有机发光二极管制造技术

有机发光二极管（ＯＬＥＤ）包括阳极、阴极及布置在所述阳极与所述阴极之间的有机多层结构。所述有机多层结构的内电势分布具有非线性曲线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的各方面涉及有机发光二极管。本专利技术各方面尤其涉及有机发光 二极管的多层结构。
技术介绍
随着半导体技术的发展，在用于显示装置的各种显示板之中，采用有机发光二极管(OLED)的显示板正引起关注。采用有机发光二极管的有源矩阵型OLED显示器包括多个以矩阵形式 排布于基板上的象素及布置在每个象素上的薄膜晶体管，以便每个象素受其 中一个薄膜晶体管(TFT)独立控制。为了展示OLED显示器的最佳特性，包括薄膜晶体管的半导体元件和包 括阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电 子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)及阴极的有机发光元件应该具有良 好的特性并且彼此之间工作得很好。半导体元件正被积极地研究，关于半导体元件技术的进步不仅正在应用 于OLED显示器而且正在应用于其它的技术系统。通过有机发光元件的研究 和发展，取得显著的成就以便令人满意的OLED显示器能被提供给客户也是 值得期望的。以上在背景部分公开的信息仅仅是为了加强理解本专利技术的背景，因而可 以包含不构成已为本国本领域技术人员所知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的各方面在于提供了 一种由于有机多层结构的改进而具有优良特性 的有才几发光二极管(OLED)。另外，本专利技术的各方面提供了一种具有OLED的OLED显示器。 根据本专利技术的一个实施例的有机发光二极管(OLED)包括阳极、阴极及布置在所述阳极与所述阴极之间的有机多层结构。有机多层结构具有按照非线性曲线的内电势分布。根据本专利技术的一个方面，所述曲线可以是波形。根据本专利技术的一个方面，所述曲线可以是包括具有正斜率的部分和具有负 斜率的部分。根据本专利技术的一个方面，所述有机多层结构可以包括与所述阳极邻近的空 穴注入层(HIL),其中所述HIL的内电势分布具有负斜率。根据本专利技术的一个方面，所述有机多层结构可以包括与所述HIL邻近的空 穴传输层(HTL),其中所述HIL的内电势分布是平緩的。根据本专利技术的一个方面，所述有机多层结构可以包括与所述HTL邻近的发根据本专利技术的一个方面，所述有机多层结构可以包括与所述发射层邻近的 电子传输层(ETL),其中所述ETL的内电势分布可以具有正斜率。根据本专利技术的一个方面，所述有机多层结构包括与所述ETL邻近的EIL， 其中所述EIL的内电势分布可以具有正斜率。根据本专利技术的一个方面，所述有机多层结构可以包括与所述阳极顺次邻近 的HIL和HTL，其中所述HIL的内电势分布具有负斜率，所述HTL的内电势 分布是平緩的。根据本专利技术的一个方面，所述有机多层结构可以包括与所述阳极顺次邻近 的HIL、 HTL及发射层，其中所述HIL的内电势分布具有负斜率，所述HTL 的内电势分布是平緩的，所述发射层的内电势分布具有负斜率和正斜率。冲艮据本专利技术的一个方面，所述有机多层结构可以包括与所述阳极顺次邻近 的HIL、 HTL、发射层及ETL，其中所述HIL的内电势分布具有负斜率，所 述HTL的内电势分布是平緩的，所述发射层的内电势分布具有负斜率和正斜 率，所述ETL的内电势分布具有正斜率。 根据本专利技术的一个方面，所述有机多层结构可以包括与所述阳极顺次邻近的HIL、 HTL、发射层、ETL及EIL，其中所述HIL的内电势分布具有负斜率， 所述HTL的内电势分布是平緩的，所述发射层的内电势分布具有负斜率和正斜 率，所述ETL的内电势分布具有正斜率，并且所述EIL的内电势分布具有正斜率。根据本专利技术的一个方面，所述有机多层结构的所述内电势值可以在相对值 为l.leV的范围内分布。根据本专利技术的一个方面，其中所述HIL的所述内电势值在相对值为0.3eV 的范围内分布。