度较低的问题。温度传感元件，包括：温度感应单元，所述温度感应单元包括第一晶体管；电位缓冲单元，所述电位缓冲单元包括第二晶体管,所述第一晶体管与所述第二晶体管连接,所述第二晶体管的关态电流小于所述第一晶体管的关态电流。态电流。态电流。

【技术实现步骤摘要】
一种温度传感元件及相关设备


[0001]本申请涉及传感器
，尤其涉及一种温度传感元件及相关设备。

技术介绍

[0002]传统的温度传感器主要包括电阻式和电容式，电阻式温度传感器灵敏度低、弹性差；电容式传感器对于温度响应信号的读取不方便，容易导致测量精度较差的问题。因此，基于晶体管的温度传感器因其具有器件体积小、容易实现大面积集成的优势被广泛应用。
[0003]然而，现有基于晶体管的温度传感器感测的温度范围较小，温度感测的精度较低。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种温度传感元件及相关设备，能够改善现有基于晶体管的温度传感器感测的温度范围较小，温度感测的精度较低的问题。
[0005]本申请实施例的第一方面，提供一种温度传感元件，包括：
[0006]温度感应单元，所述温度感应单元包括第一晶体管；
[0007]电位缓冲单元，所述电位缓冲单元包括第二晶体管,所述第一晶体管与所述第二晶体管连接,所述第二晶体管的关态电流小于所述第一晶体管的关态电流。
[0008]在一些实施方式中，所述温度感应单元包括至少两个所述第一晶体管。
[0009]在一些实施方式中，所述温度感应单元包括两个所述第一晶体管，一个所述第一晶体管的漏极与另一个所述第一晶体管的源极连接，另一所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极或漏极连接。
[0010]在一些实施方式中，所述第一晶体管和所述第二晶体管均处于关闭状态。
[0011]在一些实施方式中，同一个所述第一晶体管的栅极和源极连接。
[0012]在一些实施方式中，所述温度感应单元接入第一电平，所述电位缓冲单元接入第二电平，所述第一电平高于所述第二电平。
[0013]在一些实施方式中，所述第一晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；和/或，
[0014]所述第二晶体管包括低温多晶氧化物薄膜晶体管。
[0015]在一些实施方式中，所述第一晶体管为双栅结构的薄膜晶体管；和/或，
[0016]所述第二晶体管为双栅结构的薄膜晶体管。
[0017]在一些实施方式中，还包括：
[0018]感应信号输出端，所述感应信号输出端设置于所述温度感应单元和所述电位缓冲单元之间；
[0019]输出控制单元，所述输出控制单元与所述感应信号输出端连接。
[0020]在一些实施方式中，所述输出控制单元包括第三晶体管；
[0021]所述第三晶体管的源极或漏极与所述感应信号输出端连接，所述第三晶体管的栅极接入脉冲信号，所述脉冲信号控制所述第三晶体管周期性的开启和关闭；
[0022]所述第三晶体管的关态电流小于所述第一晶体管的关态电流。
[0023]在一些实施方式中，所述第三晶体管包括低温多晶氧化物薄膜晶体管。
[0024]本申请实施例的第二方面，提供一种显示面板，包括：
[0025]基底层；
[0026]如第一方面所述的温度传感元件，所述温度传感元件设置在所述基底层上；
[0027]显示器件，所述显示器件设置在所述基底层上。
[0028]本申请实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括：如第二方面所述的显示面板。
[0029]本申请实施例的第四方面，提供一种温度传感装置，包括：柔性衬底；
[0030]所述柔性衬底上设置有如第一方面所述的温度传感元件。
[0031]本申请实施例提供的温度传感元件及相关设备，通过设置温度感应单元和电位缓冲单元，温度感应单元内设置第一晶体管，电位缓冲单元内设置第二晶体管，第二晶体管的关态电流小于第一晶体管的关态电流，第二晶体管和第一晶体管之间引出感应信号输出端，电位缓冲单元可以通过第二晶体管拉低感应信号输出端的电位，使得感应信号输出端处于较低的电位。可以利用第一晶体管的关态电流随着所处环境温度的变化而发生变化，第一晶体管在环境温度发生变化时可以引起感应信号输出端的电位变化，因此，感应信号输出端的电位变化能够反映出环境的温度变化情况，温度传感元件由此起到温度感应的作用。感应信号输出端处于较低的电位，感应信号输出端的电位变化空间较大，则温度感应元件的温度感应范围也较大，因此，相较于现有基于晶体管的温度传感器，本申请实施例提供的温度传感元件增大了感测的温度范围，另外，第二晶体管的关态电流小于第一晶体管的关态电流，第二晶体管的关态电流随温度变化的幅度可以小于第一晶体管的关态电流随温度变化的幅度，可以进一步提升温度传感元件的温度感测的精度。
附图说明
[0032]图1为本申请实施例提供的一种温度传感元件的示意性电路结构框图；
[0033]图2为本申请实施例提供的一种温度传感元件的示意性电路图；
[0034]图3为本申请实施例提供的一种温度传感元件的时序图；
[0035]图4为本申请实施例提供的一种温度传感元件的局部截面结构示意图；
[0036]图5为本申请实施例提供的一种显示面板的示意性结构图；
[0037]图6为本申请实施例提供的一种显示装置的示意性结构图；
[0038]图7为本申请实施例提供的一种温度传感装置的示意性结构图。
具体实施方式
[0039]为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
[0040]在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包
含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
[0041]传统的温度传感器主要包括电阻式和电容式，电阻式温度传感器灵敏度低、弹性差；电容式传感器对于温度响应信号的读取不方便，容易导致测量精度较差的问题。因此，基于晶体管的温度传感器因其具有器件体积小、容易实现大面积集成的优势被广泛应用。然而，现有基于晶体管的温度传感器感测的温度范围较小，温度感测的精度较低。
[0042]有鉴于此，本申请实施例提供一种温度传感元件及相关设备，能够改善现有基于晶体管的温度传感器感测的温度范围较小，温度感测的精度较低的问题。
[0043]本申请实施例的第一方面，提供一种温度传感元件，图1为本申请实施例提供的一种温度传感元件的示意性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度传感元件，其特征在于，包括：温度感应单元，所述温度感应单元包括第一晶体管；电位缓冲单元，所述电位缓冲单元包括第二晶体管,所述第一晶体管与所述第二晶体管连接,所述第二晶体管的关态电流小于所述第一晶体管的关态电流。2.根据权利要求1所述的温度传感元件，其特征在于，所述温度感应单元包括至少两个所述第一晶体管。3.根据权利要求2所述的温度传感元件，其特征在于，所述温度感应单元包括两个所述第一晶体管，一个所述第一晶体管的漏极与另一个所述第一晶体管的源极连接，另一所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极或漏极连接。4.根据权利要求1所述的温度传感元件，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均处于关闭状态。5.根据权利要求4所述的温度传感元件，其特征在于，同一个所述第一晶体管的栅极和源极连接。6.根据权利要求1所述的温度传感元件，其特征在于，所述温度感应单元接入第一电平，所述电位缓冲单元接入第二电平，所述第一电平高于所述第二电平。7.根据权利要求1至6中任一项所述的温度传感元件，其特征在于，所述第一晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；和/或，所述第二晶体管包括低温多晶氧化物薄膜晶体管。8.根据权利要求7所述的温度传感元件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟娴，丁勇，卓晓军，王二鹏，易鹏，王晓欢，范建营，蒋博宇，刘洪明，尤晓宇，
申请(专利权)人：武汉京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：