岛状式承载板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种岛状式承载板及其制作方法，用以承载至少一发光组件，该发光组件具有至少一电性接点，该岛状式承载板包含有：基板；至少一个以上的岛状结构，位于该基板上并对应该电性接点，该岛状结构具有顶面与斜面；以及导电层，设置于岛状结构表面并至少覆盖顶面，以与电性接点电性连接。本发明专利技术的岛状式承载板，可以提高发光组件的光萃取效率，避免发光组件由下方出光再度反射回发光组件时，所造成二度吸收的能量损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种承载基板，特别是涉及一种用来承载发光组件并具有岛状 结构的承载基板及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)的发光原理是利用不同渗杂 (Doping )形成p-n接面，当电子与空穴结合时以光的形式放出能量，光形式 基本上为无穷多点光源的集合。发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗 电量低等优点，且不含水银等有害物质，因此当今的照明市场对于发光二极管 照明寄予极大厚望。发光二极管的发光效率一般称为组件的外部量子效率(External Quantum Efficiency; EQE)，其为组件的内部量子效率(Internal Quantum Efficiency; IQE)及组件的光萃取效率(Light Extraction Efficiency; LEE)的乘积。所谓 组件的内部量子效率其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特 性如组件材料的能带、缺陷、杂质及组件的外延组成及结构等相关。而组件的 光萃取效率指的则是组件内部产生的光子，在经过组件本身的吸收、折射、反 射后实际上在组件外部可测量到的光子数目。因此相关于光萃取效率的因素包 括了组件材料本身的吸收系数、折射率，组件的几何结构、表面粗糙度、组件 及封装材料的折射率差及组件封装的形式等。而上述两种效率的乘积，就是整 个组件的发光效果，也就是组件的外部量子效率。在封装形式方面，除了公知的晶面朝上(Face-Up)的架构外，目前大都积 极朝向晶面向下(Face-Down)的芯片倒装焊(Flip-Chip)形式发展，因为此种形 式可大幅改善散热及光萃取的效果。目前较热门的芯片倒装焊架构有两种一 种是薄型发光二极管，主要是将镀上反射层后的外延层翻转以连接层固定在承 载基板(Sub-mount )上，然后剥离成长基板并粗化其上表面。另一种是芯片 倒装焊发光二极管，大体上的架构与薄型化类似，最大的差别在于其是以数个金属球与承载基板固定，外延层与承载基板之间夹着一层可出光的空间，可减 少芯片倒装焊LED下方出光再度进入组件内部被吸收的量。参考第图l，为公知的芯片倒装焊架构示意图。在图1中，公知的芯片倒装焊架构是将发光组件11利用金属球12与承载基板13固定，但是由发光组 件下方所发出的光线，仍会经由承载基板13表面反射进入发光组件11中，造 成二度吸收，减弱最后出光的能量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种岛状式承载板他lly-Submoimt)及其制作方 法，其中岛状式承载板是一种具有岛状结构的基板，来避免发光组件下方出光 后再度进入组件内部被吸收。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种岛状式承载板，用以承载至少一发 光组件，该发光组件具有至少一电性接点，其包含有基板、至少一个以上的 岛状结构和导电层。至少一个以上的岛状结构，位于基板上并对应至少一发光 组件的电性接点，且岛状结构具有顶面与斜面。该岛状结构的顶面对应该发光 组件的电性接点，且该岛状结构的斜面用以将发光组件下方出光反射引导由侧 方逸出；导电层，设置于岛状结构表面并至少覆盖顶面，以与发光组件电性接 点电性连接。为了实现上述目的，本专利技术还提供了一种岛状式承载板的制作方法，用以 承载至少一发光组件，且该发光组件与岛状式承载板具有至少一电性接点，该 制造方法包含有提供一基板；在该基板上形成至少一个岛状结构，且岛状结 构对应电性接点，岛状结构具有顶面与斜面；在基板上形成导电层，该导电层 至少覆盖顶面；及覆盖于顶面的导电层连接电性接点。