一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构，包括上端与单晶硅连接的内轴组件、夹持单晶硅下端的夹持组件，所述内轴组件外侧设置夹持器大盘，所述夹持器大盘下侧固接下轴，所述夹持器大盘中部设置内轴组件穿过的过孔，所述下轴中部设置内轴组件穿过的通孔，所述夹持器大盘上表面固设夹持组件。本实用新型专利技术所述的内轴组件和下轴配合封闭夹持器大盘依次向下移动，减少单晶炸裂流熔时损伤内轴组件结构，同时通过夹持器大盘封闭盖住下轴上端更好的保护下轴内壁。更好的保护下轴内壁。更好的保护下轴内壁。

【技术实现步骤摘要】
一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构


[0001]本技术属于单晶硅生产领域，尤其是涉及一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构。

技术介绍

[0002]生产单晶硅的质量要求比较高，但是常规内轴结构中夹持器大盘为非封闭结构，使内轴组件暴露在外面，如果下轴内壁烫伤，会造成内轴移动时出现抖动，严重会影响到引颈和扩肩的过程，造成拉肩失败，也会造成生产损失，所示设置一种夹持器大盘封闭并配合封闭的夹持器大盘的内轴和下轴就尤为重要。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术旨在提出一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构，以内轴组件和下轴配合封闭夹持器大盘依次向下移动，减少单晶炸裂流熔时损伤内轴组件结构，同时通过夹持器大盘封闭盖住下轴上端更好的保护下轴内壁。
[0004]为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：
[0005]一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构，包括上端与单晶硅连接的内轴组件、夹持单晶硅下端的夹持组件，所述内轴组件外侧设置夹持器大盘，所述夹持器大盘下侧固接下轴，所述夹持器大盘中部设置内轴组件穿过的过孔，所述下轴中部设置内轴组件穿过的通孔，所述夹持器大盘上表面固设夹持组件。
[0006]进一步的，所述内轴组件包括轴尖和设置于轴尖下侧的内轴，所述轴尖和内轴之间设置轴尖导向环，所述轴尖导向环直径大于轴尖直径；
[0007]所述下轴为圆筒型，所述轴尖导向环设置于下轴内侧，所述轴尖导向环外径与下轴内径对应。
[0008]进一步的，所述轴尖上端固接有同轴的延长杆，所述延长杆上端设置籽晶夹头，所述籽晶夹头通过籽晶夹头固定座安装在延长杆上。
[0009]进一步的，所述籽晶夹头上端、籽晶夹头固定座下端、夹持器大盘上端均设置防烫钼片。
[0010]进一步的，所述夹持组件包括多个立柱，多个立柱周向等距设置于夹持器大盘上端面，多个立柱通过紧固环固接，所述紧固环上端面对应立柱外侧固接拨片柱所述拨片柱上端设置转轴，所述转轴处铰接朝向内轴组件的销子拨片，所述销子拨片在临近内轴组件的上端面垂直设置销子杆，所述立柱上端对应销子杆设置斜孔，所述销子杆上端垂直固接夹持片；
[0011]所述销子拨片向远离内轴组件一侧延伸有硬质杆，所述硬质杆在远离销子拨片的一端固接软钢丝。
[0012]进一步的，所述夹持片靠近内轴组件处有内凹圆弧，所述内凹圆弧与单晶硅下端扩肩侧壁贴合夹持。
[0013]进一步的，所述夹持片材质为防烫钼片。
[0014]相对于现有技术，本技术所述的一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构具有以下有益效果：
[0015](1)本技术所述的以内轴组件先转动向下移动，到夹持组件可以夹持到单晶硅的下端的合适位置，下轴开始转动，带动整个结构向下移动，这样可以使内轴组件一部分运动到下轴内，减少单晶炸裂流熔时损伤结构，同时通过夹持器大盘盖住上端更好的保护下轴内壁。
[0016](2)本技术所述的所述延长杆起到轴尖加长的作用，可根据需要更换长度，并且在轴尖向下移动到下轴内，上侧的延长杆被单晶炸裂流熔物损伤时，更换更加便捷，无需更换整个轴尖。
[0017](3)本技术所述的防烫钼片自上向下设置有三层，减少高热量造成的部件烫伤，也限制单晶炸裂流熔时流入下轴内，减少下轴内壁的损伤。
附图说明
[0018]构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0019]图1为本技术实施例所述的内轴组件结构示意图；
[0020]图2为本技术实施例所述的夹持器大盘与下轴和夹持组件配合结构示意图；
[0021]图3为本技术实施例所述的内轴组件和夹持组件配合结构示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]1‑
内轴组件；11
‑
轴尖；12
‑
内轴；13
‑
轴尖导向环；14
‑
延长杆；15
‑
籽晶夹头；16
‑
籽晶夹头固定座；2
‑
夹持器大盘；3
‑
下轴；4
‑
夹持组件；41
‑
立柱；42
‑
紧固环；43
‑
拨片柱；44
‑
销子拨片；45
‑
销子杆；46
‑
夹持片；461
‑
内凹圆弧；47
‑
硬质杆；48
‑
软钢丝。
具体实施方式
[0024]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0025]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0026]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，
可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0027]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
[0028]如图1、图2、图3所示，一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构，包括上端与单晶硅连接的内轴组件1、夹持单晶硅下端的夹持组件4，所述内轴组件1外侧设置夹持器大盘2，所述夹持器大盘2下侧固接下轴3，所述夹持器大盘2中部设置内轴组件穿过的过孔，所述下轴3中部设置内轴组件穿过的通孔，所述夹持器大盘2上表面固设夹持组件4。
[0029]整个结构在单晶硅不断生成的过程中，分为拉细颈、扩肩、等径几个阶段，在拉细颈和扩肩的过程中，内轴组件1转动向下移动，下轴3与夹持器大盘2保持静止，到夹持组件4可以夹持到单晶硅的下端的合适位置，慢慢的从扩肩转变为等径的阶段，下轴3开始转动，整个结构向下移动，这样可以使内轴组件一部分运动到下轴内，减少单晶炸裂流熔时损伤结构，同时下轴也更好的保护下轴内壁。
[0030]如图1、图2、图3所示，所述内轴组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构，其特征在于：包括上端与单晶硅连接的内轴组件(1)、夹持单晶硅下端的夹持组件(4)，所述内轴组件(1)外侧设置夹持器大盘(2)，所述夹持器大盘(2)下侧固接下轴(3)，所述夹持器大盘(2)中部设置内轴组件穿过的过孔，所述下轴(3)中部设置内轴组件穿过的通孔，所述夹持器大盘(2)上表面固设夹持组件(4)；所述内轴组件(1)包括轴尖(11)和设置于轴尖下侧的内轴(12)，所述轴尖(11)和内轴(12)之间设置轴尖导向环(13)，所述轴尖导向环(13)直径大于轴尖(11)直径；所述下轴(3)为圆筒型，所述轴尖导向环(13)设置于下轴(3)通孔内，所述轴尖导向环(13)外径与下轴(3)通孔内径对应。2.根据权利要求1所述的一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构，其特征在于：所述轴尖(11)上端固接有同轴的延长杆(14)，所述延长杆(14)上端设置籽晶夹头(15)，所述籽晶夹头(15)通过籽晶夹头固定座(16)安装在延长杆(14)上。3.根据权利要求2所述的一种新型区熔单晶炉内轴及夹持结构，其特征在于：所述籽晶夹头(15)上端、籽晶夹头固定座...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙健，李伟凡，王遵义，刘琨，孙晨光，王彦君，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：