高功率发光二极管封装结构制造技术

一种高功率发光二极管封装结构，对发光二极管提供对外的电气连接和良好的散热，包含一预设有电气接点、中有穿透孔的电路板，一由一柱体与一底板所一体成型构成的、具高热传导性的基座，一中有穿透孔、周边预设有电气接点的基板，以及一透明保护体；实施时，电路板与基板穿过基座的柱体堆栈于基座的底板上，二极管芯片设置基座的柱体顶端，并以导线建立与电路板的电气连接，再于电路板与基板之间建立电气连接，最后再以透明保护体将二极管芯片与导线封固起来。本实用新型专利技术还在基座的柱体顶端设置多个二极管芯片，并在电路板与基板上设置对应的多组电气接点而达到多芯片的封装，并因电路板将电气线路的导出构成多功能的线路控制系统。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管，尤其涉及一种高功率发光二极管封装结构。
技术介绍
高功率(high power)发光二极管的封装，顾名思义，其最重要的考虑便在于如何妥善处理发光二极管因高功率所产生的高温，以避免其性能与寿命在长期高温下运作而受到的影响。美国专利6,274,924号提出一种高功率发光二极管的封装结构。这种结构或其类似的做法目前已广为业界所采用。为方便解说起见，美国专利6,274,924号的代表图在此引用为本说明书的图1。如图1所示，此结构主要是将金属的导线架(lead frame)12封固于由绝缘耐高温塑料所构成的胶体中。发光二极管芯片(die)16设置于导热但绝缘的次载具(submount)18上，二者再一同设置于一金属的散热(heat sinking)组件10(通常是一铜柱)上。散热组件10上可设置一反射镜14。散热组件10连同二极管芯片16、次载具18再一起穿置于胶体中预先设置的空间中。二极管芯片16的电极以导线(bonding wire)(未图标)与导线架12连接。最后胶体之上再以预先成型的透明胶质保护镜(lens)20覆盖，其中并注以胶水以保护二极管芯片16与导线，其封装完成的结果如图2所示。由上述可知，其设计的重点在于将高功率二极管芯片16所发出的高温以散热组件10散发到胶体之外。如图3、图4的俯视与侧视图所示，在实务上，美国专利6,274,924号所揭示的结构通常还要进一步设置于一基板22上，再将导线架12电气连接(例如焊锡26)到基板的电气接24点上，以便于后续与其它电子组件、装置的结合。综合以上的制程来看，美国专利6,274,924号包覆导线架12的胶体、与保护镜20都需要开模以塑料射出成型的方式事先制成，开模的费用固然是一笔不小的负担，但主要的问题是生产上的弹性低，例如要在图1所示的结构中封装一个以上的二极管芯片116，则胶体与保护镜20势必都要重新开模。而且，基板22除了提供电气连接之外，还要能将金属散热组件10所导出的热能进一步散发出去。但是，基板22通常由铝所构成、再覆以绝缘材料，其本身的导热能力要逊于金属散热组件10，而且因为二者分属两个组件，使得散热的效率受到影响。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种高功率发光二极管的封装结构，以解决前述现有的封装在散热与制程上的不尽理想之处。本技术的主要目的之一是将发光二极管芯片所产生的热直接导出，而非间接的通过基板来完成，以提高封装的散热效率。本技术的另一主要目的是不需要经过精密的开模来准备导线架与保护镜，而是以现有且非常容易生产、控制的组件与制程来提供二极管芯片电气的连接与保护。本技术的再一目的是可以弹性的提供多个发光二极管芯片封装于同一结构中，以达到更高的亮度以及更灵活多样的应用，而且不需要重新开模，只要以相同的制程即可完成。为实现上述的目的，本技术提供了一种高功率发光二极管封装结构，提供M个发光二极管芯片对外的电气连接与散热，其中，1≤M≤N且N≥1，它至少包含一基座，由一高热传导性材质构成，该基座包含一柱体与一底板，该柱体的一第一端与该底板的一表面接合，该柱体的另一第二端的表面积至少大于N个该二极管芯片的面积和，该M个二极管芯片是设置于该柱体的该第二端表面上； 一基板，该基板包含一第一穿透孔与N组第一电气接点，该第一穿透孔的尺寸形状与该柱体相配，该基板是位于该底板的该表面上，该柱体由该第一穿透孔穿过；一电路板，该电路板具有一第二穿透孔与N组第二电气接点，该第二穿透孔的尺寸形状与该柱体相配，该电路板位于该基板之上，其面积小于该基板，该柱体由该第二穿透孔穿过，该M个二极管芯片的正负极与该N组第二电气接点其中M组之间分别建立有电气连结，该M组第二电气接点则与该基板的该N组第一电气接点其中M组建立有电气连接；以及一透明保护体，位于该封装结构的最上层，至少将该M个二极管芯片、以及该M个二极管芯片的正负极与该M组第二电气接点之间建立的电气连结包覆在内；其中，该柱体高度与该基板与该电路板厚度之和大致相同。换句话说，本技术所提供的结构包含一预设有电气接点、中有穿透孔的电路板，一由一柱体与一底板所一体成型构成的、具高热传导性的基座，一中有穿透孔、周边预设有电气接点的基板，以及一透明保护体。实施时，首先将二极管芯片设置于基座的柱体顶端，然后将电路板与基板穿过基座的柱体而堆栈于基座的底板上，接着再以导线建立二极管芯片与电路板的电气连接，再于电路板与基板之间建立电气连接，最后再以透明保护体将二极管芯片与导线保护封固起来。