电压比较器及方法技术

公开了电压比较器及方法。一种实施例电子设备包括：第一电路，包括串联耦合在施加电源电压的节点和施加参考电压的节点之间的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管通过第一节点彼此耦合；以及第二电路，被配置为将第一节点上的第一电压与第一电压阈值和第二电压阈值进行比较。第二电压阈值进行比较。第二电压阈值进行比较。

【技术实现步骤摘要】
电压比较器及方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月30日提交的法国申请第2008088号的权益，该申请通过引用并入本文。


[0003]本公开总体涉及电子设备，更具体地，涉及包括被配置为确定电压是否在所确定的范围内的电路的设备，例如，包括这种电路的开关模式电源类型的DC/DC电压转换器，将DC电源电压转换为DC输出电压，例如降压型DC/DC电压转换器，其中DC输出电压的值低于DC电源电压的值。

技术介绍

[0004]在开关模式功率转换器中，通过开关的切换来斩波用于向转换器供电的直流(DC)电压，以实现在包括电感元件和电容元件的组件中的功率存储阶段和将存储在该组件中的功率传送到连接到转换器输出的负载的阶段。
[0005]在脉冲频率调制(PFM)型开关模式转换器中，转换器的每个操作周期包括在组件中存储功率的阶段，然后是向连接到转换器的负载传递功率的阶段。在功率存储阶段，流过电感元件的电流增加。在功率传递阶段，流过电感元件的电流减小。对于每个操作周期，期望流过电感元件的电流在功率存储阶段的开始和功率传递阶段的结束时为零。
[0006]已知的开关模式转换器，特别是PFM型转换器，有各种缺点。

