高分子发光二极管制造方法技术

本发明专利技术涉及一种高分子发光二极管制造方法，其包括以下步骤：提供一基底；在该基底上形成一阳极层；在该阳极层上形成一高分子发光层；使用超声波处理该高分子发光层。本发明专利技术的高分子发光二极管制造方法可以制造出具有较高发光纯度的高分子发光二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
随着科学技术的飞速发展，人们对显示装置的要求也日趋提高，使得显示装置向更轻、更薄、更省电方向发展，因此产生了有机发光二极管显示器。与液晶显示器相比较，有机发光二极管显示器是自发光显示，不需要能耗较大的背光模块，所以能够更轻、更薄、更省电。根据所用有机薄膜材料的不同，有机发光二极管可以分为小分子发光二极管与高分子发光二极管。有机发光二极管通常包括电子注入层、电子传输层、有机发光层、电洞传输层及电洞注入层等多层薄膜结构，该多层薄膜结构是通过成膜方法形成，其中有机发光层的品质对有机发光二极管的品质影响较大。中，成膜一般是采用旋转涂覆法或者喷墨打印法。旋转涂覆法制造简单、成本低，但不利于实现彩色化，因此常使用容易实现彩色化的喷墨打印法。请参阅图1，是一种现有技术的流程图。该包括如下步骤提供一基底；在该基底表面形成阳极层；在该阳极层表面形成高分子发光层；烘烤该高分子发光层；封合该高分子发光层。在使用喷墨打印法形成高分子发光层的过程中，高分子沉积时缺少伸展机制，高分子链倾向卷曲，而形成的高分子发光层具有大量卷曲的高分子链，导致所形成的高分子发光二极管的发光波长范围较宽，发光纯度较低。
技术实现思路
为了解决现有技术所得高分子发光二极管发光纯度低的问题，有必要提供一种可以制造出具有较高发光纯度的高分子发光二极管的。一种，包括如下步骤提供一基底；在该基底上形成一阳极层；在该阳极层上形成一高分子发光层；使用超声波处理该高分子发光层。与现有技术相比，该在形成高分子发光层后，使用超声波处理该高分子发光层，获得高分子较为伸展的高分子发光层，提高所形成高分子发光二极管的发光纯度。附图说明图1是一种现有技术的流程图。图2是本专利技术一较佳实施方式的流程图。具体实施方式请参阅图2，是本专利技术一较佳实施方式的流程图。该包括如下步骤提供一基底；在该基底上形成一阳极层；在该阳极层上形成高分子发光层；超声波处理该高分子发光层；烘烤该高分子发光层；封合该高分子发光层。具体如下(1)提供一基底该基底作为其它组件的载体，其材料通常是玻璃、有机薄膜或者塑料。(2)形成阳极层在该基底上形成该阳极层。该阳极层可以是透明导电材料，比如氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)或者氧化铟锌(indium zincoxide，IZO)，也可以是较薄而光线可以透过的金属导电膜。该阳极层可以通过溅镀法形成。具体步骤是将氧化铟锡或者氧化铟锌靶材设置在真空腔体内，在真空腔体内施加电场，使氩(Argon，Ar)气体产生弧光放电，氩离子Ar+在电场内将获得动能并冲击靶材表面，使氧化铟锡或者氧化铟锌溅落到基底表面而堆积成膜，并且加装磁极让磁力线平行在阴极表面使氩离子Ar+冲撞阴极靶材的次数增加，即使在低放电气体压力下也能够在低温环境下镀氧化铟锡或者氧化铟锌膜。(3)形成高分子发光层高分子发光层是通过喷墨打印法形成。将含有高分子材料的溶液装入喷涂装置，通过加热产生气泡或者其它方法挤压含高分子材料的溶液，将含有高分子材料的溶液喷涂到基底上而形成高分子发光层。该高分子材料是高分子电激发光材料，其分子量大约是10000～100000，通常是导电共轭聚合物或者半导体共轭聚合物，比如聚苯基乙烯(ploy-phenylene vinylene，PPV)系、聚氟(poly-fluorene，PF)系等共轭高分子。(4)超声波处理高分子发光层使用超声波处理该高分子发光层。超声波可以震荡该高分子发光层中的高分子链，并辅助高分子链伸展。该超声波的频率是1×106Hz到1×107Hz，其处理时间可以根据所用高分子材料及所需的高分子链伸展需求而具体调整。(5)烘烤将基底与高分子发光层放入烤炉中，烘烤使其中的溶剂挥发。(6)封合使用封合罐封合该高分子发光层。该封合罐内含有干燥剂和接着剂。封合时，将已进行气体脱泡处理的紫外线接着剂涂覆到该高分子发光层表面，封合该高分子发光层而使该高分子发光层与大气隔绝并充分去除水份。该在形成高分子发光层后，使用超声波处理该高分子发光层，而获得高分子较为伸展的高分子发光层，提高所形成的高分子发光二极管的发光纯度。权利要求1.一种，包括以下步骤提供一基底；在该基底上形成一阳极层；在该阳极层上形成一高分子发光层；使用超声波处理该高分子发光层。2.如权利要求1所述的，其特征在于该超声波的频率是1×106Hz到1×107Hz。3.如权利要求1所述的，其特征在于该基底的材料是玻璃、有机薄膜或者塑料。4.如权利要求1所述的，其特征在于该阳极层的材料是氧化铟锡或者氧化铟锌。5.如权利要求1所述的，其特征在于该阳极层是金属导电膜。6.如权利要求1所述的，其特征在于该高分子发光层的高分子材料的分子量是10000到100000。7.如权利要求6所述的，其特征在于该高分子发光层的材料是导电共轭聚合物或者半导体共轭聚合物。8.如权利要求7所述的，其特征在于该高分子发光层的材料是聚苯基乙烯。9.如权利要求1所述的，其特征在于在超声波处理该高分子发光层后烘烤该高分子发光层。10.如权利要求9所述的，其特征在于在烘烤该高分子发光层后封合该高分子发光层。全文摘要本专利技术涉及一种，其包括以下步骤提供一基底；在该基底上形成一阳极层；在该阳极层上形成一高分子发光层；使用超声波处理该高分子发光层。本专利技术的可以制造出具有较高发光纯度的高分子发光二极管。文档编号H01L51/50GK1979916SQ20051010228公开日2007年6月13日 申请日期2005年12月7日 优先权日2005年12月7日专利技术者黄荣龙, 彭家鹏 申请人:群康科技(深圳)有限公司, 群创光电股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子发光二极管制造方法，包括以下步骤：提供一基底；在该基底上形成一阳极层；在该阳极层上形成一高分子发光层；使用超声波处理该高分子发光层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄荣龙，彭家鹏，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]