外延测试片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种外延测试片的制备方法，包括如下步骤：第一步，选择测试片；第二步，激光打印片号；第三步，测试片清洗；第四步，氧化层生长；第五步，光刻并形成高浓度窗口；第六步，锑注入；第七步，扩散推进及退火；第八步，氧化层去除及清洗；第九步，进行外延生长；第十步，测量外延的膜厚和电阻率。本发明专利技术能在一片测试片上完成外延的膜厚及电阻率的测量，并能提高设备产能及降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种外延测试片的制备方法，包括如下步骤：首先选择测试片，然后进行外延生长，最后测量外延的膜厚和电阻率，其特征在于，在选择测试片之后，进行外延生长之前还包括如下步骤：第一步，激光打印片号；第二步，清洗测试片；第三步，氧化层生长；第四步，光刻并形成高浓度窗口；第五步，锑注入；第六步，扩散推进及退火；第七步，氧化层去除及清洗。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张洪伟，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]