本发明专利技术提供能够有效地控制被处理的基板的成膜量的基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。基板处理系统包括：在多个基板上进行成膜的基板处理部；取得表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置的配置模式的信息的取得部；和存储表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置对基板的成膜量施加的影响的配置－成膜量模型的存储部。根据上述配置－成膜量模型，通过计算部计算上述配置模式下的基板的预测成膜量。通过判断部判断上述计算出的预测成膜量是否在规定范围内，当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内时，通过控制部控制上述基板处理部对基板进行处理。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。技术背景在半导体制造过程中使用对作为基板的半导体晶片(以下称为晶 片)进行处理的基板处理装置，例如使用立式热处理装置。在立式热 处理装置中，将架状保持多块晶片的保持部件配置在立式的热处理炉 内，通过CVD (化学气相沉积)处理、氧化处理等，在基板上成膜(例 如，参照专利文献l)。专利文献l:日本特开2002-110552
技术实现思路
此处，必需控制在由基板处理装置处理的基板上的成膜量。 鉴于上述情况，本专利技术的目的为提供能够有效地控制被处理的基 板的成膜量的基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。本专利技术为一种基板处理系统，其特征在于，包括收纳包括被叠 层的未处理基板和己处理基板的多个基板，并对该多个基板进行加热 处理和气体供给处理，在上述多个基板上进行成膜的基板处理部；取 得与上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模 式(pattern)的信息的取得部；存储与配置模式对基板的成膜量施加的 影响相关的配置-成膜量模型的第一存储部，其中，上述配置模式为与 上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式； 根据来自上述第一存储部的配置-成膜量模型，对在上述取得部取得的配置模式下的基板的预测成膜量进行计算的计算部；判断上述计算出 的预测成膜量是否在规定范围内的判断部；和当判断上述计算出的预 测成膜量在规定范围内时，控制上述基板处理部使之处理基板的控制 部。本专利技术为一种基板处理系统，其特征在于上述计算部还对多个 基板中包括的多个监视用基板的预测成膜量进行计算；上述判断部还 对多个监视用基板的各自的预测成膜量及其均匀性是否在规定范围内 进行判断。本专利技术为一种基板处理系统，其特征在于，还包括存储表示上 述基板的处理温度对基板的成膜量施加的影响的温度-成膜量模型的第 二存储部；和当判断由上述计算部计算出的预测成膜量不在规定范围 内时，根据来自上述第二存储部的温度-成膜量模型，决定处理温度的 温度决定部；上述控制部根据由上述温度决定部决定的处理温度控制 上述基板处理部。本专利技术为一种基板处理系统，其特征在于上述基板处理部具有 加热上述基板的多个加热部，当判断由上述计算部计算出的预测成膜 量的均匀性不在规定范围内时，根据来自上述第二存储部的温度-成膜 量模型，上述温度决定部决定与上述多个加热部分别对应的处理温度。本专利技术为一种基板处理装置的控制方法，其对收纳包括被叠层的 未处理基板和已处理基板的多个基板，并对该多个基板进行加热处理 和气体供给处理，在上述多个基板上进行成膜的基板处理装置进行控 制，该基板处理装置的控制方法的特征在于，包括取得与上述多个 基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式的信息的步 骤；根据与配置模式对基板的成膜量施加的影响相关的配置-成膜量模 型对上述配置模式下的基板的预测成膜量进行计算的步骤，其中，上 述配置模式为与上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相 关的配置模式；判断上述计算出的预测成膜量是否在规定范围内的步 骤；和当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内时，控制上述基 板处理装置的步骤。本专利技术为一种计算机程序，其用于使计算机执行基板处理装置的 控制方法，其特征在于基板处理装置的控制方法为对收纳包括被叠层的未处理基板和己处理基板的多个基板，并对该多个基板进行加热 处理和气体供给处理，在上述多个基板上进行成膜的基板处理装置进 行控制的基板处理装置的控制方法，该基板处理装置的控制方法包括: 取得与上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置 模式的信息的步骤；根据与配置模式对基板的成膜量施加的影响相关 的配置-成膜量模型对上述配置模式下的基板的预测成膜量进行计算的 步骤，其中，上述配置模式为与上述多个基板中的未处理基板和己处 理基板的配置相关的配置模式；判断上述计算出的预测成膜量是否在 规定范围内的步骤；和当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内 时，控制上述基板处理装置的步骤。