本发明专利技术的目的在于提供树脂成型体和引线电极的粘接性良好、可靠性优异的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置。为了实现上述目的，提供了如下光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置，该封装为具有作为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，由至少形成所述凹部侧面的、包含热固性光反射用树脂组合物的树脂成型体与对向配置以形成所述凹部底面的一部分的至少一对正负引线电极一体化而成，在所述树脂成型体和所述引线电极的接合面没有间隙。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在组合了光半导体元件和荧光体等波长变换手段的光半导体 装置的制造方面有用的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装 置。
技术介绍
近年来，为了光半导体装置的小型、薄型化，具有图3所示结构的表面组 装(SMD ( Surfacemounted device))型的光半导体装置(发光装置)代替引线 型的光半导体装置被大量使用。该表面组装型的光半导体装置通常如下制造 在具有作为光半导体元件l答载用区域的凹部的树脂成型体403和正负引线电 极404 —体化后的光半导体元件搭载用封装的凹部底面，通过芯片焊接材料 406搭载光半导体元件(LED等)400，用接合线401将该光半导体元件400 和引线电极404进行电连接后，在凹部填充包含荧光体405的透明密封树脂 402,密封光半导体元件400。另外，上述光半导体元件搭栽用封装通常如下 制造由成型金属模具夹入引线电极，向密闭的金属模具内注入熔融的热塑性 树脂组合物后，恢复到室温使该树脂组合物固化，从而使其一体化。日本特开 2002-280616号公报、日本特开2004-055632号公报和日本特开2004-342782 号公报中公开了使用具有凹部的树脂成型体和正负引线电极一体化的光半导 体元件搭载用封装而形成的SMD型LED装置。
技术实现思路
近年来，光半导体装置在其利用领域扩展的同时在苛刻的使用条件下使用 的情况增多，从而要求具有比以往更高的可靠性。但是，通常用于制造上述树 脂成型体的热塑性树脂组合物的线膨胀率(20 120ppm厂C)大于通常用作引 线电极的铜的线膨胀率(约17ppm/°C)，因此，将其一体化时会产生较大的应 力，其结果是树脂成型体和引线电极的粘接性低，其间会产生数十微米等级的 间隙。并且，如果树脂成型体和引线电极的粘接性低，则在弯曲引线电极的外部引线的工序中施加的应力在其间也会产生间隙，使得光半导体装置的可靠性 降低。另外，向金属模具注入树脂组合物而制作树脂成型体时如果应用注射成 型，由于树脂的注射压力使金属模具有时会稍微变形或错位，此时沿着金属模 具的接缝会产生间隙，从而在光半导体元件搭载用封装侧面产生树脂飞边(分 型线)。该树脂飞边在成型工序中成为障碍，为了使光半导体装置小型化而精 度高地沿着树脂成型体的外侧面加工外部引线变得非常困难。并且，此时在引 线电极和树脂成型体的界面施加纵向应力，在上述界面从横向延伸的飞边的顶 端部分会产生间隙。进而，树脂飞边也可能会剥落，该树脂飞边的剥落成为封 装裂缝的主要原因，水分、杂质从该裂缝侵入，使得光半导体装置的可靠性显 著降低。另外，飞边深度剥落的情况会产生孔壁，外观较差。另夕卜，近年来开发了在紫外区域等具有发光峰波长的光半导体元件，对于该元件也期待着适用于SMD型LED,但是紫外区域附近的光能量高，因此树 脂成型体的凹部内周面(反射面)容易劣化，该内周面进一步劣化时，存在可 见光的反射率也会降低的问题。鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供树脂成型体和引线电极的粘接性良另外，本专利技术的其他目的在于提供固化后的、具有可见光至近紫外光的反及使用该封装的光半导体装置。即，本专利技术的特征在于下述(1) ~ (12)的事项。(1) 光半导体元件搭载用封装，其为具有作为光半导体元件搭载区域的 凹部的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，由至少形成所述凹部侧面的、 包含热固性光反射用树脂组合物的树脂成型体与对向配置以形成所述凹部底 面的一部分的至少一对正负引线电极一体化而成，在所述树脂成型体和所述引 线电极的接合面没有间隙。(2) 上述(1)所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述树脂 成型体和所述正负的两个引线电极的一体化通过传递成型来进行。(3) 上述(1)或(2)所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物包含填料。(4)上述(1)或(2)所述的光半导体元件^搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物为包含成分(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)固化促进剂、(D)无机填充剂、(E)白色颜料、(F)偶联剂，热固化后在波长350nm ~ 800nm处的光反射率为80%以上，并且可在常温(0 ~ 35°C )下加压成型的树脂组合物。(5 )上述(4 )所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述(D )无机填充剂为选自由二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡构成的组中的至少一种以上。