一种透明导电结构的制备方法技术

本发明专利技术提供一种透明导电结构的制备方法，包括：步骤S1，提供一柔性基底；步骤S2，于柔性基底的上表面沉积得到一第一金属氧化物层；步骤S3，于第一金属氧化物层的上表面沉积得到一合金层；步骤S4，于合金层的上表面沉积得到一金属层；步骤S5，于金属层的上表面沉积得到一第二金属氧化物层。有益效果是通过本方法制备得到的透明导电结构的总厚度不大于110nm，镀膜时间短，可以有效提高光的取出效率并减少光损失，并且在室温下即可达到比ITO薄膜更佳的光电性能。光电性能。光电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种透明导电结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及导电结构制备
，尤其涉及一种透明导电结构的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，大部分柔性OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，Organic Light
‑
Emitting Display有机发光半导体)器件采用ITO薄膜、金属薄膜或金属氧化物薄膜等结构作为阳极材料，但都存在成本高、耐弯折性差、透光性低或者导电性不理想等问题。
[0003]因此需要一种耐弯折性强、成本低、透光率高、导电性好的导电结构作为OLED器件的阳极并提供对应的制备方法。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种透明导电结构的制备方法，具体包括以下步骤:
[0005]步骤S1，提供一柔性基底；
[0006]步骤S2，于所述柔性基底的上表面沉积得到一第一金属氧化物层；
[0007]步骤S3，于所述第一金属氧化物层的上表面沉积得到一合金层；
[0008]步骤S4，于所述合金层的上表面沉积得到一金属层；
[0009]步骤S5，于所述金属层的上表面沉积得到一第二金属氧化物层。
[0010]优选的，所述步骤S1中采用柔性超薄玻璃或高分子材料或金属箔或塑料膜作为所述柔性基底。
[0011]优选的，所述步骤S1中还包括：
[0012]清除所述柔性基底上表面和下表面的污物并对所述上表面进行活化处理。
[0013]优选的，所述步骤S2中采用ZnO、SnO2、BZO、AZO、GZO、IGZO、IZO、CTO、ZTO、FTO薄膜中的一种或多种沉积得到所述第一金属氧化物层。
[0014]优选的，所述步骤S3中采用NiCr、Cu、Ti、Al、Sn、Pb、Fe、Zn、Mg、Mo、In金属中的一种与Ag金属合成得到的合金薄膜沉积得到所述合金层。
[0015]优选的，所述步骤S3中采用NiCr、Cu、Ti、Al、Sn、Pb、Fe、Zn、Mg、Mo、In金属中的至少一种与Ag金属合成的合金靶材沉积得到所述合金层。
[0016]优选的，所述步骤S3中采用NiCr、Cu、Ti、Al、Sn、Pb、Fe、Zn、Mg、Mo、In金属薄膜中的一种沉积得到所述合金层。
[0017]优选的，所述步骤S4中采用Ag薄膜沉积得到所述金属层。
[0018]优选的，所述步骤S5中采用BZO、AZO、GZO、IGZO、IZO、CTO、ZTO、FTO薄膜中的一种或多种沉积得到所述第二金属氧化物层。
[0019]上述技术方案具有如下优点或有益效果：
[0020](1)通过本方法制备得到的透明导电结构的总厚度不大于110nm，镀膜时间短，价格低廉，这些都使得制造成本降低，更重要的是，透明导电结构的总厚度减小可以提高光的
取出效率并减少光损失；
[0021](2)现有的ITO薄膜要求的加工温度与部分柔性基底不兼容，通过本方法制备得到的透明导电结构在室温下即可达到比ITO薄膜更佳的光电性能；
[0022](3)通过本方法制备得到的透明导电结构的力学性能好，可以弯曲、变形、卷曲至曲率半径几厘米或完全折叠，机械耐久性好，反复弯折不会断裂且不会留下痕迹；
[0023](4)通过本方法制备得到的透明导电结构中采用的AZO薄膜(功函数5.2eV)比ITO薄膜(功函数4.5～4.8eV)更接近空穴传输材料的HOMO能级(5～6eV)，更适宜空穴注入，降低驱动电压，提高发光效率。
附图说明
[0024]图1为本专利技术的较佳的实施例中，本方法的步骤流程图；
[0025]图2为本专利技术的较佳的实施例中，实施例一中制备得到的透明导电结构的透光图谱；
[0026]图3为本专利技术的较佳的实施例中，实施例二中制备得到的透明导电结构的透光图谱；