技术实现思路

[0007]一个实施例克服了包括被配置为确定电流符号的电路的已知设备的全部或部分缺点。
[0008]一种实施例电子设备包括：第一电路，包括串联耦合在施加电源电压的节点和施加参考电压的节点之间的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管通过第一节点彼此耦合；以及第二电路，被配置为将第一节点上的第一电压与第一电压阈值和第二电压阈值进行比较。
[0009]一种控制电子设备的实施例方法包括：第一电路，包括串联耦合在施加电源电压的节点和施加参考电压的节点之间的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管通过第一节点彼此耦合；以及第二电路，将第一节点上的第一电压与第一电压阈值和第二电压阈值进行比较。
[0010]根据一个实施例，第二电路包括串联耦合在第二节点和第三节点之间的第三晶体管和第四晶体管，第三晶体管和第四晶体管通过第四节点彼此耦合，第四节点耦合到第一节点。
[0011]根据一个实施例，第二节点通过第一电阻元件耦合到施加电源电压的节点，并且第三节点通过第二电阻元件耦合到施加参考电压的节点。
[0012]根据一个实施例，第三晶体管的控制端子耦合到施加第二电压阈值的节点，并且第四晶体管的控制端子耦合到施加第一电压阈值的节点。
[0013]根据一个实施例，第一电压阈值是电源电压，并且第二电压阈值是参考电压。
[0014]根据一个实施例，第二电路包括：第一输出节点，其上提供有信号，当第一电压大于第一电压阈值时取第一值，并且当第一电压小于第一电压阈值时取第二值；以及第二输出节点，其上提供有信号，当第一电压小于第二电压阈值时取第一值，并且当第一电压大于第二电压阈值时取第二值。
[0015]根据一个实施例，第一输出节点耦合到第二节点，并且第二输出节点耦合到第三节点。
[0016]根据一个实施例，第一输出节点通过两个反相器电路耦合到第二节点，并且第二输出节点通过反相电路耦合到第三节点。
[0017]根据一个实施例，第一晶体管与第一二极管并联连接，第二晶体管与第二二极管并联连接，第一二极管的阳极和第二二极管的阴极连接到第一节点。
[0018]根据一个实施例，该设备是开关模式电源。
[0019]根据一个实施例，该设备包括第三电路，第三电路被配置为将第一电压与第二电压进行比较，第二电压是可变的并且依赖于第一输出节点和第二输出节点上的信号。
[0020]根据一个实施例，该设备包括第四电路，第四电路被配置为以这样的方式控制第一晶体管和第二晶体管，使得每个操作周期连续地包括：第一阶段，在第一阶段期间第一晶体管导通并且第二晶体管截止；第二阶段，在第二阶段期间第一晶体管和第二晶体管截止；第三阶段，在第三阶段期间第一晶体管截止并且第二晶体管导通；以及第四阶段，在第四阶段期间第一晶体管和第二晶体管截止。
[0021]根据一个实施例，第二电压的变化依赖于在第四阶段期间第一输出节点和第二输出节点上的信号。
附图说明
[0022]上述特征和优点以及其他将在以下参照附图以说明而不是限制的方式给出的特定实施例的描述中详细描述，其中：
[0023]图1示出了电子设备的实施例，包括被配置为确定电压是否在电压范围内的电路；
[0024]图2示出了示出图1的实施例的操作的时序图；
[0025]图3示出了示出图1的实施例的操作的时序图；
[0026]图4示意性地示出了DC/DC电压转换器的实施例；
[0027]图5示出了时序图，说明了图4的转换器的操作示例；
[0028]图6示出了其他时序图，说明了图4的转换器的期望或理论操作和真实或实际操作；
[0029]图7示出了包括图1的实施例的DC/DC电压转换器的实施例；和
[0030]图8示出了示出图7的实施例的操作示例的时序图。
具体实施方式
[0031]在不同的图中，相同的特征已由相同的参考物指定。特别地，在各种实施例中公共
的结构和/或功能特征可以具有相同的参考并且可以设置相同的结构、尺寸和材料特性。
[0032]为了清楚起见，仅详细说明和描述了对理解本文所描述的实施例有用的步骤和元件。
[0033]除非另有说明，当提到连接在一起的两个元件时，这意味着没有除导体以外的任何中间元件的直接连接，而当提到耦合在一起的两个元件时，这意味着这两个元件可以连接，或者它们可以通过一个或多个其他元件耦合。
[0034]在以下公开中，除非另有说明，否则当引用绝对位置限定符，如术语“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”等，或相对位置限定符，如术语“之上”、“之下”、“较高”、“较低”等，或方位限定符，如“水平”、“垂直”等时，引用图中所示的方位。
[0035]除非另有说明，“约”、“大约”、“基本上”和“近似”表示10％以内，优选是5％以内。
[0036]图1示出包括电路10的实施例的电子设备，电路10被配置为确定输入电压是否在电压范围内。换句话说，电路10被配置为将输入电压与彼此不同的第一电压阈值和第二电压阈值进行比较。
[0037]该设备包括电路20，例如功率级。电路20是被配置为生成电路10的输入电压的电路的示例。电路20包括两个晶体管202和204。晶体管202和204耦合(优选串联)在施加电源电压Vbat的轨道3和施加参考电压(例如接地GND)的轨道5之间。换句话说，晶体管202的一个导电端子(源极或漏极)耦合(优选地连接)到轨道3，而另一导电端子(漏极或源极)耦合(优选地连接)到中心节点206。晶体管204的一个导电端子(源极或漏极)耦合(优选地连接)到节点206，并且其另一导电端子(漏极或源极)耦合(优选地连接)到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，包括：第一电路，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管被串联耦合在施加电源电压的节点和施加参考电压的节点之间，所述第一晶体管和所述第二晶体管通过第一节点彼此耦合；以及第二电路，被配置为将所述第一节点上的第一电压与第一电压阈值和第二电压阈值进行比较。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二电路包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管被串联耦合在第二节点和第三节点之间，所述第三晶体管和所述第四晶体管通过第四节点彼此耦合，所述第四节点被耦合到所述第一节点。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二节点通过第一电阻元件被耦合到施加所述电源电压的节点，并且所述第三节点通过第二电阻元件被耦合到施加所述参考电压的所述节点。4.根据权利要求2所述的设备，其中所述第三晶体管的控制端子被耦合到施加所述第二电压阈值的节点，并且所述第四晶体管的控制端子被耦合到施加所述第一电压阈值的节点。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电压阈值是所述电源电压，并且所述第二电压阈值是所述参考电压。6.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二电路包括：第一输出节点，所述第一输出节点上提供有第一信号，所述第一信号在所述第一电压大于所述第一电压阈值时取第一值，并且在所述第一电压小于所述第一电压阈值时取第二值；以及第二输出节点，所述第二输出节点上提供有第二信号，所述第二信号在所述第一电压小于所述第二电压阈值时取第三值，并且在所述第一电压大于所述第二电压阈值时取第四值。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第一输出节点被耦合到所述第二节点，并且所述第二输出节点被耦合到所述第三节点。8.根据权利要求6所述的设备，其中所述第一输出节点通过两个反相电路被耦合到所述第二节点，并且所述第二输出节点通过反相电路被耦合到所述第三节点。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶体管与第一二极管并联连接，所述第二晶体管与第二二极管并联连接，所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阴极被连接到所述第一节点。10.根据权利要求6所述的设备，其中所述设备是开关模式电源。11.根据权利要求10所述的设备，其中所述设备包括第三电路，所述第三电路被配置为将所述第一电压与第二电压进行比较，所述第二电压是可变的，并且依赖于所述第一输出节点和所述第二输出节点上的信号。12.根据权利要求10所述的设备，其中所述设备包括第四电路，所述第四电路被配置为以这样的方式控制所述第一晶体管和所述第二晶体管，使得每个操作周期连续地包括：第一阶段，在所述第一阶段期间，所述第一晶体管导通并且所述第二晶体管截止；第二阶段，在所述第二阶段期间，所述第一晶体管和所述第二晶体管截止；
第三阶段，在所述第三阶段期间，所述第一晶体管截止并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：