解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法技术

本发明专利技术公开了一种解决金属硅化物沉淀沿ＳＴＩ边缘小角向下延伸的方法，在现有工艺进行金属硅化物沉淀前先沉淀一层二氧化硅膜，然后进行一次光刻，保护住ＳＴＩ部分并且向两侧延伸，再通过刻蚀去除未保护部分二氧化硅膜。本发明专利技术方法可以解决由于ＳＴＩ边缘的凹陷小角的存在，导致的难溶金属硅化物生长沉淀的过程中沿着凹陷小角向下延伸的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件制造工艺，特别涉及一种解决金属硅化物沉淀沿STI(浅沟隔离Shallow Trench Isolation)边缘小角向下延伸的方法。
技术介绍
目前对于现有的小尺寸MOS器件，浅沟隔离(STI)技术已经应用的非常广泛。在器件制造的工艺流程中，由于STI边缘的凹陷小角的存在，常常导致在难溶金属硅化物(Salicide)生长沉淀的过程中沿着凹陷小角向下延伸(如图1所示)，这种Salicide的向下延伸客观上会导致STI两侧的结(Junction)深变浅，泄漏电流(Leakage)增大，这已经对器件的性能造成很大影响，对现有的工艺要求难度增加。对于一些小功率器件，对于泄漏电流要求很高的制程，这已成为工艺中迫切需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法，以解决由于STI边缘的凹陷小角的存在，导致的难溶金属硅化物生长沉淀的过程中沿着凹陷小角向下延伸的问题。为解决上述技术问题，本专利技术方法在现有工艺进行金属硅化物沉淀前先沉淀一层二氧化硅膜，然后进行一次光刻，保护住STI部分并且向两侧延伸，再通过刻蚀去除未保护部分二氧化硅膜。本专利技术由于增加了沉淀二氧化硅膜等流程，可以解决由于现有STI工艺造成的边缘小角所造成的泄漏电流过大的问题。附图说明图1是现有技术的工艺效果；图2是本专利技术工艺流程示意图；图3是本专利技术工艺一个具体实施例各步骤工艺效果示意图。具体实施例方式下面结合附图及具体实施例对本专利技术作进一步详细的说明。如图2所示，是本专利技术工艺流程示意图。如图所示，本专利技术方法通过在salicide沉积前先沉淀一层二氧化硅膜，通过一次光刻，保护住STI部分并且适当向两侧延伸，再通过刻蚀把未保护部分二氧化硅膜去除，这样，STI和其边缘部分的凹陷小角就被克服了，紧接着进行salicide工艺就不会再出现salicide在沉积的过程中沿STI的侧壁向下延伸的问题，这样最终器件的泄漏电流就可以得到控制。如图3所示，是本专利技术工艺一个具体实施例各步骤工艺效果示意图。首先是器件形成，然后进行沉淀一层二氧化硅膜、光刻、二氧化硅膜刻蚀，这样STI和其边缘部分的凹陷小角就被克服了，紧接着进行salicide工艺就不会再出现salicide在沉积的过程中沿STI的侧壁向下延伸的问题。综上所述，本专利技术在STI形成以后，在salicide沉积前先，通过一次光刻，保护住STI部分并且适当向两侧延伸，再通过刻蚀把未保护部分二氧化硅膜去除，再进行salicide工艺最终器件的泄漏电流就可以得到控制。权利要求1.一种解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法，在STI形成以后，其特征在于，在金属硅化物沉淀前先沉淀一层二氧化硅膜，然后进行一次光刻，保护住STI部分并且向两侧延伸，再通过刻蚀去除未保护部分二氧化硅膜。全文摘要本专利技术公开了一种解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法，在现有工艺进行金属硅化物沉淀前先沉淀一层二氧化硅膜，然后进行一次光刻，保护住STI部分并且向两侧延伸，再通过刻蚀去除未保护部分二氧化硅膜。本专利技术方法可以解决由于STI边缘的凹陷小角的存在，导致的难溶金属硅化物生长沉淀的过程中沿着凹陷小角向下延伸的问题。文档编号H01L21/3205GK1983527SQ20051011155公开日2007年6月20日 申请日期2005年12月15日 优先权日2005年12月15日专利技术者陈晓波, 陈华伦, 胡君 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种解决金属硅化物沉淀沿ＳＴＩ边缘小角向下延伸的方法，在ＳＴＩ形成以后，其特征在于，在金属硅化物沉淀前先沉淀一层二氧化硅膜，然后进行一次光刻，保护住ＳＴＩ部分并且向两侧延伸，再通过刻蚀去除未保护部分二氧化硅膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓波，陈华伦，胡君，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]