本申请提供一种内存测试方法和装置，该内存测试方法包括利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，根据测试结果判断待测试内存为非残次品时，对待测试内存进行综合测试；该综合测试包括：在预设的多类工作环境下对待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得待测试内存的第一静态分析测量值；以及当第一静态分析测量值不满足预设的第一标准阈值时，确定待测试内存为残次品，从而采用综合测试来对初筛不为残次品的待测试内存进行进一步的深度质量分析，进而对内存质量进行更准确的评判，从而有效识别并拦截低品质内存。从而有效识别并拦截低品质内存。从而有效识别并拦截低品质内存。
【技术实现步骤摘要】
一种内存测试方法和装置
[0001]本申请涉及内存测试
，具体而言，涉及一种内存测试方法和装置。
技术介绍
[0002]计算机里面所有程序的运行都离不开内存，所以内存的性能以及品质对计算机的影响非常大。服务器作为一种高性能计算机，比普通计算机运行速度更快，负载更高，作为网络的节点，存储、处理网络上的各类数据、信息，对于一家生产服务器厂商来说，服务器的安全可靠是对客户最基本的保证，目前服务器中内存故障依旧占比很高，如何保证内存部件的质量，成为各大服务器厂商提升产品质量的重要关卡。
[0003]目前，服务器厂商对内存的测试一般采用软件进行测试，例如基于Linux系统的内存测试软件Memtester来捕获内存错误，但这样的测试方式下，由于内存的部分存储空间会被BIOS，OS，挂载设备的驱动预留空间和测试程序本身所占据而导致无法被测试到，造成潜在的质量风险，进而使得目前缺乏对内存质量深度分析的有效手段。
技术实现思路
[0004]本申请实施例的目的在于提供一种内存测试方法和装置，用以解决目前内存测试方案无法对内存质量进行深度测试分析，从而使得内存存在潜在的质量风险的问题。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种内存测试方法，所述方法包括：利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，根据测试结果判断待测试内存为非残次品时，对待测试内存进行综合测试；该综合测试包括：在预设的多类工作环境下对待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得待测试内存的第一静态分析测量值，第一静态分析测量值为在多类工作环境下，待测试内存的所有颗粒中的内存参数的下限值；以及第一静态分析测量值不满足预设的第一标准阈值时，确定待测试内存为残次品。
[0006]在上述设计的内存测试方法中，本方案首先利用预设的测试模板对待测试内存进行测试来初步判断待测试内存是否为残次品，在待测试内存不为残次品的基础上，本方案采用综合测试来对初筛不为残次品的待测试内存进行进一步的深度质量分析，进而对内存质量进行更准确的评判，从而有效识别并拦截低品质内存。在综合测试中，通过在多类工作环境下对所述待测试内存的内存参数进行参数分析，获取内存的多个颗粒在多类工作环境下的参数下限值，其中参数下限值即为在测试环境中取得的边界值，其可用于评价内存在极限环境下的运行能力，从而综合评定出内存的优劣。
[0007]在第一方面的可选实施方式中，所述综合测试还包括老化测试，所述方法还包括：当第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值时，利用预设测试模板，在不同的预设温度下对第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值的待测试内存进行测试，获得老化测试结果，其中，该老化测试结果包括为残次品或为非残次品。
[0008]在上述设计的实施方式中，本方案对第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值的待测试内存进一步进行老化测试，根据老化测试结果来对待测试器件是否为残次品进
行判定，从而更加全面地对待测试内存的质量进行分析测试，从而更加有效地拦截低品质内存。
[0009]在第一方面的可选实施方式中，该综合测试还包括：在预设的多类工作环境下对老化测试结果为非残次品的待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得老化测试结果为非残次品的待测试内存的第二静态分析测量值，该第二静态分析测量值为在多类工作环境下，老化测试结果为非残次品的待测试内存的所有颗粒中的内存参数的下限值；根据第二静态分析测量值判断待测试内存是否为残次品。
[0010]在第一方面的可选实施方式中，根据所述第二静态分析测量值判断待测试内存是否为残次品，包括：判断第二静态分析测量值是否满足预设的第一标准阈值；若第二静态分析测量值不满足预设的第一标准阈值，则确定待测试内存为残次品。
[0011]在上述设计的实施方式中，本方案对老化测试结果不为残次品的待测试内存进行进一步的参数分析，从而根据老化测试结果不为残次品的待测内存的第二静态分析测量值来对待测试内存是否为残次品进行判断，从而更加深度分析老化测试后待测试内存的内存参数，从而更加全面地对待测试内存的质量进行分析测试。
[0012]在第一方面的可选实施方式中，若第二静态分析测量值满足预设的第一标准阈值，则判断第一静态分析测量值与第二静态分析测量值的差值是否在预设阈值范围内；若差值没有在预设阈值范围内，则确定待测试内存为残次品。
[0013]在上述设计的实施方式中，本方案将两次参数分析得到的第一静态分析测量值和第二静态分析测量值进行比较，进而根据二者的差值是否在预设阈值范围来判定待测试内存是否为残次品，从而通过比较待测试内存在老化测试前和老化测试后的内存参数的差异，进而基于差异来更加准确的判定待测试内存的质量。
