形成具有匹配几何形状的集成电路部件的系统和方法技术方案

在特定实施例中，提供了一种形成集成电路部件的方法。形成第一光掩模，该第一光掩模包括具有对应于第一类型的集成电路部件的第一几何形状的第一掩模部件。执行第一光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第一位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第一集成电路部件。执行第二光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第二位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第二集成电路部件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及集成电路制造，更尤其涉及一种形成具有匹配 几何形状的集成电路部件的系统和方法。
技术介绍
集成电路装置通常包括多种电路部件，例如多种晶体管、电阻器 和电容器。使用多种集成电路制造技术，例如多种沉积和光刻技术， 通过在半导体晶片(例如硅晶片)中形成特定的几何形状，可以制造 这种集成电路部件。在一些例子中，集成电路装置的两个或者更多个 电部件彼此相关，使得这些电部件中的一个或者多个特性必须"匹 配，，，以便使集成电路装置正确地或者按照需要运行。例如，可能必 要的是，集成电路装置中的特定电阻器对提供相同量的电阻，以便使 装置正确地运行。作为另一个例子，可能必要的是，集成电路装置中 的特定电容器对提供相同量的电容，以便使装置正确地或者按照需要 运行。为了提供具有"匹配的，，电特性的这种部件，已经对在半导体晶 片中形成具有相同几何形状的部件作出了尝试。然而，多种因素通常 导致形成在半导体晶片中的集成电路部件的几何形状的缺陷和不一 致，例如包括在集成电路部件的形成中使用的光掩模中形成的几何形 状的缺陷、和集成电路部件的光刻成像有关的缺陷、和用于光刻成像 工艺的透镜有关的缺陷、和/或在光刻成像工艺期间由光反射导致的 缺陷。如果确定需要匹配的一对集成电路部件实际上不匹配，则可以修_ 改半导体晶片上的该对部件中的一个或者两个的物理几何形状。例如，使用常规的技术，可以将"凸出部(tab)，，激光烧蚀到这些部件 的一个或者两个，直到确定这些部件的相关特性或者特性(例如，一 个或者多个电特性)匹配为止。对半导体晶片上的这些部件的这种处 理可能增加循环时间和人力，其可能降低效率并由此增加制造集成电 路装置的成本。
技术实现思路
根据本专利技术的教导，已经基本上减少或者消除了和在晶片上形成 关键几何形状集成电路部件相关的缺点和问题。在特定实施例中，使 用第一光刻工艺在管芯上形成第一类型的集成电路部件的第一集成电 路部件，以及使用第二光刻工艺在管芯上形成第一类型的集成电路部 件的第二集成电路部件。在一个实施例中，提供了形成集成电路部件的方法。形成第一光 掩模，第一光掩模包括具有和第一类型的集成电路部件对应的第一几 何形状的第一掩模部件。执行第一光刻工艺以将第一光掩模的第一掩 模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第一位 置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第一集成电路部 件。执行第二光刻工艺以将第 一光掩模的笫 一掩模部件的第 一几何形 状转移到半导体晶片上的第 一管芯上的第二位置，以在第 一管芯上形 成第一类型的集成电路部件的第二集成电路部件。在另一个实施例中，提供了集成电路装置。该集成电路装置包括 第一类型的集成电路部件的第一集成电路部件和第一种类型的集成电 路部件的第二集成电路部件。第一集成电路部件设置在半导体晶片上的第一管芯上的第一位置处，并至少通过以下步骤形成形成包括具 有对应于第一类型的集成电路部件的第一几何形状的第一掩模的第一 光掩模；并执行第一光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的笫一几何形状转移到第一管芯上的第一位置，以形成第一集成电路部 件。第二集成电路部件设置在半导体晶片上的第一管芯上的第二位置处，并至少通过以下步骤形成执行第二光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到第一管芯上的第二位置，以形 成第二集成电路部件。本公开的一个优点是可以提供形成具有基本上相同的几何形状的 关键几何形状集成电路部件的系统和方法。