晶片制造技术

本发明专利技术是一种具有在圆形的晶片衬底的表面上形成多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片，在晶片衬底的外周剩余区域的外周端部，从表面到背面形成了截面形状形成圆弧面的倒角部，在倒角部上形成垂直于表面和背面的平坦面，作为示出晶片衬底的结晶方位的标记，在平坦面上打印上用于特定晶片衬底的识别代码。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在晶片衬底的表面上形成IC、 LSI等器件的半导体晶片等的晶片。背景狱在半导mi件制紅艺中，在大致圆板微的晶片衬底的表面上，禾U用网 状排列的被称作空白渠道(street)的分割预定线划分出多个区域，通过在iMU 分的区域中形成IC、 LSI等器件，就构成了半导体晶片。这样构成的半导体晶 片，通过沿着空白渠道切断来分割已形成了器件的区域，就制成了一个个的器 件。此外，在蓝宝石(sapphire)衬底的表面上层叠了氮化镓系化合物半导体等 的光器件晶片，也通过沿着空白渠道切断来将其分割为一个个的发光二极管、 激光二极管等光器件，广泛利用在电气设备中。如上戶;f^t也分割的晶片，在沿着空白魏切断之前，M磨削或刻蚀其背面，将其形成为规定的厚度。近年，为了达到电气设备的轻量化和小型化，要 求将晶片的厚度形鹏50拜以下。但是，若将晶片的厚度形鹏50pm以下，就容易破损，具有晶片的艇 ，作变得困难的问题。为了解^JlM问题，在日本特开2007—19461号公报中公开了一种晶片的 加工方法，该方法M31磨削晶片背面的与器件区域相对应的区域，将器件区域 的厚度形成为规定厚度，同时，使晶片背面的外周部分残留形鹏形的加强部， 就眘,形成具有刚性的晶片。但是，在晶片的外周形成有示出晶片的结晶方位的槽口，即使磨削晶片背 面的与器件区嫩目对应的区域，使晶片背面的外周部分残留形成环形的加强部， 槽口部分也是变得极薄，难以确保足够的3艘。为了解决战问题，在日本特开2007—189093号公报中公开了一种晶片， 该晶片由形成在晶片外周面上的圆弧面构成倒角部，利用该倒角部，在该倒角部上形成了垂直于表面和背面的平坦面，作为示出晶片的结晶方位的^H己。另一方面，在晶片上打印用于在制^1程中特定晶片的由条形码等构成的 识别代码。如日本特开平11—135390号公报中公开的那样，将该识别代码打印 在晶片的表面、背面或外周面上。但是，在晶片的背面打印了识别代码的情况下，具有若为了将晶片形成为 规定的厚度而磨削晶片的背面，贝附印上的识别代码就消失了的问题。此外，若将识别代码印在晶片的表面上，就有限制了形成器〗牛的区域，同 时，在为了将晶片形成为规定的厚度而磨削晶片的背面时，若在晶片的表面上 粘贴被称为BG带的保护带，就不會,识别识别代码的问题。此外，若在晶片的外周面上打印识别代码，则由于晶片的外周面形成了由 圆弧面构成的倒角部，因此，有难以打印上识别代码，并且在读取识别代码时 有可能误识别。再有，若在形成在晶片外周的示出结晶方位的定位平面上打印识别代码， 则虽然解决了上述问题，但是，设置了定位平面的晶片其形成器件的区域减少 了，因此在生产率方面有问题。特别是在磨削晶片背面上的与器件区域相对应 的区域，将器件区域的厚度形成为规定厚度，同时使晶片背面上的外周部分残 留形成环形的加强部的情况下，由于必须要在不涉及到定位平面的范围中形成 环形的加强部，因此，器件区鞭小了，會,形成的器#^>了。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于特定晶片的识别代码不会因为背面的磨削 而消失，不限制器件区域，并且倉,不误识别地读^^打印的识别代码的晶片。为了达到战目的，根据本专利技术樹共一种晶片，该晶片具有在圆形的晶片 衬底的表面上形成多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其 特征在于，在晶片衬底的该外周剩余区域的夕卜周端部，从表面至憎面形成有截面微 为圆弧面的倒角部，在该倒角部上形成垂直于表面和背面的平坦面，作为示出 晶片衬底的结晶方位的iH己在该平坦面上打印用于特定晶片衬底的识别代码。优选从上述平坦面的晶片衬底的厚度方向中心向表面侧打印上述识别代码。