有机发光显示器接口清洗工艺制造技术

本发明专利技术涉及有机发光领域，公开了一种有机发光显示器接口的清洗工艺，其特征在于使用准分子激光清洗技术对其清洗，包括给有机发光显示器接口涂上保护膜和对有机发光显示器接口电极部分进行准分子激光清洗两大步骤，解决现有的有机发光显示器接口不便于清洗的不足，利用感光膜的高感光性，用激光对有机发光显示器接口进行清洗，感光膜及其上附着的污染物在激光束的烧蚀下激活蒸发，无任何杂物的干净接口暴露出来，使得有机发光显示器接口达到高质量的清洁度，符合后期压线要求，以制造精度更高的产品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光领域，尤其是有机发光显示器接口的清洗工艺。
技术介绍
在微电子领域，器件和材料表面的清洗一直是科学研究的一个重要环节，随着现代科学 技术的发展，电子器件的尺度和精密机械的配合间隙越来越小，微米级颗粒的污染也会带来 很大危害。在半导体芯片封装工艺中，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的 电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。芯片与基板建立电气连接的部 位即为接口。有机发光显示器在制造过程中，显示器接口部位会受到污染，即使只是沾染到 微米粒级的颗粒污染物也会对后续的压线工艺造成很大的障碍，影响电气连接的质量，并且 会直接影响到有机发光显示器的产品合格率，造成产品成本增大。为了提高有机发光显示器 的合格率，取得高质量的显示器接口是非常重要的一步。而另一个问题是，有机发光显示器接n会被有机发光材料薄膜或其它薄膜覆盖(如有机发光密封薄膜等)，在这种情况下，很 难对接口部位进行清洗。传统的机械摩擦清洗、化学腐蚀清洗、液体固体强力冲击清洗、高频超声清洗等清洗方 式会产生研磨、接触、热效应，不适用于微电子领域，而元器件表面粘有亚微米级的污染颗 粒时，常规的清洗办法也不能够将它去除。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对有机发光显示器接口不便于清洗的不足，找到一种适用的清洗方式。 本专利技术公开了一种有机发光显示器接口的清洗工艺，其特征在于使用准分子激光清洗技术对其清洗，具体包括以下步骤1、 给有机发光显示器接口涂上保护膜；2、 对有机发光显示器接口电极部分进行准分子激光清洗i)将有机发光显示器芯片放入准分子激光器处理工作台，调节遮板位置预留光狭缝， 对准需要清洗的显示器接口电极区域并进行对位校准；ii )启动准分子激光发生器，使激光器预热，调整激光能量达到150mJ以后运行一分钟， 然后将脉冲频率设定为100Hz，同时将起始脉冲设定为空运转；iii)调整激光的能量，使激光的功率达到18Kv;3iv)如果功率达到18Kv，那么可以进行后续操作；v )如果功率达不到18 Kv，需要进行气体回填，即增加准分子激光器激发需要的气体 剂量，重复步骤(ii)使功率达到18Kv;vi)粗调校准使用一些测试用的晶圆来验证激光的能量效果，并在X20倍以上的显微 镜下观察晶圆清洗效果-，Vii)效果达到标准以后进行精调校准，否则重复步骤(V)和(Vi);vfi)精调校准通过X，Y，Z和O角四维方向上的步进电机的精确控制以保证激光束和焊 接电极的精确对位；ix)有机发光显示器接口电极区域清洗开始，脉冲频率为100Hz，清洗一列有机发光显 示器接n需要激光激发25~30次，即清洗一列需要0.025-0.03秒； X)清洗完成后关闭激光发生器，保留主电源运行； X i )清理载物台和工作区域。由于激光清洗具有无接触、无研磨、无热效应等优势，尤其适用于对精密工件或其精细 部位清洗，可以确保其精度，可高效清除半导体晶片上的各种微小有机污染微粒，且可通过 控制输出脉冲能量来清除各种不同性质的微粒而不损坏基底，故特别适用于对有机显示器接 口的清洗。本专利技术所用的保护膜是高分子感光膜，利用感光膜的高感光性，用激光对有机发光显示 器接口进行清洗，感光膜及其上附着的污染物在激光束的烧蚀下激活蒸发，无任何杂物的干 净接口暴露出来，使得有机发光显示器接口达到高质量的清洁度，符合后期压线要求，以制 造精度更高的产品。具体实施方式 实施例1、1、 给有机发光显示器接口涂上保护膜采用8英寸硅片涂光胶机在有机发光显示器接口 位置涂上厚度小于luni的高分子感光膜。2、 对有机发光显示器接口电极部分进行准分子激光清洗(1) 将有机发光显示器芯片放入准分子激光器处理工作台，调节遮板位置预留光狭缝， 尺寸长8mm,宽(K2imn，对准需要清洗的显示器接口电极区域并进行对位校准；(2) 启动准分子激光发生器，等待5分钟使激光器预热，调整激光能量达到150mJ以 后运行一分钟，然后将脉冲频率设定为100Hz，同时将起始脉冲设定为空运转；(3) 调整激光的能量，使激光的功率达到18Kv;(4) 如果功率达到18Kv,那么可以进行后续操作；(5) 如果功率达不到18Kv，需要进行气体回填，即增加准分子激光器激发需要的气体 剂量，重复步骤(2)使功率达到18Kv;(6) 粗调校准使用一些测试用的晶圆来验证激光的能量效果，并在X20倍以上的显 微镜下观察晶圆清洗效果；(7) 效果达到标准以后进行精调校准，否则重复步骤(5)和(6);(8) 精调校准通过X，Y，Z和0角四维方向上的步进电机的精确控制以保证激光束和焊接电极的精确对位；(9) 有机发光显示器接口电极区域清洗开始，脉冲频率为IOO Hz，清洗一列有机发光 显示器接口需要激光激发25-30次，即清洗一列需要0.025~0.03秒；(10) 清洗完成后关闭激光发生器，保留主电源运行；(11) 清理载物台和工作区域。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示器接口清洗工艺，其特征在于使用准分子激光清洗技术对其清洗。

【技术特征摘要】
1、一种有机发光显示器接口清洗工艺，其特征在于使用准分子激光清洗技术对其清洗。2、 如权利要求1所述的准分子激光对有机发光显示器接口的清洗工艺，其特征在于具体包括 以下步骤-(1) 给有机发光显示器接口涂上保护膜；(2) 对有机发光显示器接口电极部分进行准分子激光清洗i)将有机发光显示器芯片放入准分子激光器处理工作台，调节遮板位置预留光狭缝， 对准需要清洗的显示器接口电极区域并进行对位校准；ii )启动准分子激光发生器，使激光器预热，调整激光能量达到150mJ以后运行一分钟， 然后将脉冲频率设定为100Hz，同时将起始脉冲设定为空运转；iii) 调整激光的能量，使激光的功率达到18Kv;iv) 如果功率达到18Kv，那么可以进行后续操作；v )如果功率达不到18 Kv，需要进行气体回填，即增加准...

【专利技术属性】
技术研发人员：张筱丹，季华夏，王灿，
申请(专利权)人：云南北方奥雷德光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：53[中国|云南]