半导体湿法蚀刻的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了半导体湿法蚀刻的装置，涉及湿式制程技术领域。本实用新型专利技术包括蚀刻室，蚀刻室内壁固定安装有若干气缸，气缸的伸缩端固定连接有移动轨道，移动轨道的内壁连接有基板，基板的右端活动连接有夹持板，两夹持板固定连接有弹簧，弹簧远离夹持板的一端固定连接有连接架，连接架的右侧面固定连接有连接板，连接板的右侧面固定连接有安装板。本实用新型专利技术通过向右移动连接架可以带动基板向右移动，解决了采用滚轮带动基板移动时会留下滚痕的缺点，同时降低了成本，通过在移动轨道内设置移动滚轮，可以辅助基板移动，通过设置软垫可以防止气缸伸长时压迫基板，通过回收管回收喷洒液，循环使用，通过液压缸为连接架提供动力，带动基板移动。带动基板移动。带动基板移动。

【技术实现步骤摘要】
半导体湿法蚀刻的装置


[0001]本技术属于湿式制程
，特别是涉及半导体湿法蚀刻的装置。

技术介绍

[0002]蚀刻技术属于感光化学
，蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分，而达到蚀刻的目的，这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻，湿式蚀刻具有低成本、高可靠性、高产能及优越的蚀刻选择比的优点。
[0003]现有的半导体湿式蚀刻一般采用滚轮带动基板移动，该方式需要大量的滚轮，同时滚轮与基板的接触面容易留下滚痕，导致湿式蚀刻受到影响。
[0004]为解决上述问题，本技术提出半导体湿法蚀刻的装置。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供半导体湿法蚀刻的装置，解决现有的湿式蚀刻一般采用滚轮带动基板移动，该方式需要大量的滚轮，同时滚轮与基板的接触面容易留下滚痕，导致湿式蚀刻受到影响的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0007]本技术为半导体湿法蚀刻的装置，包括蚀刻室，所述蚀刻室内壁固定安装有若干气缸，所述气缸的伸缩端固定连接有移动轨道，所述移动轨道的内壁连接有基板，所述基板的右端活动连接有夹持板，两所述夹持板固定连接有弹簧，所述弹簧远离夹持板的一端固定连接有连接架，所述连接架的右侧面固定连接有连接板，所述连接板的右侧面固定连接有安装板，通过向右移动连接架可以带动基板向右移动，解决了采用滚轮带动基板移动时会留下滚痕的缺点，同时降低了成本。
[0008]优选地，所述移动轨道的内壁转动连接有移动滚轮，通过在移动轨道内设置移动滚轮，可以辅助基板移动。
[0009]优选地，所述基板的前端面与后端面分别固定连接有软垫，所述软垫与移动滚轮滚动连接，通过设置软垫可以防止气缸伸长时压迫基板。
[0010]优选地，所述若干气缸移动轨道和移动滚轮配合组成辅助移动模块，两所述辅助移动模块，前后对称设置。
[0011]优选地，所述蚀刻室内部的上表面与下表面固定安装有若干喷洒管，所述蚀刻室的下表面连通有回收管，通过回收管回收喷洒液，循环使用。
[0012]优选地，所述连接架为“U”形板体结构，所述连接架两横臂的相对面分别与弹簧固定连接。
[0013]优选地，所述安装板的右侧面固定连接有液压缸，通过液压缸为连接架提供动力，带动基板移动。
[0014]本技术具有以下有益效果：
[0015]本技术通过向右移动连接架可以带动基板向右移动，解决了采用滚轮带动基
板移动时会留下滚痕的缺点，同时降低了成本，通过在移动轨道内设置移动滚轮，可以辅助基板移动，通过设置软垫可以防止气缸伸长时压迫基板，通过回收管回收喷洒液，循环使用，通过液压缸为连接架提供动力，带动基板移动。
[0016]当然，实施本技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术的半导体湿法蚀刻的装置的整体结构示意图；
