一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板及其制造方法，包括Array侧基板玻璃，所述Array侧基板玻璃上依次设有MetalⅠ金属层、栅极绝缘层和有缘层、刻蚀阻挡层、MetalⅡ金属层，所述MetalⅡ金属层上覆盖有PV绝缘层，所述PV绝缘层上依次设有有机平坦层以及MetalⅢ触控金属层，所述MetalⅢ触控金属层上采用CVD成膜方式形成有VA绝缘层，所述VA绝缘层上设有公共电极层ITO，所述公共电极层ITO上采用CVD成膜方式形成有CH绝缘层，所述CH绝缘层上设有像素电极层ITO，本发明专利技术通过共用VA光罩，在栅极绝缘层成膜后使用VA光罩干蚀刻掉DC孔位置的栅极绝缘层的膜厚，避免刻蚀阻挡层开孔时由于DC孔和刻蚀阻挡层的孔深不一致而造成有缘层缺失，保证TFT器件电性的稳定性和产品良率。品良率。品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板及其制造方法


[0001]本专利技术属于显示
，具体涉及一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板及其制造方法。

技术介绍

[0002]目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中，非晶InGaZnO(IGZO)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为TFT制备的理想材料，以其制备的TFT有着高迁移率、高开关比等特点，具有替代a
‑
Si的潜力。较a
‑
SiTFT相比，IGZO
‑
TFT的载流子迁移率可以达到10
‑
30cm2/V
·
S，大大提高TFT对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是，IGZO制程和现有的a
‑
Si生产线具有很好的兼容性，较生产工艺更为复杂、设备投资更高的低温多晶硅(LTPS)具有更低的投资成本。
[0003]如说明书附图1所示，现有的氧化物TFT有两种常见结构：ESL和BCE，具有多道制程，制程成本与制程的数量有关，虽然ESL结构相对BCE结构多了一道ES制程，但因为氧化物半导体层IGZO沟道区域未受到SD层刻蚀时的损伤，画素区域TFT电学特性均一性更收敛，是获得高分辨率、高稳定性IGZO显示面板的首选。
[0004]然而，为节省成本及简化制程，ESL结构的TFT把ES开孔和DC开孔共用一个ES光罩，但由于ES孔和DC孔开孔干蚀刻的膜层厚度不一致，如为使DC孔完全开孔，不可避免会对ES孔进行过刻，从而造成ES孔下与Metal2SDContact的有缘层IGZO存在SELoss，严重者会使ES孔下的IGZO被完全蚀刻掉，最终影响TFT器件的电学性能及像素的正常显示。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板及其制造方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，包括Array侧基板玻璃，所述Array侧基板玻璃上依次设有MetalⅠ金属层、栅极绝缘层和有缘层，所述有缘层上通过CVD成膜方式形成有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层上设有MetalⅡ金属层，所述MetalⅡ金属层上覆盖有PV绝缘层，所述PV绝缘层上依次设有有机平坦层以及MetalⅢ触控金属层，所述MetalⅢ触控金属层上采用CVD成膜方式形成有VA绝缘层，所述VA绝缘层上设有公共电极层ITO，所述公共电极层ITO上采用CVD成膜方式形成有CH绝缘层，所述CH绝缘层上设有像素电极层ITO。
[0007]所述MetalⅠ金属层为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti，MetalⅡ金属层为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti，所述MetalⅢ触控金属层为Mo/Al/Mo，中间的Al作为金属线的实际导电层，其中两侧的Mo或Ti主要为缓冲层，起到保护中间Al不被氧化、腐蚀和降低接触电阻，并且缓冲层用于提高金属层与无机层的界面接触。
[0008]所述栅极绝缘层为具有较大介电常数的绝缘层，栅极绝缘层由SiOx材料制得，所述刻蚀阻挡层由SiOx材料制得，具有较大介电常数的绝缘层，保护SEChanel不被SD蚀刻液
或气体蚀刻，所述CH绝缘层为具有较大介电常数的绝缘层，且CH绝缘层由SiOx或SiNx制得，便于像素电极层ITO与MetalⅡ金属层相连，所述VA绝缘层为具有较大介电常数的绝缘层，且VA绝缘层由SiOx或和SiNx材料制得，在VA绝缘层上干刻出VA孔，便于公共电极层ITO与MetalⅢ触控金属层相连，所述PV绝缘层为具有较大介电常数的绝缘层，且PV绝缘层由SiOx材料制得，所述PV绝缘层用于Array侧基板玻璃上TFT有源器件的水和氧的阻隔。
[0009]所述有缘层为Array侧基板玻璃上TFT有源器件的半导体层，如a
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Si，MOx和LTPS，该有缘层由IGZO材料制得。
[0010]所述有机平坦层8由有机材料制得且覆盖于PV绝缘层7上，用于平坦化rray侧基板玻璃1上TFT有源器件的表面。
