一种介质滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及介质滤波器，所述介质滤波器包括介质基体，所述介质基体包括导电面，所述导电面上开设有多个谐振腔；所述介质滤波器还包括将所述谐振腔耦合起来的交趾耦合结构，所述交趾耦合结构包括至少一个凸起部、及至少一个与所述凸起部相对的凹陷部，所述凸起部的外缘尺寸小于所述凹陷部的内腔尺寸，所述凸起部与所述凹陷部间隙设置。本实用新型专利技术采用交趾耦合的结构方式耦合，以此获得比较强的耦合量，从而起到扩展耦合带宽的目的，以使介质滤波器得到较宽的带宽。波器得到较宽的带宽。波器得到较宽的带宽。

【技术实现步骤摘要】
一种介质滤波器


[0001]本技术涉及无线通讯
，更具体地说，涉及一种介质滤波器。

技术介绍

[0002]5G时代，介质滤波器将取代金属腔体滤波器成为主流，因为天线由4T4R向64T64R演进+RRU和天馈一体化，对滤波器的体积和重量提出更高要求，所以更轻更小的陶瓷滤波器将替代传统的金属腔体滤波器成为主流，长期来看，介质滤波器的成本更低，体积重量优势明显，是产业发展的必然选择；但现有的介质滤波器采用间隙耦合的方式，间距有限，带宽比较窄，不能达到所需的带宽要求。因此现有介质滤波器在需求带宽比较宽的情况下，会出现耦合间距过小导致工艺很难实现，且性能实现存在风险的缺陷。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种一种介质滤波器。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种介质滤波器，其包括介质基体，所述介质基体包括导电面，所述导电面上开设有多个谐振腔；所述介质滤波器还包括将所述谐振腔耦合起来的交趾耦合结构，所述交趾耦合结构包括至少一个凸起部、及至少一个与所述凸起部相对的凹陷部，所述凸起部的外缘尺寸小于所述凹陷部的内腔尺寸，所述凸起部与所述凹陷部间隙设置。
[0005]在一些实施例中，所述凸起部正对所述凹陷部设置。
[0006]在一些实施例中，所述凸起部呈长条形突出，所述凹陷部呈方形内凹。
[0007]在一些实施例中，所述交趾耦合结构表面为镀银面；所述谐振腔的腔体内镀银。
[0008]在一些实施例中，所述交趾耦合结构包括第一耦合结构及第二耦合结构；所述第一耦合结构包括第一耦合部及与所述第一耦合部相对配合的第二耦合部；所述第一耦合部开设有多个所述凸起部，所述第二耦合部上开设有与所述凸起部相应的凹陷部；所述第二耦合结构包括第三耦合部及第四耦合部；所述第三耦合部包括多个所述凸起部，所述第四耦合部包括与所述凸起部相应的凹陷部。
[0009]在一些实施例中，所述谐振腔包括沿所述导电面依次纵向排列的第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔；所述第一耦合部与第二耦合部呈片状，分别贴设在所述第二谐振腔、第三谐振腔周围，以耦合所述第二谐振腔及第三谐振腔；所述第三耦合部与第四耦合部呈片状，分别贴设在所述第四谐振腔、第五谐振腔周围，以耦合所述第四谐振腔、第五谐振腔。
[0010]在一些实施例中，所述交趾耦合结构还包括第三耦合结构及第四耦合结构，所述第三耦合结构包括第五耦合部及与所述第五耦合部相对配合的第六耦合部；所述第五耦合部上开设有多个所述凸起部，所述第六耦合部上开设有与所述凸起部相应的所述凹陷部；所述第四耦合结构包括第七耦合部及第八耦合部；所述七耦合部包括多个所述凸起部，所
述第八耦合部包括与所述凸起部相应的凹陷部。
[0011]在一些实施例中，所述谐振腔还包括纵向设置在所述导电面两侧的第一谐振腔及第六谐振腔；所述第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔、第六谐振腔沿所述导电面依次纵向间隔排列设置；
[0012]所述第一谐振腔、第六谐振腔分别通过PCB电路板与信号输入端及信号输出端对应连接；所述第五耦合部呈片状贴设在第一谐振腔周围，所述第六耦合部与所述信号输入端导电连接，以将第一谐振腔与信号输出端耦合；所述第七耦合部呈片状贴设在第六谐振腔周围，所述第八耦合部与所述信号输出端导电连接，以将第六谐振腔与信号输出端耦合。
[0013]在一些实施例中，所述介质滤波器还包括沿所述导电面横向设置的两条第一耦合线、一条第二耦合线，该两条第一耦合线分别介于所述第一谐振腔与第二谐振腔及第五谐振腔与第六谐振腔之间，所述第二耦合线介于所述第三谐振腔与第四谐振腔之间；所述第一耦合线、第二耦合线均为镀银线。
[0014]在一些实施例中，述介质滤波器还包括沿所述导电面纵向设置的第三耦合线，所述第三耦合线位于两条所述第一耦合线之间并位于所述第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔及第五谐振腔一侧，与所述第二耦合线一端呈垂直间隔设置；所述第三耦合线为镀银线。
[0015]实施本技术的介质滤波器，具有以下有益效果：本技术采用交趾耦合的结构方式耦合，以此获得比较强的耦合量，从而起到扩展耦合带宽的目的，以使滤波器得到较宽的带宽。
