防止化学镀渗液的方法及半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种防止化学镀渗液的方法及半导体器件的制备方法。通过使基板的边缘环区相对于器件区域的表面凸出至少两级台阶，并在贴附保护膜时使保护膜至多贴附至位于最高台阶下的下级台阶上，从而在执行化学镀工艺时，可利用凸出的台阶阻挡镀液从保护膜的端部渗入，有效改善化学镀渗液的问题，提高了产品良率及其稳定性，且生产效率高。且生产效率高。且生产效率高。

【技术实现步骤摘要】
防止化学镀渗液的方法及半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种防止化学镀渗液的方法及半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]化学镀是一种新型的金属表面处理技术，其具体是在金属的催化作用下，通过可控制的氧化还原反应产生金属的沉积过程。与电镀相比，化学镀技术具有镀层均匀、工艺灵活、无需直流电源设备等特性，在许多领域中化学镀技术已取代电镀技术而成为一种环保的表面处理工艺。
[0003]在半导体和微电子集成制造领域中，化学镀技术也已得到广泛的应用。而在执行化学镀工艺之前，通常需要对不希望化学镀的器件区域的表面贴附保护膜，以保护该表面不受化学镀的影响。当前的贴膜技术主要包括两种方式：第一种方式是保护膜贴附基板的几乎整个表面；第二种方式是包边贴膜，即，保护膜贴附基板的整个表面和部分侧壁。其中，第一种方式中，保护膜的边缘完全暴露在化学镀的渡液中，从而在化学镀的过程中随着渡液的循环流动，将极易导致镀液从保护膜的边缘将保护膜冲开，从而导致渗液，严重影响产品良率及生产效率。而第二种方式，其需要专用设备，不利于降低成本，同时也存在需要手动揭膜的问题，影响生产效率，增加良率不稳风险。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种防止化学镀渗液的方法，以解决现有的化学镀工艺中存在的化学镀渗液的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种防止化学镀渗液的方法，包括：提供基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面，所述基板中还定义有器件区域和环绕在所述器件区域外围的边缘环区；其中，所述边缘环区的第一表面相对于所述器件区域的第一表面凸出至少两级台阶，所述至少两级台阶的高度由内环至外环逐级递增；在所述基板的第一表面上贴附保护膜，所述保护膜覆盖所述器件区域和部分边缘环区，并且所述保护膜至多贴附至位于最高台阶下的下级台阶上；以及，执行化学镀工艺，以在所述基板的第二表面上形成化学镀金属。
[0006]可选的，所述边缘环区的第一表面相对于所述器件区域的第一表面凸出至少两级台阶的方法包括：对基板的第一表面进行减薄处理，并且由外环至内环的方向减薄厚度呈梯度递增。
[0007]可选的，对基板的第一表面进行减薄处理的方法包括：对所述基板的第一表面进行至少两次减薄处理，减薄面积往基板的中心逐次内缩。
[0008]可选的，所述减薄处理包括化学机械研磨工艺。
[0009]可选的，所述至少两级台阶中的各级台阶的台面宽度均为1mm
‑
3mm。
[0010]可选的，所述器件区域的第一表面相对于所述边缘环区的最低台阶还内陷一级台
阶。
[0011]可选的，在贴附所述保护膜时，以所述保护膜的端部与其正对的台阶之间距离100μm
‑
500μm为目标距离进行贴附。
[0012]可选的，所述基板中对应于所述器件区域的厚度为60μm
‑
130μm。
[0013]本专利技术的另一目的在于提供一种半导体器件的制备方法，包括：采用如上所述的防止化学镀渗液的方法，执行化学镀工艺。其中，所述半导体器件例如包括IGBT器件。
[0014]在本专利技术提供的防止化学镀渗液的方法中，通过使基板的边缘环区相对于器件区域的表面凸出至少两级台阶，并在贴附保护膜时使保护膜至多贴附至位于最高台阶下的下级台阶上，使得保护膜的端部正对台阶的内侧壁，从而在执行化学镀工艺时，即存在有凸出的台阶，以用于阻挡镀液从保护膜的端部渗入，避免基板中不希望化学镀的器件区域的表面受到影响，有效提高了产品良率及其稳定性，且生产效率高。
附图说明
[0015]图1为本专利技术一实施例中的防止化学镀渗液的方法的流程示意图；图2
‑
图5为本专利技术一实施例中对基板的第一表面执行减薄过程中的结构示意图。
[0016]其中，附图标记如下：100
‑
基板；110