[0027]图4为本专利技术的较佳的实施例中，实施例三中制备得到的透明导电结构的透光图谱。
具体实施方式
[0028]下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。本专利技术并不限定于该实施方式，只要符合本专利技术的主旨，则其他实施方式也可以属于本专利技术的范畴。
[0029]本专利技术的较佳的实施例中，基于现有技术中存在的上述问题，现提供一种透明导电结构的制备方法，如图1所示，具体包括以下步骤:
[0030]步骤S1，提供一柔性基底；
[0031]步骤S2，于柔性基底的上表面沉积得到一第一金属氧化物层；
[0032]步骤S3，于第一金属氧化物层的上表面沉积得到一合金层；
[0033]步骤S4，于合金层的上表面沉积得到一金属层；
[0034]步骤S5，于金属层的上表面沉积得到一第二金属氧化物层。
[0035]具体地，本实施例中，第一金属氧化物层、合金层、金属层和第二金属氧化物层均通过磁控溅射工艺沉积得到。
[0036]具体地，本实施例中，合金层可作为种子层，促进金属层尽早连续成膜，避免金属层形成岛状的不连续薄膜，对金属层的生长和光学特性的提高都有利。
[0037]优选的，合金层还能起到保护作用，将第一金属氧化物层与金属层隔离开，避免金属层被第一金属氧化物层氧化影响金属层的导电性。
[0038]优选的，第二金属氧化物层通过薄膜干涉原理，能够有效地提高透光率。
[0039]优选的，第二金属氧化物层能够保护金属层，将金属层与外部空气分隔开以维持金属层的稳定性。
[0040]本专利技术的较佳的实施例中，步骤S1中采用柔性超薄玻璃或高分子材料或金属箔或塑料膜作为柔性基底。
[0041]本专利技术的较佳的实施例中，步骤S1中还包括：
[0042]清除柔性基底上表面和下表面的污物并对上表面进行活化处理。
[0043]本专利技术的较佳的实施例中，步骤S2中采用ZnO、SnO2、BZO、AZO、GZO、IGZO、IZO、CTO、ZTO、FTO薄膜中的一种或多种沉积得到第一金属氧化物层。
[0044]具体地，本实施例中，第一金属氧化物层的厚度为20纳米至50纳米。
[0045]本专利技术的较佳的实施例中，步骤S3中采用NiCr、Cu、Ti、Al、Sn、Pb、Fe、Zn、Mg、Mo、In金属中的一种与Ag金属合成得到的合金薄膜沉积得到合金层。
[0046]具体地，本实施例中，合金层的厚度为0.1纳米至2纳米。
[0047]本专利技术的较佳的实施例中，步骤S3中采用NiCr、Cu、Ti、Al、Sn、Pb、Fe、Zn、Mg、Mo、In金属中的至少一种与Ag金属合成的合金靶材沉积得到合金层。
[0048]具体地，本实施例中，合金靶材中Ag金属与NiCr、Cu、Ti、Al、Sn、Pb、Fe、Zn、Mg、Mo、In金属中的至少一种金属的质量百分比为(99.9％～97％)：(0.1％～3％)。
[0049]本专利技术的较佳的实施例中，步骤S3中采用NiCr、Cu、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明导电结构的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤:步骤S1，提供一柔性基底；步骤S2，于所述柔性基底的上表面沉积得到一第一金属氧化物层；步骤S3，于所述第一金属氧化物层的上表面沉积得到一合金层；步骤S4，于所述合金层的上表面沉积得到一金属层；步骤S5，于所述金属层的上表面沉积得到一第二金属氧化物层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中采用柔性超薄玻璃或高分子材料或金属箔或塑料膜作为所述柔性基底。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中还包括：清除所述柔性基底上表面和下表面的污物并对所述上表面进行活化处理。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中采用ZnO、SnO2、BZO、AZO、GZO、IGZO、IZO、CTO、ZTO、FTO薄膜中的一种或多种沉积得到所述第一金属氧化物层。5.根据权利要求1所述的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚婷婷，沈洪雪，李刚，王天齐，彭塞奥，杨扬，金克武，徐佳馨，王金磊，苏文静，甘治平，马立云，
申请(专利权)人：玻璃新材料创新中心安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：