本专利技术的晶片，由于在晶片衬底的外周剩余区域的外周端部形成倒角部， 在倒角部形成作为结晶方位识别标记的平坦面，因此，与现有的作为结晶方位 识别标记的槽口和定位平面相比，M卜周面的切进量极小，因此，即使扩大器 件区域，也能够充分确保外周剩余区域的宽度。从而，會巨够扩大器件区域，因 此能够增大器件的生产数量。财卜，由于作为结晶方位识别新己的平坦面构成 了垂直于晶片衬底的表面和背面的面，因此，准确地反射从侧面射入的光线， 从而，能够准确地识别，能够充分起到作为结晶方位识别标记的作用。另外， 由于在上述平坦面上打印用于特定晶片衬底的识别代码，因此，打印容易，并 且在读取所印的识别代码时也不^识别。此外，由于在晶片衬底的外周剩余 区域的外周端部形成倒角，在形成在倒角部的作为结晶方位识别标记的平坦面 上打印用^ff寺定晶片衬底的识别代码，因此，即使磨削晶片衬底的背面，识别 代码也不消失。附图说明图1是根据本专利技术构成的作为晶片的半导体晶片的斜视图。图2 (a)和(b)是放大示出图1所示的半导体晶片的主要部分的咅U面图 和侧视图。图3是示出在图1所示的半导体晶片的表面上粘贴了i^户部件的状态的斜 视图。图4是用于磨削图1所示的半导体晶片的背面的磨削装置的斜视图。 图5是利用图4所示的磨削，所实施的加强部形成工艺的说明图。 图6是实施了图5所示的加强部形成工艺后的半导体晶片的剖面图。 图7是实施了图5所示的加强部形成工艺后的半导体晶片的斜视图。 图8是在磨削图1所示的半导体晶片的背面形成为一半厚度之后，实施了 图5所示的加强部形成工艺后的半导体晶片的糾见图。具体实施力'式以下，参照附图，关于根据本专利技术构成的晶片的最佳实施方式详细;tea行 说明。图1中示出了根据本专利技术构成的作为晶片的半导体晶片的斜视图。图1中示出的半导体晶片2，在由例如厚度为700pm的硅构成的晶片衬底20的表面 20a上，格子状排列着多条空白渠道21，同时，在由该多条空白渠道21划分的 多个区域中形成了 IC、 LSI等器件22。这样形成的晶片衬底20具有形成多个器 件22的器件区域220和围绕该器件区域220的外周剩余区域230。此外，为了 防止由于不小心受到的冲击而产生,和破碎，如图2 (a)所示，在晶片衬底 20的夕卜周端部、艮口外周剩余区域230的外周端部，从表面20a到背面20b形成 了截面皿为圆弧面的倒角部231。如图2 (b)所示，在该倒角部231中，在 规定制社形成了作为示出晶片衬底20的结晶方位识别衞己的平坦面232。中，形成作为上述结晶方位识别口:码的平坦面232，口:^成为垂;于晶片衬底20的表面20a和背面20b。在例如晶片衬底20的外径是200mm的情况下，在 距影卜周的深度(H)是0.5mm的位置中，该平坦面232为长径(D)大约是 10mm的椭圆形。由于这样地在形成在晶片衬底20的外周剩余区域230的外周 端部的倒角部231的范围中形成作为结晶方位识别代码的平坦面232，因此，与现有的作为结晶方位识别Si己的槽口和定位平面相比，M卜周面的切进量极小， 因此，即使扩大器件区域220，也能够充分确保外周剩余区域230的宽度。从而， 能^T大器件区域220，因此會,增大器件的生产数量。此外，由于作为结晶方 位识别裕己的平坦面232构成了垂直于晶片衬底的表面20a和背面20b的面， 因此，准确地反射从侧面射入的光线，从而，育,准确地识别，能够充分起到 作为结晶方位识别标己的作用。这样地在形成了作为结晶方位识别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片，具有在圆形的晶片衬底的表面上形成多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其特征在于，　在晶片衬底的该外周剩余区域的外周端部，从表面到背面形成有截面形状为圆弧面的倒角部，在该倒角部上形成垂直于表面和背面的平坦面，作为示出晶片衬底的结晶方位的标记，在该平坦面上打印用于特定晶片衬底的识别代码。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：关家一马，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]