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边缘环区；110a
‑
第一级台面；110b
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第二级台面；110c
‑
第三级台面；200
‑
保护膜。
具体实施方式
[0017]本专利技术的核心思路在于提供一种防止化学镀渗液的方法，通过使基板的边缘环区相对于器件区域的表面凸出至少两级台阶，并在贴附保护膜时使保护膜的端部未贴附在最高台阶上，从而在执行化学镀工艺时，镀液至少可以在最高台阶的阻挡下避免渗入至保护膜和基板之间，防止基板的第一表面受到影响。
[0018]具体可参考图1所示，本专利技术提供的防止化学镀渗液的方法例如包括如下步骤。
[0019]步骤S100，提供基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面，所述基板中还定义有器件区域和环绕在所述器件区域外围的边缘环区；其中，所述边缘环区的第一表面相对于所述器件区域的第一表面凸出至少两级台阶，所述至少两级台阶的高度由内环至外环逐级递增。
[0020]步骤S200，在所述基板的第一表面上贴附保护膜，所述保护膜覆盖所述器件区域和部分边缘环区，并且所述保护膜至多贴附至位于最高台阶下的下级台阶上。
[0021]步骤S300，执行化学镀工艺 ，以在所述基板的第二表面上形成化学镀金属。
[0022]以下结合图2
‑
图5和具体实施例对本专利技术提出的防止化学镀渗液的方法作进一步详细说明，其中图2
‑
图5为本专利技术一实施例中用于防止化学镀渗液时对基板的第一表面执行减薄过程中的结构示意图。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。以及附图中所示的诸如“上方”，“下方”，“顶部”，“底部”，“上方”和“下方”之类的相对术语可用于描述彼此之间的各种元件的关系。这些相对术语旨在涵盖除附图中描绘的取向之外的元件的不同取向。例如，如果装置相对于附图中的视图是倒置的，则例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在该元件下方。
[0023]在步骤S100中，重点参考图4所示，提供基板100，所述基板100具有相对的第一表面和第二表面。所述基板100例如包括晶圆等。其中，基板100的第一表面和第二表面可分别为基板的背面和正面。本实施例中，基板100的第二表面为需进行化学镀的表面，基板100的第一表面为需贴附保护膜的表面。
[0024]进一步的，所述基板100中还定义有器件区域和环绕在所述器件区域外围的边缘环区110。通常而言，所述器件区域中可形成有半导体器件，所述半导体器件例如为功率器件，所述功率器件可进一步包括IGBT器件等。
[0025]继续参考图4所示，所述边缘环区110的第一表面相对于所述器件区域的第一表面凸出至少两级台阶，所述至少两级台阶由内环至外环逐级递增；也即，所述器件区域的第一表面相对于所述边缘环区110的第一表面的最高处内陷至少两级台阶。因此，所述边缘环区110的最外环对应于最高台阶，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止化学镀渗液的方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面，所述基板中还定义有器件区域和环绕在所述器件区域外围的边缘环区；其中，所述边缘环区的第一表面相对于所述器件区域的第一表面凸出至少两级台阶，所述至少两级台阶的高度由内环至外环逐级递增；在所述基板的第一表面上贴附保护膜，所述保护膜覆盖所述器件区域和部分边缘环区，并且所述保护膜至多贴附至位于最高台阶下的下级台阶上；以及，执行化学镀工艺，以在所述基板的第二表面上形成化学镀金属。2.如权利要求1所述的防止化学镀渗液的方法，其特征在于，所述边缘环区的第一表面相对于所述器件区域的第一表面凸出至少两级台阶的方法包括：对基板的第一表面进行减薄处理，并且由外环至内环的方向减薄厚度呈梯度递增。3.如权利要求2所述的防止化学镀渗液的方法，其特征在于，对基板的第一表面进行减薄处理的方法包括：对所述基板的第一表面进行至少两次减薄处理，减薄面积往基板的中心逐次内缩。4.如权利要求2所述的防止化学镀渗液的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：余君，袁立春，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：