图像传感器和其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种图像传感器和其制造方法。所述图像传感器包括：包括单元像素的半导体衬底，在半导体衬底上形成的包括金属互连的层间介电层，在层间介电层上形成的与单元像素对应的多个底部电极，所述多个底部电极包括具有至少两个不同尺寸的底部电极，在包括所述底部电极的层间介电层上形成的光电二极管，和在光电二极管上形成的对应于单元像素的滤色器。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：　在半导体衬底上的包括金属互连的层间介电层，其中所述金属互连根据单元像素布置；　在所述层间介电层上的与所述单元像素对应的多个底部电极，其中所述多个底部电极包括彼此具有不同尺寸的底部电极；　在包括所述底部电极的层间介电层上的光电二极管；和　根据所述单元像素布置在所述光电二极管上的滤色器。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：韩昌勋，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]