【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体硅太阳能电池
，特别是一种采用后制绒工艺的太阳能电池。
技术介绍
晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90 %以上的份额，如何进一步提 高效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。在硅片上实现选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳能电池实现高效的 方法之一。所谓选择性发射极结构有两个特征1)在电极栅线下及其附近形 成高掺杂深扩散区；2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。实现选择性发射极 结构的关键便是如何形成上面所说的两个区域。实现选择性发射区的方法有 很多种，最常见的有光刻、激光开槽。但这些方法对太阳能电池制造而言过 于复杂，只能应用于实验室或小规模的生产中，难于在常规电池的产业化生 产中推广。近年来，也出现了用丝网印刷磷桨实现选择性发射区的方法，但 由于丝网印刷带来的污染等问题，该方法也没有得到广泛应用。
技术实现思路
本技术的目的是要提供一种采用后制绒工艺的太阳能电池，太阳能 电池具有更为理想的选择性扩散发射极，光电转换效率高。本技术所采用的技术方案为 一种采用后制绒工艺的太阳能电池， 包括硅片，硅片表面下通过扩散工艺形成的高掺杂区和低掺杂区，将通过扩散工艺形成的高掺杂区和低掺杂区的上层作为制绒层，在高掺杂区和低掺杂 区内的制绒层制绒以形成绒层。本技术的有益效果是硅片在进行选择扩散后，形成高掺杂区和低 惨杂区，在理想状态，高掺杂区的截面形状应该是上下宽度一致的，但是在 实际生产中，高掺杂区的截面上宽下窄呈现漏斗状，为此在扩散完成后，进 行制绒，在制绒过程中，会使高掺杂区一薄层被去除，相应的高掺杂区的厚 度降低，高掺杂区的截面此时...
【技术保护点】
一种采用后制绒工艺的太阳能电池，包括硅片（１），硅片（１）表面下通过扩散工艺形成的高掺杂区（２）和低掺杂区（３），其特征是：将所述的通过扩散工艺形成的高掺杂区（２）和低掺杂区（３）的上层作为制绒层（４），在高掺杂区（２）和低掺杂区（３）内的制绒层（４）制绒以形成绒层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪钉崇，夏庆峰，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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