根据本专利技术的一个方面，其中所述ETL的所述内电势值在相对值为0.3eV 的范围内分布。另外，本专利技术的一个实施例提供了一种包括如上所述的OLED的OLED显 示器。根据本专利技术实施例的OLED由于有机多层结构的内电势分布的改进而可能 具有优良的特性。因此，由于OLED的优良光特性，具有才艮据本专利技术实施例的OLED的OLED 显示器能够提供高质量的图像给客户。本专利技术的另外方面和/或优势将在下文的描述中被部分地阐述，而且将 通过说明而部分地显而易见，或者可通过本专利技术的实践而被理解。附图说明结合附图，从本实施例的下列描述中，本专利技术的这些和/或其它方面及 优势将变得明显和更容易理解，其中图1为根据本专利技术示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的 局部剖面图；图2为根据本专利技术示例性实施例的OLED的剖面图；以及图3为示出根据本专利技术示例性实施例的多层OLED的内电势分布图。具体实施方式现在将对本专利技术的各实施例进行详细的论述，本专利技术的示例将参照附图 进行说明，而且全文中相同的附图标记表示相同的元件。在下文中将对各实 施例进行描述，从而参照附图来对本专利技术进行说明。相应地，附图和描述本质上#:认为是示例性的，而非限制性的。全文中 相同的附图标记标明相同的元件。在附图中，为了清楚起见，层、膜、板及区等的厚度被放大。应当理解 的是，当诸如层、膜、区或者基板之类的元件被提到"在"另一个元件上时， 它可能直接在另一个元件上或者也可能存在中间元件。相反，当元件被提到 "直接在"另一个元件上时，不存在中间元件。在接下来的全部说明书和权利要求中，当描述元件被"连接"到另一个 元件时，元件可以"直接连接"到另一个元件或者通过第三个元件"电连接，， 到另一个元件。另外，除非明确描述为相反，否则单词"包括"和诸如"包 含"或"具有"之类的变体被理解为暗示包含声明的元件但不排除任何其它 元件。图1为根据本专利技术的实施例的有机发光二极管(OLED)显示器20的局 部剖面图。参照图1, OLED显示器20通过在基板IO上以矩阵形式排布作为显示 图像的基本单元的象素来形成。当OLED显示器20是有源矩阵型OLED显 示器时，每一象素包括为显示图像而发射光的有机发光二极管L和驱动有机 发光二极管L的薄膜晶体管T。图1的OLED显示器20是顶部发光型，以 便有机发光二极管L发射的光在与基板10的相反方向上发射。下文中，OLED显示器20将被进一步详细描述。緩冲层110形成在基板IO上，薄膜晶体管T为半导体，形成在緩冲层 110上。薄膜晶体管T包括形成在緩冲层110上的半导体层120、栅电极140、 源电极161和漏电极162。半导体层120包括被布置在源极区121与漏极区123之间的沟道区122以连接在两者之间。栅极绝缘层130形成在緩冲层110 上用来覆盖半导体层120,栅电极140形成在半导体层120上，栅极绝缘层 130间插在栅电极140和半导体层120之间。层间绝缘层150形成在栅极绝 缘层130上同时覆盖栅电极140。这里，栅极绝缘层130和层间绝缘层150 各自包括第一接触孔1301和第二接触孔1501。因此，源极区121和漏极区 123分别通过第一接触孔1301和第二接触孔1501被暴露，源电极161和漏 电极162分別通过被暴露的源极区121和被暴露的漏极区123被电连接。基板10可以由绝缘材料或者金属材料制成。绝缘材料可以包括玻璃或 者塑料，金属材料可以包括不锈钢(SUS)。当半导体层120形成时，緩冲 层110阻止基板10的杂质扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管，包括：　阳极；　阴极；以及　布置在所述阳极与所述阴极之间的有机多层结构，　其中所述有机多层结构具有按照非线性曲线的内电势分布。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴英吉，金贞云，李胤树，李在鹤，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]