(6) 上述(4)或(5)所述的光半导体元件^搭载用封装，其特征在于，所述(E)白色颜料为无机中空粒子。(7) 上述(4) ~ (6)中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述(E)白色颜料的平均粒径在0.1 50pm的范围。(8) 上述(4) ~ (7)中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述(D)无机填充剂和所述(E)白色颜料的合计量相对所述热固性光反射用树脂组合物总量为70体积％ ~ 85体积％。(9) 上述(1) ~ (8)中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物的螺旋流动为50cm 300cm。(10) 上述(I) ~ (9)中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物的圆盘流动为50mm以上。(11) 上述(1) ~ (10)中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物的线膨胀系数为10~30ppm/°C。(12) 光半导体装置，其特征在于，具有上述(l) ~ (11)中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装、搭载在所述封装的凹部底面的光半导体元件以及覆盖所述凹部内的光半导体元件的透明密封树脂层。根据本专利技术，可以提供树脂成型体和引线电极的粘接性良好、可靠性优异的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置，还可以提供固化后的、具有可见光至近紫外光的反射率高、耐光和耐热劣化性优异的凹部的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置。另外，在上述本专利技术中，在树脂成型体和引线电极的接合面没有间隙是指使用SEM或金属显微镜等以200倍的倍率观察树脂成型体和引线电极相接触的界面时，在该界面没有观察到间隙的状态。另外，本申请基于同一申请人在先提出的日本专利申请第2006-154652号(申请日2006年6月2日)主张优先权，为了参照在此引入其说明书。附图说明图1为表示本专利技术的光半导体元件搭载用封装的一个实施方式的斜视图和截面图。图2为表示本专利技术的光半导体装置的一个实施方式的截面图。图3为表示一般的SMD型LED (光半导体装置)的截面图。图4为表示本专利技术的光半导体元件*搭载用封装的引线电极端部的优选结构的截面图。具体实施例方式凹部的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，将至少形成上述凹部侧面的、包含热固性光反射用树脂组合物的树脂成型体与对向配置以形成上述凹部底面的一部分的至少一对正负引线电极进行一体化，在上述树脂成型体和上述引线电极的接合面没有间隙。另外，正引线电极的一端和负引线电极的一端优选相互对向配置以使各自的表面(主面)露出而形成凹部的底面，其间通过成型树脂分离。并且，正引线电极的本文档来自技高网...
【技术保护点】
光半导体元件搭载用封装，其为具有作为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，由至少形成所述凹部侧面的、包含热固性光反射用树脂组合物的树脂成型体与对向配置以形成所述凹部底面的一部分的至少一对正负引线电极一体化而成，在所述树脂成型体和所述引线电极的接合面没有间隙。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-6-2 154652/20061. 光半导体元件搭载用封装，其为具有作为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，由至少形成所述凹部侧面的、包含热固性光反射用树脂组合物的树脂成型体与对向配置以形成所述凹部底面的一部分的至少一对正负引线电极一体化而成，在所述树脂成型体和所述引线电极的接合面没有间隙。2. 根据权利要求1所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述 树脂成型体和所述正负的两个引线电极的一体化通过传递成型来进行。3. 根据权利要求1或2所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于， 所述热固性光反射用树脂组合物包含填料。4. 根据权利要求1或2所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于， 所述热固性光反射用树脂组合物为包含成分(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C) 固化促进剂、(D)无机填充剂、(E)白色颜料、(F)偶联剂，热固化后在波 长350nm ~ 800nm处的光反射率为80%以上，并且可在常温(0 ~ 35°C )下加 压成型的树脂组合物。5. 根据权利要求4所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述 (D)无机填充剂为选自由二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、氢氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：浦崎直之，汤浅加奈子，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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