尤其是，通过使用光掩模 上的单一图案几何形状将特定集成电路部件的多个范例(instance) 形成在管芯的不同位置上，和用于形成这些部件的现有技术相比，可 以减小各个集成电路部件之间的几何形状差异。结果，可以减少或者 消除校正晶片上的集成电路部件所需的修复(例如激光烧蚀修复)的数量，其被发现具有"不匹配的，，、不准确的或者另外不希望有的几 何形状，由此减少循环时间，增加产量，和/或降低成本。这些技术优点的全部、 一些或者没有一个可以存在于本专利技术的多 种实施例中。从下述的附图、说明书和权利要求，其它的技术优点对 于本领域技术人员可以是显而易见的。附图说明通过结合附图参考下述的描述可以获得更全面和彻底地理解本实施例及其优点，其中类似的参考数字表示类似的特征，以及其中 图1示出了包括多个管芯或者芯片的实例半导体晶片的顶视图，每个包括一个或者多个根据本专利技术形成的集成电路；图2示出了图1的半导体晶片的单个管芯，其包括根据本专利技术的实施例形成的集成电路部件；图3A示出了实例第一光掩模的顶视图，根据本专利技术的实施例，可以使用该第一光掩模在图2所示的管芯的第一区中形成关键几何形状集成电路部件的多个范例；图3B示出了包括图3A的第一光掩模的光掩模组件的截面图4A示出了实例第二光掩模的顶视图，根据本专利技术的实施例，可以使用该第二光掩模在图2所示的管芯的第二区中形成一个或者多个非关鍵几何形状集成电路部件；图4B示出了包括图4A的第二光掩模的光掩模组件的截面图；以及图5示出了根据本专利技术的一个实施例，使用图3A-3B以及4A-4B 所示的第一和第二光掩模，在图2所示的管芯中形成关键几何形状集 成电路部件和非关键几何形状集成电路部件的方法的流程图。具体实施例方式参考图1至5可以最好地理解本专利技术的实例实施例及其优点，其 中使用类似的数字表示类似和相应的部分。图l示出了根据本专利技术的一个实施例的实例半导体晶片IO的顶视 图。半导体晶片IO可以包括多个管芯或者芯片12，每个包括一个或者 多个集成电路，其包括多个集成电路部件。半导体晶片IO可以包括适用于制造半导体装置和/或集成电路的单晶半导体材料的薄的、圆形片。半导体晶片IO可以包括任何适当数量的管芯12，在集成电路形成 在各个管芯12中之后其可以彼此物理地分开。图2示出了半导体晶片IO的单个管芯U，其可以包括根据本专利技术 的实施例形成的集成电路部件。管芯12可以包括集成电路18，其包括 第一区20和第二区22。笫一区20可以包括一种或者多种类型的关键 几何形状集成电路(IC )部件24。关鍵几何形状IC部件24可以被限 定为集成电路部件，对于其， 一个或者多个尺寸或者其它物理参数、 或者其任意组合对于集成电路18的适当的或者所需的操作是重要的或 者关键的。例如，关键几何形状IC部件24可以包括两个或者多个集 成电路部件，这些集成电路部件彼此相关，使得这些集成电路部件的 一个或者多个电特性(或者其它性能特征)应当彼此匹配(或者应当 彼此具有一些其它特定关系)。由于集成电路部件的特定电特性至少 部分地依赖于集成电路部件的物理几何形状(包括形状和/或尺寸)， 所以集成电路部件的几何形状可能是重要的或者关键的，以便提供为 集成电路18的适当的或者希望的操作所需的电特性。如上所述，对于 集成电路部件，其彼此相关以便这些集成电路部件的一个或者多个电 特性(或者其它性能特征)应当彼此匹配，可能重要或者关键的是， 这些集成电路部件的几何形状彼此匹配到特定或者所需程度的精度。因此，关键几何形状IC部件24可以包括任何的集成电路部件， 对于其，几何形状对于集成电路18的操作是重要的或者关键的。例如， 集成电路部件24可以包括相关的一对(或者更多的)电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成集成电路部件的方法，包括：　形成第一光掩模，该第一光掩模包括具有对应于第一类型的集成电路部件的第一几何形状的第一掩模部件；　执行第一光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第一位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第一集成电路部件；以及　执行第二光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第二位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第二集成电路部件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：KG格林，
申请(专利权)人：凸版光掩膜公司，
类型：发明
国别省市：US[]