[0019]图2为本技术的半导体湿法蚀刻的装置的正视图；
[0020]图3为本技术的半导体湿法蚀刻的装置的俯视图；
[0021]图4为本技术的半导体湿法蚀刻的装置的左视图；
[0022]图5为图4中A
‑
A剖面结构示意图。
[0023]附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0024]1、蚀刻室；2、气缸；3、移动轨道；4、移动滚轮；5、基板；6、软垫；7、喷洒管；8、回收管；9、连接架；10、弹簧；11、夹持板；12、连接板；13、安装板；14、液压缸。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“中”、“外”、“内”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0027]请参阅图1
‑
5所示，本技术为半导体湿法蚀刻的装置，包括蚀刻室1，蚀刻室1内壁固定安装有若干气缸2，气缸2的伸缩端固定连接有移动轨道3，移动轨道3的内壁连接有基板5，基板5的右端活动连接有夹持板11，两夹持板11固定连接有弹簧10，弹簧10远离夹持板11的一端固定连接有连接架9，连接架9的右侧面固定连接有连接板12，连接板12的右侧面固定连接有安装板13，通过向右移动连接架9可以带动基板5向右移动，解决了采用滚轮带动基板5移动时会留下滚痕的缺点，同时降低了成本。
[0028]连接架9为“U”形板体结构，连接架9两横臂的相对面分别与弹簧10固定连接。
[0029]移动轨道3的内壁转动连接有移动滚轮4，通过在移动轨道3内设置移动滚轮4，可以辅助基板5移动。
[0030]基板5的前端面与后端面分别固定连接有软垫6，软垫6与移动滚轮4滚动连接，通过设置软垫6可以防止气缸2伸长时压迫基板5。
[0031]若干气缸2移动轨道3和移动滚轮4配合组成辅助移动模块，两辅助移动模块，前后
对称设置。
[0032]蚀刻室1内部的上表面与下表面固定安装有若干喷洒管7，蚀刻室1的下表面连通有回收管8，通过回收管8回收喷洒液，循环使用。
[0033]安装板13的右侧面固定连接有液压缸14，通过液压缸14为连接架9提供动力，带动基板5移动。
[0034]如图1
‑
5所示,本实施例为半导体湿法蚀刻的装置，本技术的基本原理为：通过气缸2伸长，带动移动轨道3移动，两个移动轨道3配合,夹持限位基板5，移动轨道3内设置的移动滚轮4可以辅助基板5移动，软垫6可以防止气缸2伸长时压迫基板5，通过弹簧10和夹持板11配合，连接架9固定住基板5，通过安装在外部机架上的液压缸14为连接架9提供动力，带动基板5向右移动，解决了采用滚轮带动基板5移动时会留下滚痕的缺点，同时降低了成本，喷洒管7喷洒液体，通过回收管8回收喷洒液，与外部循环泵配合循环使用喷洒液，气缸2的型号优选为SC50*25，液压缸14的型号优选为CJT140/300。
[0035]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体湿法蚀刻的装置，包括蚀刻室(1)，其特征在于：所述蚀刻室(1)内壁固定安装有若干气缸(2)，所述气缸(2)的伸缩端固定连接有移动轨道(3)，所述移动轨道(3)的内壁连接有基板(5)，所述基板(5)的右端活动连接有夹持板(11)，两所述夹持板(11)固定连接有弹簧(10)，所述弹簧(10)远离夹持板(11)的一端固定连接有连接架(9)，所述连接架(9)的右侧面固定连接有连接板(12)，所述连接板(12)的右侧面固定连接有安装板(13)。2.根据权利要求1所述的半导体湿法蚀刻的装置，其特征在于，所述移动轨道(3)的内壁转动连接有移动滚轮(4)。3.根据权利要求2所述的半导体湿法蚀刻的装置，其特征在于，所述基板(5)的前端面与后端面分别固定连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴喜鹏，罗焱，
申请(专利权)人：深圳市盛鸿运科技有限公司，
类型：新型
国别省市：