[0014]在第一方面的可选实施方式中，该综合测试还包括IDD电流测试，在根据第二静态分析测量值判断待测试内存为非残次品之后，该方法还包括：对根据第二静态分析测量值判断待测试内存为非残次品的待测试内存进行IDD电流测试，获得待测试内存的耗电量曲线图；以及根据预设的对比曲线图和待测试内存的耗电量曲线图确定待测试内存是否为残次品。
[0015]在第一方面的可选实施方式中，该综合测试还包括信号完整性测试，在IDD电流测试之后，该方法还包括：对IDD电流测试为非残次品的待测试内存进行信号完整性测试，以判断待测试内存的信号是否存在缺失；若存在缺失，则确定待测试内存为残次品。
[0016]在上述设计的实施方式中，本方案中的综合测试还包括IDD电流测试和信号完整性测试，从而来更加全面深度地对待测试内存进行测试。
[0017]在第一方面的可选实施方式中，利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，判断待测试内存是否为残次品，包括：利用预设测试模板对待测试内存进行测试，该预设测试模板为所有内存参数均满足预设的第二标准阈值的测试模板；若待测试内存未满足预设测试模板，则确定待测试内存为残次品；若待测试内存满足预设测试模板则确定待测试内存为非残次品。
[0018]在第一方面的可选实施方式中，预设测试模板包括第一预设测试模板和第二预设测试模板，第一预设测试模板和第二预设测试模板对应的内存性能等级不同，第一预设测试模板为所有内存参数均满足预设的第二标准阈值的测试模板，第二预设测试模板为所有
内存参数均满足预设的第三阈值的测试模板，第三阈值低于第二标准阈值；利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，判断所述待测试内存是否为残次品，包括：利用第一预设测试模板对待测试内存进行测试，若待测试内存的各项内存参数中存在至少一项内存参数未满足对应的预设的第二标准阈值，则确定待测试内存为残次品；若待测试内存的各项内存参数均满足预设的第二标准阈值，则利用第二预设测试模板对待测试内存进行测试；若待测试内存的各项内存参数中存在至少一项内存参数未满足对应的预设的第三标准阈值，则确定待测试内存为标准品；若待测试内存的各项内存参数均满足预设的第三标准阈值，则确定待测试内存为优品。
[0019]在上述设计的实施方式中，本方案利用多个预设测试模板并本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种内存测试方法，其特征在于，所述方法包括：利用预设测试模板对待测试内存进行测试，根据测试结果判断所述待测试内存为非残次品时，对所述待测试内存进行综合测试；所述综合测试包括：在预设的多类工作环境下对所述待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得待测试内存的第一静态分析测量值，所述第一静态分析测量值为在多类工作环境下，待测试内存的所有颗粒中的内存参数的下限值；以及当所述第一静态分析测量值不满足预设的第一标准阈值时，确定所述待测试内存为残次品。2.根据权利要求1所述的内存测试方法，其特征在于，所述综合测试还包括老化测试，所述方法还包括：当所述第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值时，利用所述预设测试模板，在不同的预设温度下对所述第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值的待测试内存进行测试，获得老化测试结果，其中，所述老化测试结果包括为残次品或为非残次品。3.根据权利要求2所述的内存测试方法，其特征在于，所述综合测试还包括：在所述预设的多类工作环境下对老化测试结果为非残次品的待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得老化测试结果为非残次品的待测试内存的第二静态分析测量值，所述第二静态分析测量值为在多类工作环境下，老化测试结果为非残次品的待测试内存的所有颗粒中的内存参数的下限值；根据所述第二静态分析测量值判断所述待测试内存是否为残次品。4.根据权利要求3所述的内存测试方法，其特征在于，所述根据所述第二静态分析测量值判断所述待测试内存是否为残次品，包括：判断所述第二静态分析测量值是否满足所述预设的第一标准阈值；若所述第二静态分析测量值不满足所述预设的第一标准阈值，则确定所述待测试内存为残次品。5.根据权利要求4所述的内存测试方法，其特征在于，若所述第二静态分析测量值满足所述预设的第一标准阈值，则判断所述第一静态分析测量值与第二静态分析测量值的差值是否在预设阈值范围内；若差值没有在预设阈值范围内，则确定所述待测试内存为残次品。6.根据权利要求3所述的内存测试方法，其特征在于，所述综合测试还包括IDD电流测试，在根据所述第二静态分析测量值判断所述待测试内存为非残次品之后，所述方法还包括：对根据所述第二静态分析测量值判断所述待测试内存为非残次品的待测试内存进行IDD电流测试，获得待测试内存的耗电量曲线图；以及根据预设的对比曲线图和所述待测试内存的耗电量曲线图确定所述待测试内存是否为残次品。7.根据权利要求6所述的内存测...
【专利技术属性】
技术研发人员：张迎华，蒲嘉鹏，刘晓玲，王凯东，董艳芳，贾淳，
申请(专利权)人：曙光信息产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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