本技术的主要特点是二极管芯片所产生的热是由一体成型的基座柱体传导、然后由大面积的底板直接释放出来，因此散热效率好。本技术的另一主要特点是电路板所提供的生产上的弹性。本技术因此可以借着在基座柱体顶端设置多个二极管芯片，并将其正负极适当连结到电路板、基板上所安排好的对应的多组电气接点，即可以相同的结构与相同制程达到多个二极管芯片的封装，不仅可以达到更高的亮度，还可以提供各种灵活的线路控制应用。关于本技术的优点与精神可以借助以下的新型详述及附图得到进一步的了解。附图说明图1为一现有的高功率发光二极管封装结构的立体示意图。图2为图1的封装结构完成后的立体示意图。图3为图2的封装结构与一基板结合后的俯视示意图。图4为图2的封装结构与一基板结合后的侧视示意图。图5为依据本技术一实施例的高功率发光二极管封装结构的立体示意图。图6为图5的封装结构的水平虚线的剖视示意图。图7为图5的封装结构的俯视示意图。图8为图5的封装结构用于四个二极管芯片封装的俯视示意图(没有绘出透明保护体以及基板)。附图标记说明10 散热组件12导线架14 反射镜 16发光二极管芯片18 子载具 20保护镜22 基板24电气接点26 焊锡110 基座112 柱体114 底板120 基板122 穿透孔 124 电气接点125 焊锡126 电气接点130 电路板 132 穿透孔134 电气接点135 导线136 电气接点140 二极管芯片150 透明保护体 具体实施方式图5为依据本技术一实施例的高功率发光二极管封装结构的立体示意图，图6、图7则分别为图5的封装结构的剖视与俯视示意图。如图所示，本技术所提出的结构主要包含一预设有电气接点134、136以及一穿透孔132的电路板(PCB)130上、一由一柱体112与一底板114所构成的、具高热传导性的基座110、一中有穿透孔122、周边预设有电气接点124、126的基板120、以及一透明保护体150。基座110的柱体112与底板114形状不以圆柱形、圆形为限制，其材质多采用高热传导性的金属(例如铜)，其重点在于柱体112与底板114是一体成型所构成(而非以分离的组件接合)，以将二极管芯片140所发出的高热经由柱体传导而直接由大面积的底板所散发出去，以达到良好的散热效率。柱体112的高度应等于或约略大于基板120与电路板130厚度的总和。柱体112顶端的面积至少可以容纳一个二极管芯片140的设置。基板120的形状与基座110的底板114形状相匹配(因此也不以圆形为限制)，以便固设于基座110的底板114之上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率发光二极管封装结构，提供Ｍ个发光二极管芯片对外的电气连接与散热，其中，１≤Ｍ≤Ｎ且Ｎ≥１，其特征在于，它至少包含：一基座，是由一高热传导性材质构成，该基座包含一柱体与一底板，该柱体的一第一端与该底板的一表面接合，该柱体的另 一第二端的表面积至少大于Ｎ个该二极管芯片的面积和，该Ｍ个二极管芯片设置于该柱体的该第二端表面上；一基板，该基板包含一第一穿透孔与Ｎ组第一电气接点，该第一穿透孔的尺寸形状与该柱体相配，该基板位于该底板的该表面上，该柱体由该第一穿透孔穿 过；一电路板，该电路板具有一第二穿透孔与Ｎ组第二电气接点，该第二穿透孔的尺寸形状与该柱体相配、该电路板位于该基板之上，其面积小于该基板，该柱体由该第二穿透孔穿过，该Ｍ个二极管芯片的正负极与该Ｎ组第二电气接点其中Ｍ组之间分别建立有电气 连结，该Ｍ组第二电气接点则与该基板的该Ｎ组第一电气接点其中Ｍ组建立有电气连接；以及一透明保护体，位于该封装结构的最上层，至少将该Ｍ个二极管芯片、以及该Ｍ个二极管芯片的正负极与该Ｍ组第二电气接点之间建立的电气连结包覆在内；其中 ，该柱体高度与该基板与该电路板厚度之和相同。...

【技术特征摘要】
1.一种高功率发光二极管封装结构，提供M个发光二极管芯片对外的电气连接与散热，其中，1≤M≤N且N≥1，其特征在于，它至少包含一基座，是由一高热传导性材质构成，该基座包含一柱体与一底板，该柱体的一第一端与该底板的一表面接合，该柱体的另一第二端的表面积至少大于N个该二极管芯片的面积和，该M个二极管芯片设置于该柱体的该第二端表面上；一基板，该基板包含一第一穿透孔与N组第一电气接点，该第一穿透孔的尺寸形状与该柱体相配，该基板位于该底板的该表面上，该柱体由该第一穿透孔穿过；一电路板，该电路板具有一第二穿透孔与N组第二电气接点，该第二穿透孔的尺寸形状与该柱体相配、该电路板位于该基板之上，其面积小于该基板，该柱体由该第二穿透孔穿过，该M个二极管芯片的正负极与该N组第二电气接点其中M组之间分别建立有电气连结，该M组第二电气接点则与该基板的该N组第一电气接点其中M组建立有电气连接；以及一透明保护体，位于该封装结构的最上层，至少将该M个二极管芯片、以及该M个二极管芯片的正负极与该M组第二电气接点之间建立的电气连结包覆在内；其中，该柱体高度与该基板与该电路板厚度之和相同。2.根据权利要求1所述的高功率发光二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：林立宸，
申请(专利权)人：丰鼎光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]