监控金属硅化物形成质量的结构制造技术

本发明专利技术提出一种监控金属硅化物形成质量的结构，包括第一类型半导体衬底，该衬底表面具有第二类型半导体注入区，该结构还包括位于第二类型半导体注入区上的多晶硅线和金属硅化物有源区，其中所述的金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。本发明专利技术提出的监控金属硅化物形成质量的结构，其结构简单、监控方便有效、稳定可靠、通用性较强、使用范围较为广泛，能够有效监控金属硅化物形成质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，且特别涉及一种半导体集成电路中监控金属 硅化物形成质量的结构。
技术介绍
随着半导体技术的迅猛发展，集成电路产品的广泛应用，使得研究人员对 现代半导体技术的研究越发深入，出现了各种各样的工艺方法和设计方式以满 足用户的不同要求。对于半导体集成电路芯片来说，有很多广泛使用的结构设 计。金属硅化物在半导体器件技术中起着非常重要的作用，被广泛应用于源漏 极和硅栅极与金属之间的接触，在半导体集成电路芯片的结构中，金属硅化物 形成质量的好坏对于电路的性能和质量有着决定性的影响。在现有技术中，虽然金属硅化物的应用非常广泛，但是却缺乏一种行之有 效的监控和检测金属硅化物形成质量的结构和相应方法，这样就给半导体集成 电路的质量带来了潜在的隐患，同时也影响了集成电路芯片的成品率和使用过 程中的稳定性和寿命，因而无法满足众多对芯片质量和稳定性要求较高的场合， 并使得半导体集成电路的使用范围受到了较大的影响，给人们的工作和生活都 带来了很大的不便。
技术实现思路
本专利技术提出一种监控金属硅化物形成质量的结构，其结构简单、监控方便 有效、稳定可靠、通用性较强、使用范围较为广泛，能够有效监控金属硅化物 形成质量。为了达到上述目的，本专利技术提出一种监控金属硅化物形成质量的结构，包 括第一类型半导体衬底，该衬底表面具有第二类型半导体注入区，该结构还包 括位于第二类型半导体注入区上的多晶硅线和金属硅化物有源区，其中所述的3金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设 置有连通引出结构。进一步的，所述第一类型半导体衬底为P型半导体衬底，所述第二类型半导体注入区为N+半导体注入区。进一步的，所述相邻两根多晶硅线之间的距离为最小设计准则的距离，且 各多晶硅线与该金属硅化物有源区部分重叠。进一步的，所述连通引出结构设置于该金属硅化物有源区的两端。进一步的，所述连通引出结构为设置于该金属硅化物有源区上的通孔和穿 设于通孔并与所述的第二类型半导体注入区相连通的金属线。进一步的，所述多晶硅线的边缘与相邻的金属硅化物有源区的边缘之间的 距离为最小设计准则的距离。进一步的，所述金属石圭化物有源区具有橫向有源区和竖向有源区，其中横 向有源区比竖向有源区宽。进一步的，所述横向有源区设置有连通引出结构，所述连通引出结构为设 置于该金属硅化物有源区上的通孔和穿设于通孔并与所述的第二类型半导体注 入区相连通的金属线。采用了本专利技术的半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，由于 其将金属硅化物有源区设置在相邻的两根多晶硅线之间，并在该有源区中设置 有连通引出结构，从而可以方便的测量有源区的电阻值，此时如果夹在两根多 晶硅线之间的金属硅化物有源区形成质量不好，则测量出的有源区电阻值就会 相当大；同时由于浅沟隔离区产生的应力和两根多晶硅线产生的应力对于金属 硅化物的形成具有很大的影响，尤其是在有源区的拐角处区域，应力更加显著， 因而容易使金属硅化物穿通N+注入区，产生短路现象，而通过本专利技术的上述结 构，可以很容易的测量出N+注入区和P型衬底之间的漏电流，从而能够监控金 属硅化物是否已经穿通N+注入区，进而容易控制金属硅化物有源区的形成质量； 另一方面，上述的结构非常简单，监控方便有效，直接放置于划片槽中即可实 现有效监测，很容易检测出目前半导体集成电路中经常使用的两种常见结构中 的金属硅化物的形成质量，大大提高了集成电路芯片的成品率、稳定性和寿命， 监控检测过程稳定可靠，通用性较强，使用范围较为广泛，为现代超大规模集成电路工业的发展莫定了坚实的基础。 附图说明图1所示为本专利技术较佳实施例的第一种监控金属硅化物形成质量的结构。图2所示为本专利技术较佳实施例的第二种监控金属硅化物形成质量的结构。 具体实施例方式为了更了解本专利技术的
技术实现思路
