共模扼流圈制造技术

本发明专利技术提供层叠型的共模扼流圈，即使在例如25GHz～30GHz这样的较高的频带，甚至在超过30GHz这样的极高的频带中，也能够使差模信号透过，并且抑制共模噪声成分。共模扼流圈(1)具备：层叠体(2)，具有多个非导电体层(3a～3e)；第一线圈(11)以及第二线圈(12)，内置于层叠体(2)；第一端子电极(13)以及第二端子电极(14)，与第一线圈(11)连接；以及第三端子电极(15)以及第四端子电极(16)，与第二线圈(12)连接，其中，当将第一线圈(11)的路径长度设为L1，并将第二线圈(12)的路径长度设为L2时，使L1和L2的合计长度为3.5mm以下，并且使非导电体层(3a～3e)的相对介电常数为11以下。3e)的相对介电常数为11以下。3e)的相对介电常数为11以下。

【技术实现步骤摘要】
共模扼流圈


[0001]该专利技术涉及共模扼流圈，特别是涉及具备具有层叠的多个非导电体层的层叠体、和内置于层叠体的第一线圈以及第二线圈的层叠型的共模扼流圈。

技术介绍

[0002]对于该专利技术来说感兴趣的技术例如记载于日本特开2006－313946号公报(专利文献1)。专利文献1所记载的技术涉及层叠型的共模扼流圈，该共模扼流圈是超小型的薄膜型的扼流圈，能够进行GHz附近的传输信号的高速传输。更具体而言，在专利文献1记载了当将传输信号(差模信号)的衰减特性为－3dB的频率定义为截止频率时，该截止频率为2.4GHz以上的共模扼流圈。
[0003]专利文献1：日本特开2006－313946号公报
[0004]由于高速通信技术的发展，需要能够在更高频下，使差模信号透过，并且抑制共模噪声成分的层叠型的共模扼流圈。

