【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域的蚀刻制程，具体地说，涉及在干法蚀刻制程 中晶圆缺陷的改善方法。 .
技术介绍
在0.35高电压氮化硅层的干法蚀刻制程中，三氟曱烷(CHF3)是主要的蚀 刻气体。采用CHF3作为主要的蚀刻气体，CHF3和氮化硅反应会产生大量的聚 合物，这些聚合物大部分粘在反应室(chamber)的内壁上。产生大量聚合物的 反应模式定义为脏污模式(dirty mode )。为了满足晶圆的不同层的蚀刻需要，有 时需要采用四氟甲烷和氧气的混合气体作为蚀刻气体，但反应产生的聚合物较 少，定义为干净才莫式(cleanmode)的蚀刻反应。为了提高反应室的利用率，降低成本，上述脏污模式和干净模式的.蚀刻反 应常常在同一反应室内进行。如果先进行脏污模式的蚀刻反应，大量的聚合物 粘在反应室的内壁上，在进行干净模式时，蚀刻气体中的氧气就会和这些聚合 物反应，部分聚合体脱落在晶圆的表面，造成晶圆的表面缺陷。因此，需要提供一种改善方法以克服或者至少改善上述情况。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种干法蚀刻制程中可改善晶圆缺陷的方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种改善方法，其是在进行脏,污模式 的蚀刻步骤后，向进行蚀刻步骤的反应室输入氧气，氧气与蚀刻步骤产生的聚 合物发生反应。与现有技术相比，本专利技术的改善方法通过在蚀刻完成后输入氧气，通过氧 气和聚合反应将产生的大部分聚合物反应掉，避免在千净模式下的进行蚀刻反应时，聚合物的脱落导致晶圆表面缺陷的现象，使得在同一反应室内进行脏污 模式和干净模式的蚀刻反应成为可能。具体实施例方式以下对干法蚀刻制程...
【技术保护点】
一种干法蚀刻制程中晶圆缺陷的改善方法，其特征在于，在进行脏污模式的蚀刻步骤后，向进行蚀刻步骤的反应室输入氧气，氧气与蚀刻步骤产生的聚合物发生反应。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王亚檀，王玉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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