静电吸盘制造技术

本实用新型专利技术涉及一种静电吸盘，包括陶瓷盘、基座及焊接陶瓷盘与基座的金属焊接层。陶瓷盘用于与金属焊接层焊接的表面形成有金属过渡层，金属焊接层附着于金属过渡层，以将陶瓷盘固定于基座。金属过渡层能够增大陶瓷盘与金属焊接层之间的结合力，从而使得陶瓷盘与基座能够通过金属焊接层实现连接。相对于传统的导热胶，金属焊接层及金属过渡层的导热效率更高，故陶瓷盘与基座接触面的热传导效率也将显著提升。在加工过程中，吸附于陶瓷盘上的硅晶片所产生的热量能够快速传导至基座并进一步向外散热。因此，上述静电吸盘的散热效率得到提升。提升。提升。

【技术实现步骤摘要】
静电吸盘


[0001]本技术涉及半导体加工
，特别涉及一种静电吸盘。

技术介绍

[0002]在半导体加工工艺中，静电吸盘被用于通过静电引力实现对半导体材料例，如硅晶片的平稳夹持。静电吸盘主要包括ESC(Electrostatic chuck)陶瓷盘及起冷却和固定作用的基座。通常，静电吸盘的陶瓷盘是通过有机导热胶粘接固定于基座上。
[0003]而在刻蚀、PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)、CVD(ChemicalVapor Deposition，化学气相沉积)、离子植入等半导体工艺过程中，硅晶片上会产生大量的热量。为了保持工艺的稳定性，就需及时把硅晶片上产生的热量传递出去。硅晶片上产生的热量需要先通过陶瓷盘传递到基座，再通过基座向外散发。但是，受制于有机导热胶的热导率，在陶瓷盘与基座接触面的热传导效率较低，故硅晶片上产生的热量无法被及时传导至基座进行散热。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题，提供一种能够提升散热效率的静电吸盘。
[0005]一种静电吸盘，其特征在于，包括陶瓷盘、基座及焊接所述陶瓷盘与所述基座的金属焊接层，所述陶瓷盘用于与所述金属焊接层焊接的表面形成有金属过渡层，所述金属焊接层附着于所述金属过渡层，以将所述陶瓷盘固定于所述基座。
[0006]在其中一个实施例中，在所述金属过渡层与所述金属焊接层之间形成有第一金属镍层，在所述基座与所述金属焊接层之间还形成有第二金属镍层。
[0007]在其中一个实施例中，所述第一金属镍层的厚度为0.1微米至15微米，所述第二金属镍层的厚度为0.1微米至5微米。
[0008]在其中一个实施例中，所述金属过渡层为单质金属层。
[0009]在其中一个实施例中，所述金属过渡层为金属钛层、金属铬层及金属铜层中的任一种。
[0010]在其中一个实施例中，所述金属过渡层的厚度为0.1微米至10微米。
[0011]在其中一个实施例中，所述金属过渡层为钼锰金属化层。
[0012]在其中一个实施例中，在形成所述钼锰金属化层的钼锰金属化膏剂中，金属钼的重量占比为50％至85％、金属锰的重量占比为4％至20％、氧化铝的重量占比为4％至15％、二氧化硅的重量占比为4％至15％、氧化钙的重量占比为10％以下、二氧化锆的重量占比为5％以下。
[0013]在其中一个实施例中，所述金属过渡层的厚度为5微米至30微米。
[0014]在其中一个实施例中，在形成所述金属焊接层的金属焊料中，金的质量占比为60％至90％，锡的质量占比为10％至40％。
[0015]上述静电吸盘，金属过渡层能够增大陶瓷盘与金属焊接层之间的结合力，从而使
得陶瓷盘与基座能够通过金属焊接层实现连接。相对于传统的导热胶，金属焊接层及金属过渡层的导热效率更高，故陶瓷盘与基座接触面的热传导效率也将显著提升。在加工过程中，吸附于陶瓷盘上的硅晶片所产生的热量能够快速传导至基座并进一步向外散热。因此，上述静电吸盘的散热效率得到提升。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本技术较佳实施例中静电吸盘的结构示意图；
[0018]图2为图1所示静电吸盘的焊接断面的示意图；
[0019]图3为本技术另一个实施例中静电吸盘的焊接断面的示意图。
具体实施方式
[0020]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0021]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0022]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0023]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0024]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以
是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0025]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0026]请参阅图1及图2，本技术较佳实施例中的静电吸盘100包括陶瓷盘 110、基座120及金属焊接层130。
[0027]陶瓷盘110能够实现静电吸附。具体的，陶瓷盘110的材料可以为氧化铝陶瓷及氮化铝陶瓷，其热导率一般在30W/m
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k以上。基座120起冷却、固定及支撑作用，其一般由金属成型。具体的，基座120可由金属铝成型，其热导率大于200W/m
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k。为了进一步提升基座120的散热效率，基座120上一般本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，其特征在于，包括陶瓷盘、基座及焊接所述陶瓷盘与所述基座的金属焊接层，所述陶瓷盘用于与所述金属焊接层焊接的表面形成有金属过渡层，所述金属焊接层附着于所述金属过渡层，以将所述陶瓷盘固定于所述基座。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，在所述金属过渡层与所述金属焊接层之间形成有第一金属镍层，在所述基座与所述金属焊接层之间还形成有第二金属镍层。3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于，所述第一金属镍层的厚度为0.1微米至15微米，所述第二金属镍...

【专利技术属性】
技术研发人员：张巨先，
申请(专利权)人：烟台睿瓷新材料技术有限公司，
类型：新型
国别省市：