附图说明
[0016]下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中：
[0017]图1是本技术一些实施例中的介质滤波器的立体结构示意图；
[0018]图2是图1所示介质滤波器的俯视结构示意图；
[0019]图3是图1所示介质滤波器的另一方向的立体结构示意图。
具体实施方式
[0020]为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图进行详细说明。
[0021]图1示出了本技术一些实施例中的介质滤波器，该介质滤波器采用交趾耦合方式设计，即介质滤波器是通过介质谐振器之间的交趾耦合构成的。该交趾耦合结构设计使滤波器的设计段更宽，输入输出回波损耗更好，Q值高、尺寸小、重量轻，被广泛应用在无线基站、卫星通信、导航系统、电子对抗等系统中。在一些实施例中，该介质滤波器为5G交趾耦合结构的介质滤波器。
[0022]如图1及图2所示，介质滤波器包括介质基体10、开设在介质基体10上的若干谐振腔12及将两个相邻谐振腔12耦合起来的交趾耦合结构20。介质基体10作为滤波器的传递介质，用于波动能量的传递；谐振腔12用于产生谐振点；交趾耦合结构20用于加大相邻谐振腔12之间或谐振腔12与信号端之间的耦合量，从而起到扩展耦合带宽的目的。
[0023]在一些实施例中，介质基体10为陶瓷材料的介质基体，该介质基体10具有高介电
常数的特点。优选地，介质基体10采用介电常数为10的介质基体。在一些实施例中介质基体10呈长方形体状，其可包括呈长方形的导电面11，用于供交趾耦合结构20、导电结构、若干谐振腔12等开设其上。
[0024]图2示出了本技术一些实施例中的谐振腔12，用于使高频电磁场在其腔内持续振荡，以产生谐振点，谐振点能使电磁场完全集中于腔内，使滤波器没有辐射损耗，从而使滤波器具有较高的品质因数。在谐振腔内，电磁场可以在一系列频率下进行振荡，其频率大小与谐振腔的形状、几何尺寸及谐振的波型有关。
[0025]在一些实施例中，谐振腔12均呈圆形腔体，贯穿介质基体10设置，并位于导电面11的中部。可以理解地，谐振腔12并不局限于圆形腔，也可呈方形、椭圆形、多边形等腔体形状中的一种或多种。具体地，谐振腔12可包括沿导电面11依次纵向排列的第一谐振腔120、第二谐振腔121、第三谐振腔122、第四谐振腔123、第五谐振腔124及第六谐振腔125。
[0026]第一谐振腔121及第六谐振腔125分别通过PCB电路板与信号输入端60及信号输出端70对应连接。优选地，采用50欧姆输入输出组成。为了便于加工，第一谐振腔121及第六谐振腔125的腔体内径相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介质滤波器，包括介质基体，所述介质基体包括导电面，所述导电面上开设有多个谐振腔，其特征在于，还包括将所述谐振腔耦合起来的交趾耦合结构，所述交趾耦合结构包括至少一个凸起部、及至少一个与所述凸起部相对的凹陷部，所述凸起部的外缘尺寸小于所述凹陷部的内腔尺寸，所述凸起部与所述凹陷部间隙设置。2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述凸起部正对所述凹陷部设置。3.根据权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于，所述凸起部呈长条形突出，所述凹陷部呈方形内凹。4.根据权利要求3所述的介质滤波器，其特征在于，所述交趾耦合结构表面为镀银面；所述谐振腔的腔体内镀银。5.根据权利要求1至4任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述交趾耦合结构包括第一耦合结构及第二耦合结构；所述第一耦合结构包括第一耦合部及与所述第一耦合部相对配合的第二耦合部；所述第一耦合部开设有多个所述凸起部，所述第二耦合部上开设有与所述凸起部相应的凹陷部；所述第二耦合结构包括第三耦合部及第四耦合部；所述第三耦合部包括多个所述凸起部，所述第四耦合部包括与所述凸起部相应的凹陷部。6.根据权利要求5所述的介质滤波器，其特征在于，所述谐振腔包括沿所述导电面依次纵向排列的第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔；所述第一耦合部与第二耦合部呈片状，分别贴设在所述第二谐振腔、第三谐振腔周围，以耦合所述第二谐振腔及第三谐振腔；所述第三耦合部与第四耦合部呈片状，分别贴设在所述第四谐振腔、第五谐振腔周围，以耦合所述第四谐振腔、第五谐振腔。7.根据权利要求6所述的介质滤波器，其特征在于，所述交趾耦合结构还包括第三耦合结构及第...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁惠敏，朱昌富，陈剑，蔡瑶，吴仰驯，
申请(专利权)人：海能达通信股份有限公司，
类型：新型
国别省市：