制造半导体结构的方法技术

公开了一种制造半导体结构的方法，其中该方法包括在半导体层上形成层间介电层（ＩＬＤ），在ＩＬＤ上形成导电的镀敷增强层（ＰＥＬ），图形化ＩＬＤ和ＰＥＬ，将籽层沉积到由ＩＬＤ和ＰＥＬ形成的图形中，之后在籽层上镀敷铜。ＰＥＬ用于降低横跨晶片的电阻，以利于镀敷铜。ＰＥＬ优选是光学透明和导电的层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：获得半导体晶片；在半导体层上形成层间介电层；在层间介电层上形成导电的镀敷增强层；图形化层间介电层和镀敷增强层；将籽层沉积到由层间介电层和镀敷增强层形成的图 形中；和在籽层上镀敷铜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：肖姆波诺斯，约翰安东尼菲茨西蒙斯，史蒂文夏伊格聪，特里A斯普纳，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]