，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。 请参阅图1所示，其为该半导体集成电络中第一种监控金属硅化物形成质 量的结构，包括第一类型半导体衬底即P型半导体衬底1、该衬底表面的第二类 型半导体注入区即N+注入区2、多晶硅线3和金属硅化物有源区4,其中所述 的金属硅化物有源区4设置于相邻的两根多晶硅线3之间，该相邻两根多晶硅 线3之间的距离为最小设计准则的距离，该最小设计准则的距离为现代半导体 集成电路制造工艺中的公知常识，且各多晶硅线3与该金属硅化物有源区4具 有一定部分的重叠；同时，该金属硅化物有源区4中设置有连通引出结构，且 该连通引出结构设置于该金属硅化物有源区4的两端，其为设置于该金属硅化 物有源区4上的通孔5和穿设于通孔5并与所述的N+注入区2相连通的金属线。 在实际使用当中，采用上述的结构，可以方便的测量有源区4的电阻值，如果 夹在两根多晶硅线3之间的金属硅化物有源区4形成质量不好，则测量出的有 源区4的电阻值就会相当大。再请参阅图2所示，其为该半导体集成电路中第二种监控金属硅化物形成 质量的结构，包括P型半导体衬底1、该衬底表面的N+注入区2、多晶硅线3 和金属硅化物有源区4，其中，所述的金属硅化物有源区4设置于相邻的两根多 晶硅线3之间，该多晶硅线3的边缘与相邻的金属硅化物有源区4的边缘之间 的距离为最小设计准则的距离，该最小设计准则的距离为现代半导体集成电路 制造工艺中的公知常识。所述金属珪化物有源区4具有横向有源区和竖向有源 区，其中横向有源区比竖向有源区宽。同时，所述的连通引出结构设置于该金 属硅化物有源区4的横向有源区，其为设置于该金属硅化物有源区4上的通孔5 和穿设于通孔5并与所述的N+注入区2相连通的金属线。在实际使用当中，采用上述的结构，由于窄的金属硅化物有源区4即竖向有源区夹在两根多晶硅线3 之间，其中将橫向有源区部分做的相对较宽，从而能够在其上形成通孔5，并通 过穿设于通孔5中的金属线将N+注入区2引出；此时由于浅沟隔离区产生的应 力和两根多晶硅线3产生的应力对于金属硅化物的形成具有很大的影响，尤其 是在有源区4的拐角处区域，应力更加显著，因而容易使金属硅化物穿通N+注 入区2,产生短;洛现象，而通过上述结构，可以4艮容易的测量出N+注入区2和 P型半导体村底1之间的漏电流，从而能够监控金属硅化物是否已经穿通N+注 入区2，进而容易控制金属硅化物有源区4的形成质量。综上所述，采用了上述的半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结 构，由于将金属硅化物有源区4设置在相部的两根多晶硅线3之间，并在该有 源区4中设置有连通引出结构，从而可以方便的测量有源区4的电阻值，如果 夹在两根多晶硅线3之间的金属硅化物有源区4形成质量不好，则测量出的有 源区4电阻值就会相当大；同时由于浅沟隔离区产生的应力和两根多晶硅线3 产生的应力对于金属硅化物的形成具有很大的影响，尤其是在有源区4的拐角 处区域，应力更加显著，因而容易使金属硅化物穿通N+注入区2,产生短路现 象，而通过上述结构，可以很容易的测量出N+注入区2和P型半导体衬底1之 间的漏电流，能够监控金属硅化物是否已经穿通N+注入区2,从而容易控制金 属硅化物有源区4的形成质量；而且本专利技术的上述结构非常简单，监控方便有 效，直接放置于划片槽中即可实现有效监测，很容易检测出目前半导体集成电 路中经常使用的两种常见结构中的金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监控金属硅化物形成质量的结构，包括第一类型半导体衬底，该衬底表面具有第二类型半导体注入区，其特征在于该结构还包括位于第二类型半导体注入区上的多晶硅线和金属硅化物有源区，其中所述的金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。

【技术特征摘要】
1. 一种监控金属硅化物形成质量的结构，包括第一类型半导体衬底，该衬底表面具有第二类型半导体注入区，其特征在于该结构还包括位于第二类型半导体注入区上的多晶硅线和金属硅化物有源区，其中所述的金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。2. 根据权利要求l所述的监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在于所述第一类型半导体衬底为P型半导体衬底，所述第二类型半导体注入区为N+半导体注入区。3. 根据权利要求1所述的监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在于所述相邻两根多晶硅线之间的距离为最小设计准则的距离，且各多晶硅线与该金属硅化物有源区部分重叠。4. 根据权利要求1所述的监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在于所述连通引出结构设置于该金属硅化物有...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]