【技术实现步骤摘要】
被配置为执行自动预充电操作的电子设备
[0001]相关应用的交叉引用
[0002]本申请要求2020年7月30日提交的申请号为10
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2020
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0095469的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。
[0003]各种实施例总体而言涉及被配置为执行自动预充电操作的电子设备。
技术介绍
[0004]在电子设备之中,半导体器件可以执行自动预充电操作。自动预充电操作可以表示在执行写入操作之后,由半导体器件中产生的命令自动执行的预充电操作。在半导体器件中,根据写入存储体地址的组合所选择的存储体可以执行写入操作,并且根据预充电存储体地址的组合所选择的存储体可以执行自动预充电操作。当执行伴有自动预充电操作的写入操作时,半导体器件在从输出写入存储体地址的时间点开始经过写入恢复时间之后输出预充电存储体地址。写入恢复时间表示从半导体器件从控制器接收所有数据的时间点到半导体器件将接收到的数据完全储存在存储单元中的时间点的一段时间。
技术实现思路
[0005]在一个实施例中,一种电子设备可以包括:输入/输出控制信号发生电路,其被配置为在写入操作期间产生输入控制信号和第一输出控制信号,并且在伴有自动预充电操作的写入操作期间产生第二输出控制信号;以及存储体地址输出电路,其被配置为基于输入控制信号来锁存存储体地址,并且基于第一输出控制信号和第二输出控制信号,将被锁存的存储体地址输出为用于写入操作的写入存储体地址或用于自动预充电操作的预充电存储体地址。
[0006 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子设备,包括:输入/输出控制信号发生电路,其被配置为在写入操作期间产生输入控制信号和第一输出控制信号,并且在伴有自动预充电操作的写入操作期间产生第二输出控制信号;以及存储体地址输出电路,其被配置为基于所述输入控制信号来锁存存储体地址,并且基于所述第一输出控制信号和所述第二输出控制信号,将被锁存的存储体地址输出为用于所述写入操作的写入存储体地址和用于所述自动预充电操作的预充电存储体地址中的至少一个。2.如权利要求1所述的电子设备,其中,当在所述写入操作期间产生的内部写入信号被使能时,所述输入控制信号被使能以控制所述存储体地址的输入。3.如权利要求2所述的电子设备,还包括命令发生电路,其被配置为通过对具有用于执行所述写入操作的逻辑电平的内部芯片选择信号和内部命令地址进行解码来产生写入初始化信号,并且通过使所述写入初始化信号与反相内部时钟信号同步来产生所述内部写入信号。4.如权利要求1所述的电子设备,其中,当预写入标志信号被使能时,所述第一输出控制信号被使能以控制所述写入存储体地址的输出。5.如权利要求4所述的电子设备,其中,通过将在所述写入操作期间产生的写入信号移位比由将写入等待时间间隔和与突发长度相对应的间隔相加而获得的间隔短的间隔来产生所述预写入标志信号。6.如权利要求1所述的电子设备,其中,当用于执行所述写入操作的写入信号被使能并且用于执行所述自动预充电操作的自动预充电信号被使能时,执行伴有所述自动预充电操作的所述写入操作。7.如权利要求1所述的电子设备,其中,当执行正常写入操作时,所述第二输出控制信号被禁止,并且当执行伴有所述自动预充电操作的所述写入操作时,所述第二输出控制信号被使能以控制所述预充电存储体地址的输出。8.如权利要求7所述的电子设备,其中,当用于执行所述写入操作的写入信号被使能并且用于执行所述自动预充电操作的自动预充电信号被禁止时,执行所述正常写入操作。9.如权利要求1所述的电子设备,其中,所述输入/输出控制信号发生电路包括:输入控制信号发生电路,其被配置为当在所述写入操作期间输入内部写入信号时,产生所述输入控制信号;第一输出控制信号发生电路,其被配置为当在所述写入操作期间输入预写入标志信号时,产生所述第一输出控制信号;以及第二输出控制信号发生电路,其被配置为当执行伴有所述自动预充电操作的所述写入操作时,基于正常写入标志信号和恢复标志信号来产生所述第二输出控制信号。10.如权利要求9所述的电子设备,其中,当执行所述正常写入操作时,所述正常写入标志信号被使能,并且当执行伴有所述自动预充电操作的所述写入操作时,所述恢复标志信号被使能。11.如权利要求9所述的电子设备,其中,所述第二输出控制信号发生电路包括:信号求和电路,其被配置为通过对所述正常写入标志信号和所述恢复标志信号进行求和来产生总和计数输入信号;
计数电路,其被配置为通过对所述总和计数输入信号被输入的次数进行计数来产生计数输出信号;以及输出控制电路,其被配置为当所述恢复标志信号被使能时,将所述计数输出信号输出为所述第二输出控制信号。12....
【专利技术属性】
技术研发人员:金雄来,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
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