发光元件及显示装置制造方法及图纸

技术编号:32354031 阅读:20 留言:0更新日期:2022-02-20 03:10
本发明专利技术公开一种发光元件及显示装置,其中该发光元件包含:一半导体叠层;以及一滤光层,位于半导体叠层上,包含一第一表面面对半导体叠层以及一第二表面相对于第一表面;其中:发光元件发出一光线;所述光线包含在一第一方向光,具有一第一半高宽;以及在一第二方向光,具有一第二半高宽;其中第一方向与第二表面的一法线方向的夹角介于45~90度,第二方向与第二表面的该法线方向的夹角介于0~30度;以及第二半高宽小于第一半高宽。二半高宽小于第一半高宽。二半高宽小于第一半高宽。

【技术实现步骤摘要】
发光元件及显示装置


[0001]本专利技术涉及一种发光元件及显示装置,特别是涉及一种具有滤光层的发光元件及具有此发光元件的显示装置。

技术介绍

[0002]固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有低功率消耗、高亮度、高演色性、及体积小等优点,已广泛用于各式照明及显示装置。举例而言,发光元件作为显示装置的像素,可以取代传统液晶显示装置,并实现更高画质的显示效果。当发光元件应用于显示装置,如何维持发光元件的光电特性并提升显示装置的显示效果,为本
人员所研究开发的目标之一。

技术实现思路

[0003]一种发光元件,包含:一半导体叠层;以及一滤光层,位于半导体叠层上,包含一第一表面面对半导体叠层以及一第二表面相对于第一表面;其中:发光元件发出一光线;所述光线包含在一第一方向光,其具有一第一半高宽;以及在一第二方向光,其具有一第二半高宽;第一方向与第二表面的法线方向的夹角介于45~90度,第二方向与第二表面的法线方向的夹角介于0~30度;以及第二半高宽小于第一半高宽。
[0004]一种发光元件,包含:一半导体叠层,发出一第一光线;以及一滤光层,位于半导体叠层上,包含一第一表面面对半导体叠层以及一第二表面相对于第一表面;其中:第一光线经由滤光层得到一第二光线;第一光线具有一第一半高宽,第二光线具有一第二半高宽;以及第二半高宽小于第一半高宽,及/或第二光线具有一半高宽小于或等于25nm。
[0005]一种发光元件,包含:一半导体叠层,发出一第一光线;以及一滤光层,位于半导体叠层上,包含一第一表面面对半导体叠层以及一第二表面相对于第一表面;其中:滤光层包含交互堆叠的一第一介电材料层以及一第二介电材料层;第一光线经由滤光层得到一第二光线;以及发光元件具有一发散角介于50度至110度。
附图说明
[0006]图1为本专利技术第一实施例发光元件1的示意图;
[0007]图2A及图2B为本专利技术一实施例发光元件中滤光层的一截面局部放大图;
[0008]图3为本专利技术一实施例所模拟的实验结果图;
[0009]图4为本专利技术第二实施例发光元件2的示意图;
[0010]图5为本专利技术第三实施例发光元件3的示意图;
[0011]图6为本专利技术第四实施例发光元件4的示意图;
[0012]图7A及图7B为本专利技术第五实施例发光元件5的示意图;
[0013]图8A至8C为本专利技术第三实施例发光元件3与一比较例发光元件的实验比较图;
[0014]图9为本专利技术第三实施例的发光元件3依不同角度所测量的波长与光强度图;
[0015]图10A为本专利技术一实施例的显示装置101的上视示意图;
[0016]图10B为本专利技术一实施例一个像素PX的截面示意图;
[0017]图10C为本专利技术一实施例发光元件封装体的截面示意图;
[0018]图11为本专利技术第六实施例发光元件9的示意图;
[0019]图12为本专利技术第六实施例发光元件9的光路径示意图;
[0020]图13为第六实施例的发光元件9与比较例发光元件的光强度分布图;
[0021]图14为本专利技术一实施例感测模块的截面示意图。
[0022]符号说明
[0023]1、2、3、4、5、9
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发光元件
[0024]6、6
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发光元件封装体
[0025]8a、8b
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电路接合垫
[0026]10
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基板
[0027]10a
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基板第一表面
[0028]10b
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基板第二表面
[0029]11a、11b
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发光单元
[0030]101
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显示装置
[0031]201
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感测模块
[0032]110
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电路层
[0033]130
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数据线驱动电路
[0034]140
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扫描线驱动电路
[0035]12
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半导体叠层
[0036]121
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第一半导体层
[0037]121a
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第一表面
[0038]121b
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第二表面
[0039]122
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第二半导体层
[0040]122a
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第二半导体层表面
[0041]123
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活性层
[0042]16
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反射结构
[0043]18
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透明导电层
[0044]20、20

、20
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第一电极
[0045]30、30

、30
”ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二电极
[0046]26
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保护层
[0047]261、262
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保护层开口
[0048]36
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绝缘层
[0049]40
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光感测元件
[0050]50、50
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滤光层
[0051]50a
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第一子层
[0052]50b
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第二子层
[0053]50c
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第三子层
[0054]50d
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第四子层
[0055]50e、50e
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滤光层表面
[0056]501、502
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开孔
[0057]60
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连接电极
[0058本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件,包含:半导体叠层;以及滤光层,位于该半导体叠层上,包含第一表面面对该半导体叠层以及第二表面相对于该第一表面,其中该滤光层包含交互堆叠的第一介电材料层以及第二介电材料层;其中:该发光元件发出光线;该光线包含第一方向光,且具有第一半高宽,以及第二方向光,且具有第二半高宽;该第一方向光与该第二表面的法线方向的夹角介于45~90度,该第二方向光与该第二表面的该法线方向的夹角介于0~30度;以及该第二半高宽小于该第一半高宽。2.如权利要求1所述的发光元件,其中该光线具有主波长以及峰值波长,该主波长与该峰值波长的差值小于3nm,以及该滤光层对于该峰值波长具有80%以上的穿透率。3.如权利要求1所述的发光元件,其中该光线具有峰值波长介于525nm至535nm,且该光线基于CIE 1931色度坐标具有色度坐标值(X1,Y1),其中X1≤0.2,Y1≥0.75,及/或该光线具有色纯度大于或等于92%。4.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二半高宽小于或等于25nm,及/或该光线在该第二方向的光强度大于该光线在该第一方向的光强度。5.如权利要求1所述的发光元件,还包含基板位于该半导体叠层与该第一表面之间,且该第一表面面对该基板,或还包含反射结构位于该半导体叠层下并覆...

【专利技术属性】
技术研发人员:卓亨颖沈立宇洪侑毅欧震张利铭
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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