一种含咔唑及喹唑啉类结构化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光显示技术领域，具体公开了一种含咔唑及喹唑啉类结构化合物，这类化合物在器件发光寿命和效率方面均有显著提高，同时还公开了其在有机电致发光器件中的应用。本发明专利技术的含咔唑及喹唑啉类结构化合物具有如下所示的结构。采用本发明专利技术的化合物制备的电致发光器件表现出高纯度、高亮度、高效率的优越性能。优越性能。优越性能。

【技术实现步骤摘要】
一种含咔唑及喹唑啉类结构化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及OLED化合物
，具体涉及一种新型的含咔唑及喹唑啉化合物，同时还涉及其应用。

技术介绍

[0002]自20世纪60年代，Pope等人首次报道了蒽单晶的电致发光现象，揭开了有机发光器件研究的序幕，但由于当时获得的亮度和效率均不理想，而未获得广泛的关注。
[0003]1987年，美国柯达公司邓青云博士等报道了以真空蒸镀法制作出含电子空穴传输层的多层器件，获得了亮度大于1000cd/m2、效率超过1.5lm/W、驱动电压小于10V的发光器件，这种器件具有轻薄、低驱动电压、自主发光、宽视角、快速响应等优点，因此得到了广泛的关注。这项研究促进了有机发光显示器件的研究，应用更加广泛、性能更加优越的器件报道不断涌现。
[0004]近年来OLED显示装置发展越来越迅速，也出现了不同类型的OLED显示装置，如车载小型OLED显示装置、便携式智能穿戴OLED显示装置、超薄型OLED显示装置等等。
[0005]随着人们物质生活水平的提高，对显示器性能的要求也不断提升。为了节约能源，符合国家可持续发展观，低能耗的显示器受到人们的青睐。因此，发展低驱动电压的显示器成为研究的热点。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于开发一种有机电致发光材料，应用于OLED器件中，可以提高器件电流效率，降低驱动电压。
[0007]第一方面，本专利技术提供了一种含咔唑及喹唑啉类结构化合物，具有如通式(I)所示的结构：
[0008][0009]式(I)中，R1、R2表示单取代至最大允许取代个数的取代基团；
[0010]R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
和R
14
分别独立地选自氢、卤素、取代或未取代的C1～C20链状烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C6～C40的单
环芳烃基或多环芳烃基中的一种，所述取代基分别独立地选自卤素、C1～C10的链状烷基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种；且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
和R
14
不同时为氢；
[0011]A1和A2分别独立地选自取代或未取代的C6～C60亚芳基，所述取代基分别独立地选自卤素、C1～C20链状烷基、C3～C20环烷基中的一种。
[0012]作为本专利技术一种优选的实施方案，所述A1和A2分别独立地选自1,4
‑
亚苯基、2
‑
甲基
‑
1,4
‑
亚苯基、3
‑
甲基
‑
1,4
‑
亚苯基、2,6
‑
二甲基
‑
1,4
‑
亚苯基、单氟代1,4
‑
亚苯基、二氟代1,4
‑
亚苯基、三氟代1,4
‑
亚苯基、四氟代1,4
‑
亚苯基中的一种。
[0013]作为本专利技术一种优选的实施方案，所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
和R
14
分别独立地选自氢原子、甲基、氟原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基，所述取代基分别独立地选自卤素、C1～C5的链状烷基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种。
[0014]优选的，所述R1、R2中的至少一个选自甲基、氟原子、甲基取代的苯基、甲基取代的联苯基、氟取代的苯基、氟取代的联苯基中的一种。
[0015]作为本专利技术一种优选的实施方案，所述含咔唑及喹唑啉化合物选自如下通式I
‑
1～I
‑
4任一所示的结构：
[0016][0017]其中，上述通式I
‑
1～式I
‑
4中，R1、R2表示单取代至最大允许取代个数的取代基团；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
和R
14
的定义范围与在式Ⅰ中的定义范围相同。
[0018]优选地，通式I
‑
1～式I
‑
4中，所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
和R
14
分别独立地选自氢原子、甲基、氟原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基，所述取代基分别独立地选自卤素、C1～C5的链状烷基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种。更优选的，所述R1、R2中的至少一个选自甲基、氟原子、甲基取代的苯基、甲基取代的联苯基、氟取代的苯基、氟取代的联苯基中的一种。
[0019]在本说明书中，Ca～Cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a～b，除非特殊说明。本说明书中的各基团在具有取代基的情况下其碳数不包括取代基的碳数在内。
[0020]在本说明书中，“各自独立地”表示其主语具有多个时，彼此之间可以相同也可以不同。
[0021]本说明书中，对于化学元素的表述包含化学性质相同的同位素的概念，例如，氢(H)则包括1H(氕或作H)、2H(氘或作D)等；碳(C)则包括12C、13C等。
[0022]本说明书中，卤素原子为F、Cl、Br或I。
[0023]本说明书中，所述取代或未取代的链状烷基包括直链烷基和含含支链的烷基。直链烷基是指通式为CnH2n+1
‑
的直链烷基，包括但不限于甲基、乙基、丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基等。优选n为1～5的直链烷基。含支链的烷基包括但不限于异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基等。优选碳原子数量为1～5个的含支链烷基。
[0024]本说明书中，环烷基包括但不限于含环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基等的基团。优选碳原子数量为3～6个的环烷基。
[0025]本说明书中，所述C6～C40的单环芳烃基或多环芳烃基中的多环芳烃基，为多苯代脂烃基、联苯型多环芳烃基、螺二芴类基团、稠环芳烃基中的任意一种，包括但不限于：联苯基、菲基、芴基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、萘基等。多环芳基并基可以是菲并基、蒽并基、荧蒽并基、三亚苯基并基、萘并基等。
[0026]作为本专利技术一种优选的实施方案，本专利技术所述含咔唑及喹唑啉类结构化合物任选自如下结构所示的化合物：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含咔唑及喹唑啉类结构化合物，具有如通式(Ⅰ)所示的结构：式(I)中，R1、R2表示单取代至最大允许取代个数的取代基团；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
和R
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分别独立地选自氢、卤素、取代或未取代的C1～C20链状烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C6～C40的单环芳烃基或多环芳烃基中的一种，所述取代基分别独立地选自卤素、C1～C10的链状烷基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种；且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
和R
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不同时为氢；A1和A2分别独立地选自取代或未取代的C6～C60亚芳基，所述取代基分别独立地选自卤素、C1～C20链状烷基、C3～C20环烷基中的一种。2.根据权利要求1所述的含咔唑及喹唑啉类结构化合物，其特征在于，所述A1和A2分别独立地选自1,4
‑
亚苯基、2
‑
甲基
‑
1,4
‑
亚苯基、3
‑
甲基
‑
1,4
‑
亚苯基、2,6
‑
二甲基
‑
1,4
‑
亚苯基、单氟代1,4
‑
亚苯基、二氟代1,4
‑
亚苯基、三氟代1,4
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亚苯基、四氟代1,4
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亚苯基中的一种。3.根据权利要求1所述的含咔唑及喹唑啉类结构化合物，其特征在于，选自如下通式I
‑
1～I
‑
4任一所示的结构：
上述通式I
‑
1～式I
‑
4中，R1、R2表示单取代至最大允许取代个数的取代基团；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
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和R
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的定义范围与在式Ⅰ中的定义范围相同。4.根据权利要求1或3所述的含咔唑及喹唑啉类结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓科，李仲庆，段陆萌，杭德余，程丹丹，陈婷，温洁，
申请(专利权)人：北京燕化集联光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：