[0011]一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板的制造方法，包括如下步骤：步骤1：依序在Array侧基板玻璃上Pattern形成GEMetalⅠ金属层以及栅极绝缘层；步骤2：在步骤1的基础上，在栅极绝缘层的膜层上coater一层光阻PRa，用于曝光显影出相应的DC孔Pattern；步骤3：在步骤2的基础上，采用VA光罩，VA光罩的一个透光区域正好可以曝光DC孔位置的光阻PRa，VA光罩的另一个透光区域为原有VA孔处开孔位置；步骤4：在步骤3的基础上，采用VA光罩，对栅极绝缘层进行曝光、显影等制程，经显影制程之后，在所需DC开孔位置处留下未被光阻PR覆盖住的DC孔，原有的VA孔位置也显影掉相应的光阻；步骤5：在步骤4的基础上，进行干蚀刻制程，蚀刻气体选择的是CF4、O2、Cl2等混合气体蚀刻，蚀刻掉未被光阻PR保护的栅极绝缘层，从而形成DC孔c，此时DC孔c孔位置蚀刻的无机膜层厚度为栅极绝缘层的厚度；步骤6：在步骤5的基础上，进行剥膜制程，采用常见的DMSO：MEA混合的无色剥膜液体对光阻进行剥膜洗净，留下已经干刻完的DC孔；步骤7：在步骤6的基础上，Pattern形成有缘层；步骤8：在步骤7的基础上，采用CVD成膜方式形成刻蚀阻挡层；步骤9：在步骤8的基础上，采用原有的ES光罩进行曝光/显影/干刻等制程，在设计需要的开孔位置蚀刻掉刻蚀阻挡层，PatternES孔，此时面外GIP区(DC孔)和面内AA区(ES孔)蚀刻的无机膜层厚度均为刻蚀阻挡层的膜层厚度；步骤10：在步骤9的基础上，依序Pattern形成MetalⅡ金属层，并覆盖PV绝缘层；步骤11：在步骤10的基础上，依序Pattern形成有机平坦层、OC孔以及MetalⅢ触控金属层；步骤12：在步骤11的基础上，采用CVD成膜方式形成VA绝缘层；步骤13：在步骤12的基础上，在VA绝缘层的膜层上coater一层光阻PRa，用于曝光显影出相应的VA孔Pattern；步骤14：在步骤13的基础上，采用VA光罩，VA光罩的一个透光区域正好可以曝光DC孔位置的光阻PRa，VA光罩的另一个透光区域为原有VA孔处开孔位置；步骤15：在步骤14的基础上，采用VA光罩，对VA膜层进行曝光/显影等制程，经显影制程之后，在所需VA开孔位置处留下未被光阻PR覆盖住的VA孔；步骤16：在步骤15的基础上，进行干蚀刻制程，蚀刻气体选择的是SF6、O2、Cl2等混
合气体蚀刻，蚀刻掉未被光阻PR保护的VA膜层，从而形成VA孔；步骤17：在步骤16的基础上，进行剥膜制程，采用常见的DMSO：MEA混合的无色剥膜液体对光阻进行剥膜洗净，留下已经干刻完的VA孔；步骤18：在步骤17的基础上，Pattern出公共电极层ITO，并在公共电极层ITO上采用CVD成膜方式形成CH绝缘层；步骤19：在步骤18的基础上，采用CH光罩进行曝光蚀刻出CH孔；步骤20：在步骤19的基础上，形成像素电极层ITO。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，包括Array侧基板玻璃（1）其特征在于：所述Array侧基板玻璃（1）上依次设有MetalⅠ金属层（2）、栅极绝缘层（3）和有缘层（4），所述有缘层（4）上通过CVD成膜方式形成有刻蚀阻挡层（5），所述刻蚀阻挡层（5）上设有MetalⅡ金属层（6），所述MetalⅡ金属层（6）上覆盖有PV绝缘层（7），所述PV绝缘层（7）上依次设有有机平坦层（8）以及MetalⅢ触控金属层（9），所述MetalⅢ触控金属层（9）上采用CVD成膜方式形成有VA绝缘层（10），所述VA绝缘层（10）上设有公共电极层ITO（11），所述公共电极层ITO（11）上采用CVD成膜方式形成有CH绝缘层（12），所述CH绝缘层（12）上设有像素电极层ITO（13）。2.根据权利要求1所述的一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，其特征在于：所述MetalⅠ金属层（2）为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti，MetalⅡ金属层（6）为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti，所述MetalⅢ触控金属层（9）为Mo/Al/Mo，中间的Al作为金属线的实际导电层，其中两侧的Mo或Ti主要为缓冲层，起到保护中间Al不被氧化、腐蚀和降低接触电阻，并且缓冲层用于提高金属层与无机层的界面接触。3.根据权利要求1所述的一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，其特征在于：所述栅极绝缘层（3）为具有较大介电常数的绝缘层，栅极绝缘层（3）由SiOx材料制得，所述刻蚀阻挡层（5）由SiOx材料制得，具有较大介电常数的绝缘层，保护SEChanel不被SD蚀刻液或气体蚀刻，所述CH绝缘层（12）为具有较大介电常数的绝缘层，且CH绝缘层（12）由SiOx或SiNx制得，便于像素电极层ITO（13）与MetalⅡ金属层（6）相连，所述VA绝缘层（10）为具有较大介电常数的绝缘层，且VA绝缘层（10）由SiOx或和SiNx材料制得，在VA绝缘层（10）上干刻出VA孔，便于公共电极层ITO（11）与MetalⅢ触控金属层（9）相连，所述PV绝缘层（7）为具有较大介电常数的绝缘层，且PV绝缘层（7）由SiOx材料制得，所述PV绝缘层（7）用于Array侧基板玻璃（1）上TFT有源器件的水和氧的阻隔。4.根据权利要求1所述的一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，其特征在于：所述有缘层（4）为Array侧基板玻璃（1）上TFT有源器件的半导体层，如a
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Si，MOx和LTPS，该有缘层（4）由IGZO材料制得。5.根据权利要求1所述的一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，其特征在于：所述有机平坦层（8）由有机材料制得且覆盖于PV绝缘层（7）上，用于平坦化rray侧基板玻璃（1）上TFT有源器件的表面。6.一种利要求1
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5所任意一项所述的可避免有源层开孔过刻的阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：依序在Array侧基板玻璃（1）上Pattern形成GEMetalⅠ金属层（2）以及栅极绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，朱书纬，陈鑫，潜垚，李澈，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：