【技术实现步骤摘要】
本技术属于微电子器件范围，特别涉及一种新型的沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件。技术背景传统的SOI MOSFET在器件下面有一层掩埋氧化层，该层的存在降低了漏、源区的寄生结电容，并且能使器件完全隔离，因此提高了器件速度，消除了闩锁效应。然而，掩埋氧化层也给SOI MOSFET带来了两个严重的缺点自热效应和浮体效应，导致SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性受到影响。
技术实现思路
本技术的目的是提出一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件，所述器件由源区、漏区、栅、沟道区、源和漏下方的掩埋绝缘层以及硅衬底构成，其特征在于在器件的源区1和漏区3下方有掩埋绝缘层4，在器件的源区1和漏区3之间为沟道区，两掩埋绝缘层4之间设置了一个通道6，使沟道区和衬底5相连在一起。本技术的有益效果是由于在传统SOI器件的沟道区下方设置了一个通道，因而完全消除了SOI器件的浮体效应。同时由于该通道也是导热通道，从而大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自热效应。而源、漏区下方的掩埋绝缘层使该器件保持了SOI器件漏源寄生电容小的优点，并且保证了器件的隔离。附图说明图1为沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件的结构示意图。具体实施方式图1所示为沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件的结构示意图。在器件的源区1和漏区3下方有掩埋绝缘层4，在器件的源区1和漏区3之间为沟道区，两掩埋绝缘层4之间设置了一个通道6，使沟道区和衬底5相连在一起。通道6消除了SOI器件的浮体效应，同时也是导热通道，从而大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件，所述器件由源区、漏区、栅、沟道区、源和漏下方的掩埋绝缘层以及硅衬底构成，其特征在于在器件的源区(1)和...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。