【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体器件制造装置，特别涉及一种半导体器件制造装置中的防污染离子分析器。
技术介绍
现有半导体集成电路制造技术中，随着集成度越来越高和电路规模越来越大，要求电路中单元器件尺寸越来越小，于是对半导体器件制造设备提出了更高的要求。离子分析器是半导体器件制造的关键设备之一，它的性能优劣，直接决定了半导体器件的质量好坏。在使用离子分析器制造过程中，由于离子束对离子分析器金属管壁的碰撞、溅射，会产生中性金属粒子，这些粒子折射到半导体晶片上，最终造成半导体受金属粒子的污染，会使阈电压降低，直接影响到半导体器件的性能。
技术实现思路
本技术克服现有技术的缺点，提供了一种无粒子污染，安装、维护方便的防污染离子分析器。本技术技术方案如下在离子分析器中的离子束受电场作用偏转后运行方向的金属管壁下部内侧壁安装一短石墨板，再将另一长石墨板与之相接安装，上述长、短石墨板采用弹簧卡紧装置固定；在相应的金属管壁上部内侧壁安装石墨条，并被固定在活动盖板上，该活动盖板采用螺钉固定于离子分析器管壁上。这样，既保证了离子束不会直接碰撞金属管壁，以至产生金属粒子，污染半导体器件，而且石墨板和石墨条拆装方便，便于维护。附图说明图1为本技术的水平剖视图；图2为本技术的A-A剖视图。图中1-离子分析器；2-金属管壁；3-线圈；4-活动盖板；5-石墨条；6-长石墨板；7-短石墨板；8-弹簧卡紧装置；9-分析器出口；10-分析器入口；11-离子分析器侧壁具体实施方式以下结合附图对本技术的结构和工作原理做进一步说明如附图1、2所示，在离子分析器1中的离子束受电场作用发生偏转而易于与金属管壁2发生...
【技术保护点】
一种防污染离子分析器（１），包括离子分析器入口（１０），金属管壁（２），线圈（３），离子分析器出口（９），其特征在于离子分析器出口（９）上部金属管壁（２）的内壁上设有活动盖板（４），该活动盖板（４）上固定有石墨条（５），活动盖板（４）采用螺钉固定于金属管壁（２）上；在离子分析器出口（９）下部金属管壁（２）的内壁上安装有长石墨板（６）和短石墨板（７），并由若干弹簧卡紧装置（１１）固定；弹簧卡紧装置（１１）一端固定在侧壁（１１）上，另一自由端与长石墨板（６）和短石墨板（７）相接触。
【技术特征摘要】
1.一种防污染离子分析器(1)，包括离子分析器入口(10)，金属管壁(2)，线圈(3)，离子分析器出口(9)，其特征在于离子分析器出口(9)上部金属管壁(2)的内壁上设有活动盖板(4)，该活动盖板(4)上固定有石墨条(5)，活动盖板(4)采用...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭建辉，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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