一种负压采样电路及芯片制造技术

技术编号:32380451 阅读:22 留言:0更新日期:2022-02-20 09:07
本申请实施例提供了一种负压采样电路及芯片,涉及负压采样电路技术领域,包括:电源输入端、负压采样端、钳位电路、充电电路、电平移位电路和电源输出端;钳位电路用于对充电电路第一端的电位进行钳位处理,钳位电路的第一端连接所述电源输入端,钳位电路的第二端连接负压采样端,钳位电路的第三端连接充电电路的第一端;充电电路用于输出充电控制信号至所述电平移位电路,所述充电电路的第二端连接电源输入端,充电电路的第三端连接电平移位电路;所述电平移位电路的第一端连接充电电路,电平移位电路的第二端为负压采样端,电平移位电路的第三端为电源输出端,电平移位电路的第四端连接所述电源输入端。接所述电源输入端。接所述电源输入端。

【技术实现步骤摘要】
一种负压采样电路及芯片


[0001]本公开实施例涉及负压采样电路
,更具体地,涉及负压采样电路及芯片。

技术介绍

[0002]负压采样电路被设置在电池保护芯片中,可以对电池的负压进行检测,一般情况下,负压来自于充电器,当充电器电压较大时,就会产生较大负压,现有技术在负压采样相关电路中全部使用栅源耐高压的高压MOS管以解决电池保护芯片的耐压问题。
[0003]但是高压MOS管尺寸大面积大,芯片面积大则成本高,且高压MOS管导通阈值较高,则最低工作电压较高;并且设置栅源耐高压的高压MOS管的栅氧层较厚,工艺较为落后,使用此类工艺制造的芯片面积较大;进而导致现有技术的负压采样电路结构适用范围较小。