本专利技术为一种存储介质，其存储有用于使计算机执行基板处理装 置的控制方法的计算机程序，其特征在于基板处理装置的控制方法 为对收纳包括被叠层的未处理基板和已处理基板的多个基板，并对该 多个基板进行加热处理和气体供给处理，在上述多个基板上进行成膜 的基板处理装置进行控制的基板处理装置的控制方法，该基板处理装 置的控制方法包括取得与上述多个基板中的未处理基板和已处理基 板的配置相关的配置模式的信息的步骤；根据与配置模式对基板的成 膜量施加的影响相关的配置-成膜量模型对上述配置模式下的基板的预 测成膜量进行计算的步骤，其中，上述配置模式为与上述多个基板中 的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式；判断上述计算出 的预测成膜量是否在规定范围内的步骤；和当判断上述计算出的预测 成膜量在规定范围内时，控制上述基板处理装置的步骤。根据本专利技术，能够提供能够有效地控制被处理的基板的成膜量的 基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。附图说明图1为表示本专利技术的第一实施方式的基板处理系统的图。图2为表示基板处理装置的控制部、基板处理部的一个例子的图。图3为表示晶舟上的晶片的配置的一个例子的示意图。图4为表示基板处理系统的动作顺序的一个例子的流程图。图5为表示基板处理系统内的事件的流程的一个例子的事件流程图。图6为表示表示膜厚预测用模型的一个例子的示意图。图7为表示计算出的预测膜厚的示意图。图8为表示基准膜厚表的一个例子的示意图。图9为表示每个监视晶片的最优的温度变化量的示意图。图io为表示计算出的设定温度的示意图。图11为表示基准温度表的一个例子的示意图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施方式。图1为表示本专利技术的第一实施方式的基板处理系统100的图。基 板处理系统100为处理基板(例如半导体晶片)的系统，包括基板处 理装置110、主计算机120、服务器计算机130和膜厚测定器141。这 些装置通过网络被连接。基板处理装置110为处理基板(例如半导体晶片)的装置，包括 控制部装置111、基准膜厚DB部112和基板处理部113。控制部装置111用于控制基板处理部113。控制部装置111作为以 下① ③发挥作用① 控制基板处理部使之对基板进行处理的控制部llla;② 取得与多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配 置模式的取得部lllb;③ 判断预测成膜量是否在规定范围内的判断部lllc。 基准膜厚DB部112为存储基准膜厚表的存储装置，其中，该基准膜厚表成为处理条件是否需要变更的判断基准。基板处理部113利用反应气体处理被叠层的基板，通过对被叠层 的多个基板实施的加热和气体供给的处理，作为在上述多个基板上形 成膜的基板处理部发挥作用。其中，关于控制部装置lll、基板处理部 113的情况在后面详细叙述。主计算机120为控制基板处理装置110的计算机，包括控制部装 置121和基准条件DB部122。控制部装置121例如为中央处理装置 (CPU : Centeral Processing Unit),控制主计算机120全体，进一步控制基板处理装置110。基准条件DB部122为存储基准温度表的存储装置，其中，该本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板处理系统，其特征在于，包括： 收纳包括被叠层的未处理基板和已处理基板的多个基板，并对该多个基板进行加热处理和气体供给处理，在所述多个基板上进行成膜的基板处理部； 取得与所述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式的信息的取得部； 存储与配置模式对基板的成膜量施加的影响相关的配置－成膜量模型的第一存储部，其中，所述配置模式为与所述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式； 根据来自所述第一存储部的配置－成膜量模型，对在所述取得部取得的配置模式下的基板的预测成膜量进行计算的计算部； 判断所述计算出的预测成膜量是否在规定范围内的判断部；和 当判断所述计算出的预测成膜量在规定范围内时，控制所述基板处理部使之处理基板的控制部。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：竹永裕一，山口达也，王文凌，高桥敏彦，米泽雅人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。