本专利技术的，用以引导发光组件下方出光由侧方 逸出，避免再度反射进入发光组件而造成二度吸收，提高发光组件整体的光萃 取效率。下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的 限定。附图说明图1为公知的芯片倒装焊架构示意图2为本专利技术的第一实施例示意图3A为本专利技术的岛状结构斜面示意图3B为本专利技术的岛状结构斜面另一示意图4为本专利技术的第二实施例示意图5为本专利技术的第三实施例示意图6为本专利技术的第三实施例俯视图7为本专利技术的第四实施例示意图8为本专利技术的第五实施例示意图9为本专利技术的第六实施例示意图IO为本专利技术的第七实施例示意图11为本专利技术的第八实施例示意图12为本专利技术的第九实施例示意图13为本专利技术的第十实施例示意图14为本专利技术的第一实施例制作流程图15为本专利技术的第二实施例制作流程图16为本专利技术的第三实施例制作流程图17为本专利技术的第五实施例制作流程图18为本专利技术的第六实施例制作流程图19为本专利技术的第七实施例制作流程图20为本专利技术的第八实施例制作流程图21为本专利技术的第九实施例制作流程图；及图22为本专利技术的第十实施例制作流程图。其中，附图标记11发光组件12金属球13承载基板21发光组件22电性接点23 基板24 岛状结构25 导电层26 顶面27 斜面 27a内凹曲面 27b外凸曲面28 连接层29 反射层30 透明保护层31 透明保护层32 绝缘层33 出光平面35 通道36 内侧37 导电物质 121发光组件 122a电性接点 122b电性接点 123基板 124a岛状结构 124b岛状结构 125a导电层 125b导电层 126 顶面127斜面 128 顶面 129斜面 130a连接层 130b连接层100 岛状式承载板200 岛状式承载板 300岛状式承载板具体实施例方式请参考图2，为本专利技术的第一实施例示意图。 一种岛状式承载板IOO，用 以承载一发光组件21，该发光组件21具有一电性接点22。岛状式承载板100 包含有基板23、岛状结构24与导电层25。其中基板23是一种具有导热性的材料，可以是半导体材料、陶瓷材料、 金属材料等。岛状结构24形成于基板23上并对应该发光组件21的电性接点22。岛状 结构24具有顶面26与斜面27。导电层25覆盖于岛状结构24的顶面26，用以电性连接该岛状结构24所 对应发光组件21的电性接点22。导电层25与该发光组件21的电性接点22 电性连接的方式，是通过连接层28连接。连接层28的材质为导电材料。导电 层25是一种导电性材料。本实施例的岛状式承载板100还包括有反射层29。反射层29除了覆盖于 岛状结构24的斜面27外，更覆盖了基板23的表面，使更多的光线得以适当 的反射。反射层29用以将该岛状式承载板100所承载的发光组件21下方所发 出的光线反射引导由侧方逸出。反射层29是反射性材料。斜面27的形状可以是平面或曲面。请参考图3A与图3B。图3A为本专利技术 的岛状结构斜面示意图，其中岛状结构的斜面是内凹曲面27a。图3B为本发 明的岛状结构斜面另一示意图，其中岛状结构的斜面是外凸曲面27b。请参考图4，为本专利技术的第二实施例示意图。本实施例的岛状式承载板的 结构，已于第一实施例中公开，故相同部分请对照比较，在此不作赘述。本实 施例的特征在于导电层25还可以是一种兼具导电性与反射性的材料，除了有 良好的导电特性外，还可以有效的将光线反射。导电层25制作于岛状结构24 的顶面26与斜面27，可以简化反射层29的制作步骤。请参考图5，为本专利技术的第三实施例示意图。岛状式承载板200，用以承 载一个发光组件121，且该发光组件121具有两电性相异的电性接点122a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种岛状式承载板，用以承载至少一发光组件，该发光组件具有至少一电性接点，其特征在于，该岛状式承载板包含有：　一基板；　至少一个以上的岛状结构，位于该基板上并对应该电性接点，该岛状结构具有一顶面与一斜面；以及　一导电层，设置于该基板上并至少覆盖该顶面，且覆盖于该顶面的该导电层与该电性接点连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭义德，蔡政达，刘柏均，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]