一种半导体冷却处理方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体冷却处理方法，包括：将热处理炉的外部与真空管连接，且所述真空管外接真空泵；控制所述热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃；将待冷却的半导体放入所述热处理炉中，并通过所述真空泵抽真空，使得所述热处理炉的内部的真空度稳定在

【技术实现步骤摘要】
一种半导体冷却处理方法


[0001]本专利技术涉及微电子加工
，尤其涉及一种半导体冷却处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体切割加工过程中，极大的摩擦会使半导体表面温度瞬间上升，产生瞬时热聚集现象，而在冷却后，会造成半导体表面和内部的巨大的温度差，形成热应力，如果热应力超过材料的强度，会使半导体产生裂纹，从而降低半导体的寿命，因此，半导体的冷却处理工艺对半导体的加工和制造环节具有重要作用。
[0003]目前，现有技术一般使用氩气对半导体进行冷却处理，但是，半导体处在氩气气氛下通过对流方式进行热传导时，半导体表面与内部、头部与尾部之间的温度不均匀，从而导致半导体内部的热应力较大。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种半导体冷却处理方法，能够使半导体在无外界压力的情况下进行冷却，从而大大减少半导体冷却时产生的热应力。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种半导体冷却处理方法，包括：
[0006]将热处理炉的外部与真空管连接，且所述真空管外接真空泵；
[0007]控制所述热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃；
[0008]将待冷却的半导体放入所述热处理炉中，并通过所述真空泵抽真空，使得所述热处理炉的内部的真空度稳定在-0.75MPa～-0.25MPa；
[0009]将氩气通入所述热处理炉中，并控制所述热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃，以及控制所述热处理炉的内部的真空度稳定在-0.01MPa～-0.05MPa；
[0010]将所述半导体冷却处理200min～250min。
[0011]进一步地，在所述将所述半导体处理冷却处理200min～250min之后，所述方法还包括：
[0012]关闭所述真空泵，使得所述热处理炉的内部恢复标准大气压。
[0013]进一步地，在所述关闭所述真空泵，使得所述热处理炉的内部恢复标准大气压之后，所述方法还包括：
[0014]将所述半导体从所述热处理炉中取出，并将所述半导体置于氮气柜中。
[0015]进一步地，所述氩气的流量为70SLPM～100SLPM。
[0016]与现有技术相比，本专利技术实施例提供了一种半导体冷却处理方法，将热处理炉的外部与真空管连接，且真空管外接真空泵；控制热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃；将待冷却的半导体放入热处理炉中，并通过真空泵抽真空，使得热处理炉的内部的真空度稳定在-0.75MPa～-0.25MPa；将氩气通入热处理炉中，并控制热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃，以及控制热处理炉的内部的真空度稳定在-0.01MPa～-0.05MPa；将半导体冷却处理200min～250min；能够使半导体在无外界压力的情况下进行冷却，半导体主
要通过辐射方式进行热传导，从而大大减少了半导体冷却时产生的热应力。
附图说明
[0017]图1是本专利技术提供的一种半导体冷却处理方法的一个优选实施例的流程图。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本
普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]本专利技术实施例提供了一种半导体冷却处理方法，参见图1所示，是本专利技术提供的一种半导体冷却处理方法的一个优选实施例的流程图，所述方法包括步骤S11至步骤S15：
[0020]步骤S11、将热处理炉的外部与真空管连接，且所述真空管外接真空泵；
[0021]步骤S12、控制所述热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃；
[0022]步骤S13、将待冷却的半导体放入所述热处理炉中，并通过所述真空泵抽真空，使得所述热处理炉的内部的真空度稳定在-0.75MPa～-0.25MPa；
[0023]步骤S14、将氩气通入所述热处理炉中，并控制所述热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃，以及控制所述热处理炉的内部的真空度稳定在-0.01MPa～-0.05MPa；
[0024]步骤S15、将所述半导体冷却处理200min～250min。
[0025]具体的，首先准备一种密闭的热处理炉，并且将热处理炉的外部与真空管连接，真空管外接真空泵，必要时可以使得热处理炉内形成真空状态或者是亚真空状态；接着控制热处理炉的内部的温度，将温度稳定在110℃～130℃；然后将待冷却的半导体放入热处理炉中，并通过真空泵对热处理炉抽真空，使得热处理炉的内部的真空度稳定在-0.75MPa～-0.25MPa；在抽真空之后，将氩气通入热处理炉中，并控制热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃，以及控制热处理炉的内部的真空度稳定在-0.01MPa～-0.05MPa；最后将半导体在热处理炉中冷却处理200min～250min，使得半导体冷却。
[0026]需要说明的是，持久稳定的真空度对热处理炉本身以及半导体的冷却处理过程有很大的积极效果，在将氩气通入热处理炉之前，需要将热处理炉的内部的真空度稳定在-0.75MPa～-0.25MPa，在将氩气通入热处理炉之后，真空度会相应变化，此时需要将热处理炉的内部的真空度稳定在-0.01MPa～-0.05MPa。
[0027]另外，热处理炉能够承受的最高温度一般是130℃，如果超出这个最高温度，将会对热处理炉的内部的结构造成损害，因此恒温是120℃，即控制热处理炉的内部的恒温温度为120℃，允许正负10℃的波动。
[0028]本专利技术实施例所提供的一种半导体冷却处理方法，将热处理炉的外部与真空管连接，且真空管外接真空泵；控制热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃；将待冷却的半导体放入热处理炉中，并通过真空泵抽真空，使得热处理炉的内部的真空度稳定在-0.75MPa～-0.25MPa；将氩气通入热处理炉中，并控制热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃，以及控制热处理炉的内部的真空度稳定在-0.01MPa～-0.05MPa；将半导体处理冷却处理200min～250min；能够使半导体在无外界压力的情况下进行冷却，半导体主要通过
辐射方式进行热传导，从而大大减少了半导体冷却时产生的热应力。
[0029]在另一个优选实施例中，在所述将所述半导体处理冷却处理200min～250min之后，所述方法还包括：
[0030]关闭所述真空泵，使得所述热处理炉的内部恢复标准大气压。
[0031]具体的，结合上述实施例，在将半导体放置在热处理炉中冷却处理200min～250min之后，可以关闭真空系统，使得热处理炉的内部恢复标准大气压。
[0032]在又一个优选实施例中，在所述关闭所述真空泵，使得所述热处理炉的内部恢复标准大气压之后，所述方法还包括：
[0033]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体冷却处理方法，其特征在于，包括：将热处理炉的外部与真空管连接，且所述真空管外接真空泵；控制所述热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃；将待冷却的半导体放入所述热处理炉中，并通过所述真空泵抽真空，使得所述热处理炉的内部的真空度稳定在-0.75MPa～-0.25MPa；将氩气通入所述热处理炉中，并控制所述热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃，以及控制所述热处理炉的内部的真空度稳定在-0.01MPa～-0.05MPa；将所述半导体冷却处理200min～250min。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李万品，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：