技术实现思路

[0004]本公开的一个目的是提供一种负压采样电路及芯片的新的技术方案。
[0005]根据本公开的第一方面,提供了负压采样电路的一个实施例,包括:用于提供电源电压的电源输入端、用于采样的负压采样端、钳位电路、充电电路、电平移位电路和用于输出电源电压的电源输出端;钳位电路用于对所述充电电路第一端的电位进行钳位处理,所述钳位电路的第一端连接所述电源输入端,所述钳位电路的第二端连接所述负压采样端,所述钳位电路的第三端连接所述充电电路的第一端;充电电路用于输出充电控制信号至所述电平移位电路,所述充电电路的第二端连接所述电源输入端,所述充电电路的第三端连接所述电平移位电路;电平移位电路的第一端连接所述充电电路,所述电平移位电路的第二端为所述负压采样端,所述电平移位电路的第三端为所述电源输出端,所述电平移位电路的第四端连接所述电源输入端;
[0006]其中,所述电平移位电路中设置有多个开关管,所述电平移位电路用于对所述充电控制信号进行移位处理,并利用移位后的充电控制信号控制所述多个开关管的导通和关断,以输出电源电压。
[0007]可选地,所述钳位电路包括第一稳压管和第一电阻,所述第一稳压管的负极连接所述电源输入端,所述第一稳压管的正极连接所述第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端连接所述负压采样端,所述第一稳压管的正极连接所述充电电路的第一端。
[0008]可选地,所述充电电路的第三端设置有反相器,所述充电电路的第三端用于输出第一充电控制信号,所述反相器用于将所述第一充电控制信号转换为第二充电控制信号,所述反相器的输入端与所述充电电路的第三端连接,所述反相器的输出端与所述电平移位电路连接。
[0009]可选地,所述充电电路为0V充电电路。
[0010]可选地,所述电平移位电路包括多个开关模组,每一开关模组包括一电阻和所述多个开关管中的一开关管,所述多个开关模组包括第一开关模组、第二开关模组、第三开关模组和第四开关模组;
[0011]所述第一开关模组的第一端连接所述充电电路的第三端,所述第一开关模组的第二端连接所述第四开关模组,所述第一开关模组的第三端连接所述第二开关模组;
[0012]所述第二开关模组的第一端连接反相器的输出端,所述第二开关模组的第二端连接所述第一开关模组,所述第二开关模组的第三端连接所述第三开关模组;
[0013]所述第三开关模组的第一端连接所述第一开关模组,所述第三开关模组的第二端连接所述负压采样端,所述第三开关模组的第三端连接所述第二开关模组的第三端;
[0014]所述第四开关模组的第一端连接所述第一开关模组的第二端,所述第四开关模组的第二端连接所述第二开关模组,所述第四开关模组的第三端连接所述负压采样端。
[0015]可选地,所述第二开关模组中的开关管与电阻的中点为电源输出端。
[0016]可选地,所述开关管为MOS管,所述第一开关模组和所述第二开关模组中的开关管为PMOS管,所述第三开关模组和所述第四开关模组中的开关管为NMOS管。
[0017]可选地,所述第三开关模组的第三端与所述负压采样端之间设置有第二稳压管,所述第四开关模组的第一端与所述负压采样端之间设置有第三稳压管。
[0018]可选地,所述第二稳压管为击穿电压小于第三开关模组中MOS管耐压值的稳压管;所述第三稳压管为击穿电压小于第四开关模组中MOS管耐压值的稳压管。
[0019]根据本公开的第二方面,提供了芯片的一个实施例,包括:
[0020]电路板;
[0021]负压采样电路,所述负压采样电路设置在所述电路板上,所述负压采样电路为如本说明书的第一方面所述的负压采样电路。
[0022]本公开实施例的一个有益效果在于,实施例通过对钳位电路、充电电路和电平移位电路的电路结构进行改进,组成负压采样电路,可以大大减少高压MOS管的使用,从而更多使用低栅源耐压MOS管,利用本实施例电路制作的芯片面积缩小,成本降低。
[0023]通过以下参照附图对本说明书的示例性实施例的详细描述,本说明书的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0024]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本说明书的实施例,并且连同其说明一起用于解释本说明书的原理。
[0025]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0026]图1是本实施例的负压采样电路的电路结构示意图;
[0027]图2是本实施例的负压采样电路的另一电路图;
[0028]图3是本实施例的芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0029]现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。
[0030]下面将详细描述本技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自
始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
[0031]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。此外,说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一,字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0032]在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0033]下面,参照附图描述根据本技术的各个实施例和例子。
[0034]<实施例一>
[0035]参考图1,本实施本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负压采样电路,其特征在于,包括:用于提供电源电压的电源输入端、用于采样的负压采样端、钳位电路、充电电路、电平移位电路和用于输出电源电压的电源输出端;所述钳位电路用于对所述充电电路第一端的电位进行钳位处理,所述钳位电路的第一端连接所述电源输入端,所述钳位电路的第二端连接所述负压采样端,所述钳位电路的第三端连接所述充电电路的第一端;所述充电电路用于输出充电控制信号至所述电平移位电路,所述充电电路的第二端连接所述电源输入端,所述充电电路的第三端连接所述电平移位电路;所述电平移位电路的第一端连接所述充电电路,所述电平移位电路的第二端为所述负压采样端,所述电平移位电路的第三端为所述电源输出端,所述电平移位电路的第四端连接所述电源输入端;其中,所述电平移位电路中设置有多个开关管,所述电平移位电路用于对所述充电控制信号进行移位处理,并利用移位后的充电控制信号控制所述多个开关管的导通和关断,以输出电源电压。2.根据权利要求1所述的负压采样电路,其特征在于,所述钳位电路包括第一稳压管和第一电阻,所述第一稳压管的负极连接所述电源输入端,所述第一稳压管的正极连接所述第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端连接所述负压采样端,所述第一稳压管的正极连接所述充电电路的第一端。3.根据权利要求1所述的负压采样电路,其特征在于,所述充电电路的第三端设置有反相器,所述充电电路的第三端用于输出第一充电控制信号,所述反相器用于将所述第一充电控制信号转换为第二充电控制信号,所述反相器的输入端与所述充电电路的第三端连接,所述反相器的输出端与所述电平移位电路连接。4.根据权利要求1或3所述的负压采样电路,其特征在于,所述充电电路为0V充电电路。5.根据权利要求1所述的负压采样电路,其特征在于,所述电平移位电路包括多个开关模组,每一开关模组包括一电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑伟彬罗广泉
申请(专利权)人:比亚迪半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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