碲锌镉半导体材料的欧姆电极制造技术

一种碲锌镉（ＣｄＺｎＴｅ）半导体材料的欧姆电极，包括ＣｄＺｎＴｅ材料，金属电极层，电极引线。其特征是电极层是一层复合金属层，由铜－银层和金层组成。由于铜－银层中的铜更容易与ＣｄＺｎＴｅ形成欧姆接触，银则与ＣｄＺｎＴｅ之间有较好的附着力。因此，采用铜－银作为与ＣｄＺｎＴｅ相接触的第一层金属层，使欧姆电极与ＣｄＺｎＴｅ附着力强，电极大小可控制，重复性好，所测得的Ｉ－Ｖ曲线具有良好的线性，比接触电阻为２．０×１０↑［－３］Ω.ｃｍ↑［２］。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种碲锌镉(CdZnTe)半导体材料欧姆电极，其主要用于CdZnTe半导体材料电学参数的测量和研究。在分析半导体材料电学性能时，通常要在半导体材料上制备一个欧姆接触电极，通过欧姆接触电极对半导体材料进行电学参数的测量。CdZnTe材料的欧姆电极制备一般采用三氯化金溶液与CdZnTe反应形成电极层或真空蒸发金或铂等形成电极层，然后经退火处理，所测得的电流-电压(I-V)曲线一般为直线或接近直线。其中，前者为化学反应方法，方便但不易控制电极的尺寸、形状、均匀性、稳定性等；后者所选择的金或铂等，与CdZnTe材料之间的附着力偏小，金属层容易脱落，影响到实际的应用。本技术的目的是提供一种与CdZnTe材料附着力强、电极大小可控制，重复性好的欧姆电极，使所测得的I-V曲线具有良好的线性。本技术的目的是这样实现的在CdZnTe材料上置上一电极层，该电极层是一层复合金属层，由铜-银层和金层组成。然后在其上置上铟球，通过热压将电极引线与电极层连接，形成一个欧姆电极。由于电极层采用复合金属层，铜-银层中的铜、银在Cd-Te系的半导体材料中，往往可以占据Cd位，在禁带中形成浅受主能级，增大近表面区域的载流子浓度，从而使获得欧姆接触成为可能。在铜和银之间，铜更容易与CdZnTe形成欧姆接触，银则与CdZnTe之间有较好的附着力，采用铜-银作为与CdZnTe相接触的金属层，使欧姆电极与CdZnTe附着力强，电极大小可控制，重复性好，所测得的I-V曲线具有良好的线性，比接触电阻小。本技术的附图说明如下图1为碲锌镉半导体材料的欧姆接触电极结构示意图；图2为碲锌镉半导体材料的欧姆接触电极实测I-V曲线图；口为欧姆接触电极制备好后即测得的曲线图，▲为欧姆接触电极制备好后存放35天测得的I-V曲线图。以下结合附图对本技术的实施例作详细说明1．CdZnTe材料的表面处理a．对材料(1)表面机械抛光，抛至表面光亮如镜，清洗干净后准备腐蚀；b．化学腐蚀先经5％的溴甲醇溶液腐蚀100秒，再用2％溴+20％乳酸+乙二醇的溶液腐蚀100秒。为使腐蚀样品表面光滑、均匀，腐蚀过程中应缓慢晃动溶液或样品。2．电极制备对非电极区进行掩膜保护，对电极区表面进行清洁处理，在高真空(＜1×10-3Pa)条件下，采用200eV、束流10A的Ar+离子轰击40秒，去除表面上的氧化层和各种沾污物。然后在电极区表面真空镀制电极层(2)，采用800eV，束流100A的Ar+离子依次轰击铜-银(2％重量百分比)和金靶，形成铜-银层(201)和金(202)层，厚度各为1μm。电极层(2)镀制好后，经过浮胶、清洗，在高纯N2气氛下，在250℃温度下，退火25分钟。最后在其上置上铟球(3)，通过热压将电极引线(4)与电极层连接，形成一个欧姆电极。本技术具有以下优点1．由于电极层选用铜-银作为与CdZnTe接触的第一层金属层，铜更容易与CdZnTe形成欧姆接触，银则与CdZnTe之间有较好的附着力，采用铜-银作为与CdZnTe相接触的金属层，使欧姆电极附着力强，重复性好。2．本技术的欧姆电极经实测I-V曲线的线性度好，所获得的电极比接触电阻为2.0×10-3Ω·cm2。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碲锌镉半导体材料欧姆电极，包括碲锌镉半导体材料（１），在半导体材料（１）上蒸镀电极层（２），电极引线（４）通过铟球（３）与电极层（２）电学连接，其特征在于：所说的电极层（２）是一层复合金属层，由铜－银层（２０１）和金层（２０２）组成 。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1．一种碲锌镉半导体材料欧姆电极，包括碲锌镉半导体材料(1)，在半导体材料(1)上蒸镀电极层(2)，电极引线(4)通过铟球(3)与电极层(2)电学连接，其特征在于所说的电极层(...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴慧元，方家熊，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]