半导体器件的引线框制造技术

通过将镍镀层（１０２）、钯镀层（１０３）和金薄镀层（１０４）依次涂敷到大体上整个引线框主体（１０１）上，引线框主体诸如铜薄板等，并进一步将银镀层（１０５）有选择地涂敷到将被半导体器件的封装包围的内部部分的一部分上，从而形成半导体器件的引线框（１００）。引线框（１００）还可以包括封装的基座。银镀层为内部部分的优良的光反射率和引线接合效率作出贡献，而金薄镀层为封装外部的外部部分的优良耐腐蚀性和焊接效率作出贡献。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件的引线框，尤其涉及改善引线框的光反射率的技术。
技术介绍
传统上，金银合金薄镀层形成在半导体器件的引线框的最外层，以保证高的耐腐蚀性。这种技术的例子在未审查日本专利申请出版物No.H11-008341中被公开。图6是上述文件中所描述的引线框的结构的示意图。在图中，将镍镀层902、钯镀层903、金银合金薄镀层904依次涂敷到引线框主体901上，由此形成引线框900。根据该文件，具有这种结构的引线框900在盐雾试验中表现出优良的耐腐蚀性。然而，尽管这种结构确实具有高的耐腐蚀性，然而，它的光反射率却较低。在诸如LED等半导体发光元件被安装到引线框以形成半导体发光器件时，尤其会出现上述情况，使得引线框不能充分地反射发光元件的后光，从而损害了整个器件的发光效率。
技术实现思路
在考虑到以上问题的基础上提出本专利技术，旨在提供一种光反射率得到提高的用于半导体器件的引线框。通过一种半导体器件的引线框能够实现所述目的，其中，所述引线框包括引线框主体；以及多个金属涂层，这些金属涂层包括银或银合金涂层并且被涂敷到引线框主体上，其中，银或银合金涂层是引线框的预定部分的最外层金属涂层，所述预定部分将被半导体器件的封装所包围。这里，多个金属涂层可以进一步包括金或金合金涂层，该涂层是引线框的除了预定部分以外的部分的最外层金属涂层。这里，银或银合金涂层可以具有0.1μm或更大的厚度。这里，作为封装的一部分的基座可以插入引线框，预定部分的一部分被基座包围。根据这些结构，银或银合金涂层使得被封装包围的预定部分具有优良的引线接合效率以及光反射率，金或金合金涂层使封装之外的其他部分具有优良的耐腐蚀性和焊接效率。这样，引线框在预定部分中具有高的光反射率。由此，当被用在半导体发光器件中时，引线框有效地反射半导体发光元件的后光，这样能够提高整个器件的发光效率。这里，金或金合金涂层可以大体覆盖整个引线框主体，其中，银或银合金涂层只在预定部分中被涂敷在金或金合金涂层上。根据该结构，银或银合金涂层局部地覆盖引线框主体，而金或金合金涂层覆盖整个引线框主体。这会简化引线框的制造过程。这里，多个金属涂层还可以包括镍或镍合金涂层和钯或钯合金涂层，其中，镍或镍合金涂层、钯或钯合金涂层、金或金合金涂层以及银或银合金涂层依次被涂敷，镍或镍合金涂层和钯或钯合金涂层大体上覆盖整个引线框主体。根据该结构，钯或钯合金涂层具有高的高温稳定性，这使得引线框适于高温无铅焊接。这里，银或银合金涂层可以大体上覆盖整个引线框主体，其中，金或金合金涂层只在除预定部分之外的引线框部分中被涂敷在银或银合金涂层上。根据该结构，金或金合金涂层局部地覆盖引线框主体，而银或银合金涂层覆盖整个引线框主体。这样简化了引线框的制造过程。这里，多个金属涂层可以进一步包括镍或镍合金涂层和钯或钯合金涂层，其中，镍或镍合金涂层、钯或钯合金涂层、银或银合金涂层以及金或金合金涂层依次被涂敷，镍或镍合金涂层和钯或钯合金涂层大体上覆盖整个引线框主体。根据该结构，钯或钯合金涂层具有高的高温稳定性，这使得引线框适于高温无铅焊接。这里，银或银合金涂层可以在除了用基座包围的部分的至少一部分以外处被涂敷。根据该结构，引线框与形成封装的树脂之间的粘接在预定部分中的没有银或银涂层的区域中较强。这样保持封装的密封性，并且提高预定部分中的耐腐蚀性。这里，半导体发光元件可以被安装到引线框上，以形成半导体发光器件。根据该结构，使用在预定部分中具有优良光反射率的引线框形成半导体发光器件。这样能够有效地反射半导体发光元件的后光，从而对整个器件的高发光效率作出贡献。附图说明图1是本专利技术实施例所涉及的引线框的顶视图。