技术实现思路

[0005]因此，该专利技术的目的在于例如提供即使在25GHz～30GHz等较高的频带，甚至在超过30GHz的极高的频带中，也能够使差模信号透过，并且抑制共模噪声成分的层叠型的共模扼流圈。
[0006]该专利技术所涉及的共模扼流圈具备：层叠体，具有被层叠的多个非导电体层，上述非导电体层由非导电体构成；第一线圈以及第二线圈，内置于层叠体；第一端子电极以及第二端子电极，设置于层叠体的外表面，并分别与第一线圈的相互不同的第一端以及第二端电连接；以及第三端子电极以及第四端子电极，设置于层叠体的外表面，并分别与第二线圈的相互不同的第三端以及第四端电连接。
[0007]第一线圈具有第一线圈导体，该第一线圈导体沿着非导电体层间的界面配置，第二线圈具有第二线圈导体，该第二线圈导体沿着与配置了第一线圈导体的非导电体层间的界面不同的非导电体层间的界面配置。
[0008]为了解决上述的技术课题，在该专利技术中，第一特征在于当将第一线圈的路径长度设为L1，并将第二线圈的路径长度设为L2时，L1和L2的合计长度为3.5mm以下，并且第二特征在于非导电体层的相对介电常数为11以下。
[0009]根据该专利技术，能够降低第一线圈与第二线圈之间的杂散电容，所以特别是能够抑制作为信号成分的差模成分的例如20GHz～40GHz下的衰减，由此，能够使共模扼流圈的高频特性提高。
附图说明
[0010]图1是表示该专利技术的一实施方式的共模扼流圈1的外观的立体图。
[0011]图2是分解表示图1所示的共模扼流圈1的主要部分的俯视图。
[0012]图3是图1所示的共模扼流圈1的俯视图，是示意地表示在层叠方向透视内置于层叠体2的第一线圈11以及第二线圈12的图。
[0013]图4是表示图1所示的共模扼流圈1中的第一线圈11所具备的第一线圈导体17的俯视图，是用于说明线圈导体的匝数的图。
[0014]图5是示意地表示在为了确认该专利技术的效果而实施的实验例中制成的共模扼流圈的样品中的样品9所涉及的共模扼流圈1的沿着图1的线A－A的剖视图。
[0015]图6是表示对在上述实验例中制成的共模扼流圈的样品中的样品8所涉及的共模扼流圈求出的共模成分的透过特性(Scc21透过特性)的图。
[0016]图7是表示对上述样品8所涉及的共模扼流圈求出的差模成分的透过特性(Sdd21透过特性)的图。
[0017]附图标记说明
[0018]1…
共模扼流圈，2
…
层叠体，3、3a、3b、3c、3d、3e
…
非导电体层，5、6
…
主面，7、8
…
侧面，9、10
…
端面，11
…
第一线圈，12
…
第二线圈，13～16
…
端子电极，17、18
…
线圈导体，33
…
空穴。
具体实施方式
[0019]参照图1～图4，对该专利技术的一实施方式的共模扼流圈1进行说明。
[0020]如图1所示，共模扼流圈1具备具有被层叠的多个非导电体层的层叠体2。在图2图示有多个非导电体层中代表性的非导电体层3a、3b、3c、3d以及3e。以下，除了如图2所示的非导电体层3a、3b、3c、3d以及3e那样相互进行区分的情况之外，在对非导电体层进行一般的说明的情况下，对非导电体层使用“3”的参照附图标记。非导电体层3例如由包含玻璃以及陶瓷的非导电体构成。
[0021]层叠体2是具有向非导电体层3的延伸方向延伸并且相互对置的第一主面5以及第二主面6、连结第一主面5以及第二主面6间并且相互对置的第一侧面7以及第二侧面8、分别连结第一主面5以及第二主面6间和第一侧面7以及第二侧面8间并且相互对置的第一端面9以及第二端面10的长方体形状。长方体形状例如也可以是对棱线部分以及角部分赋予倒圆或者倒角的形状。
[0022]如图2以及图3所示，共模扼流圈1具备内置于层叠体2的第一线圈11以及第二线圈12。另外，如图1所示，共模扼流圈1具备设置于层叠体2的外表面的第一端子电极13、第二端子电极14、第三端子电极15以及第四端子电极16。更具体而言，第一端子电极13以及第三端子电极15设置于第一侧面7，第二端子电极14以及第四端子电极16分别具有与第一端子电极13以及第三端子电极15对称的形状，并设置于第二侧面8。
[0023]如图2所示，第一端子电极13以及第二端子电极14分别与第一线圈11的相互不同的第一端11a以及第二端11b电连接。第三端子电极15以及第四端子电极16分别与第二线圈12的相互不同的第三端12a以及第四端12b电连接。
[0024]在以下的说明中，非导电体层3a、3b、3c、3d以及3e按照图2所示的顺序由下向上层叠。
[0025]参照图2，第一线圈11具有沿着非导电体层3b以及3c间的界面配置的第一线圈导体17。第一线圈11具有分别提供第一端11a以及第二端11b的第一引出导体19以及第二引出
导体20。第一引出导体19包含在层叠体2的外表面与第一端子电极13连接的第一连接端部23。第二引出导体20包含在层叠体2的外表面与第二端子电极14连接的第二连接端部24。
[0026]上述第一连接端部23沿着与配置了第一线圈导体17的非导电体层3b以及3c间的界面不同的非导电体层3a以及3b间的界面配置。另外，第一引出导体19具有与第一线圈导体17连接并且在厚度方向贯通位于第一线圈导体17与第一连接端部23之间的非导电体层3b的第一通孔导体27、和沿着配置了第一连接端部23的非导电体层3a以及3b间的界面配置并且将第一通孔导体27与第一连接端部23连接的第一连结部29。优选第一连结部29具有直线状地延伸的形状。由此，能够减小起因于第一连结部29的电感，能够使高频特性提高。
[0027]另一方面，在第二线圈12中，如以下说明的那样，也具备与第一线圈11的情况相同的要素。
[0028]第二线圈12具有沿着非导电体层3c以及3d间的界面配置的第二线圈导体18。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种共模扼流圈，具备：层叠体，具有被层叠的多个非导电体层，上述非导电体层由非导电体构成；第一线圈以及第二线圈，内置于上述层叠体；第一端子电极以及第二端子电极，设置于上述层叠体的外表面，并分别与上述第一线圈的相互不同的第一端以及第二端电连接；以及第三端子电极以及第四端子电极，设置于上述层叠体的外表面，并分别与上述第二线圈的相互不同的第三端以及第四端电连接，上述第一线圈具有第一线圈导体，该第一线圈导体沿着上述非导电体层间的界面配置，上述第二线圈具有第二线圈导体，该第二线圈导体沿着与配置了上述第一线圈导体的上述非导电体层间的界面不同的上述非导电体层间的界面配置，当将上述第一线圈的路径长度设为L1，并将上述第二线圈的路径长度设为L2时，上述L1和上述L2的合计长...

【专利技术属性】
技术研发人员：松浦耕平，比留川敦夫，植木大志，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：