图2是图1所示引线框的镀层结构的示意图。图3是形成封装之后引线框的透视图。图4是使用引线框的半导体发光器件的剖视图的示意图。图5是用于比较引线框的反射率的曲线图。图6是传统的引线框的镀层结构的示意图。具体实施例方式以下将参考附图详细描述本专利技术的实施例。(引线框的图案)图1是本专利技术实施例所涉及的引线框的顶视图。在图中，通过冲压或蚀刻引线框主体使其形成图示的图案，然后如后面所述的那样对引线框主体进行镀敷，从而形成引线框100。例如，引线框主体是铁合金或铜合金的薄板。在虚线框所示的每个区域中提供用于包围引线框100的一部分并且用于容纳诸如半导体发光元件等半导体元件的封装。所述封装包括基座和盖。所述基座具有用于安装半导体发光元件的凹陷。盖密封用于安装半导体发光元件的凹陷。在该说明书中，在虚线框所示的每个区域内的一部分引线框100，即，用封装包围的一部分引线框100，被称为内部部分，而在封装外部的一部分引线框100被称为外部部分。所述内部部分包括内部引线。所述内部部分还可以包括元件安装单元，所述元件安装单元单独设置或者作为内部引线的一部分。(镀敷)图2是是沿图1中线A-A’取的引线框100的镀层结构的示意图。将镍镀层102、钯镀层103和金薄镀层104依次涂敷到引线框主体101上，并进一步将银镀层105涂敷到内部部分的一部分上，而形成引线框100。例如，镍镀层102具有0.5至2.0μm的厚度，钯镀层103具有0.005至0.07μm的厚度，金薄镀层104具有0.003至0.01μm的厚度，以及银镀层105具有0.1或更大的厚度。这里，这些镀层可以用合金替代。也就是说，镍镀层102可以是镍合金镀层，钯镀层103可以是钯合金镀层，金薄镀层104可以是金合金薄镀层，以及银镀层105可以是银合金镀层。在镀敷之后，封装的基座被插至虚线所示的区域。基座由白色或浅色的绝缘树脂制成，诸如聚邻苯二甲酰胺。基座具有如图所示的凹陷，并且沿向上的方向释放位于凹陷中的半导体发光元件的光。在半导体发光元件被放置在凹陷中之后，用密封透明树脂(例如环氧树脂)填充凹陷以形成盖。基座和盖一起构成封装。应该指出的是，银镀层105只是局部地覆盖内部部件，即，用基座包围的内部部分分局部地不用银进行镀敷。(使用引线框100的半导体器件)图3是形成基座200之后，引线框100的透视图。图4是使用引线框100的半导体发光器件700的剖视示意图。通过以下步骤形成半导体发光器件700将半导体发光元件400安装到内部部分的暴露于基座200的凹陷的部分上；使用引线500将半导体发光元件400和内部部分连接起来；然后在凹陷中装入透明树脂300以形成盖。半导体发光元件400的光601直接向上释放，而半导体发光元件400的其他光602从内部和基座200反射，然后被释放。本专利技术的专利技术人证实这种结构的引线框具有以下优良属性。(光反射率)图5是用于比较引线框的光反射率的曲线。在硫酸钡的光反射率是100时，使用可见光—紫外线分光光度计测量每个样本，即样本1(本专利技术的镀银引线框部分)、样本2(比较例)和样本3(传统的例子)的引线框的光反射率。样本1具有上述结构。将铜触击镀层、厚度为3μm的银镀层依次涂敷到作为引线框主体的铜合金薄板上，形成样本2。样本2被用作比较例，所述比较例能够通过单层银镀层而提供与本专利技术类似的光反射率。样本3是传统的引线框。将厚度为1.0至1.2μm的镍镀层、厚度为0.03μm的钯镀层和厚度为0.008μm的金薄镀层依次涂敷到作为引线框主体的铜合金薄板上，从而形成样本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的引线框，包括：引线框主体；以及多个金属涂层，这些金属涂层包括银或银合金涂层并且被涂敷到引线框主体上，其中，银或银合金涂层是引线框的预定部分的最外层金属涂层，所述预定部分将被半导体器件的封装所包围。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：友广秀和，藤井雅行，佐藤典生，山田智行，草野富雄，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]